Buchumschlag

Координатно-чувствительный фотоэлектромагнитный детектор ИК-излучения на основе HgCdTe

Координатно-чувствительные термоэлектрически охлаждаемые фотоприемные устройства регистрируют угол положения излучения и его мощность в диапазоне 8-14 мкм.

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2004
Hauptverfasser:	Боднарук, О.А., Громко, Е.Д., Марков, А.В., Остапов, С.Э., Раренко, И.М., Швец, А.Г.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2004
Schlagworte:	Функциональная микроэлектроника
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56293
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Координатно-чувствительный фотоэлектромагнитный детектор ИК-излучения на основе HgCdTe / О.А. Боднарук, Е.Д. Громко, А.В. Марков, С.Э. Остапов, И.М. Раренко, А.Г. Швец // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 6. — С. 13-16. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Координатно-чувствительный фотоэлектромагнитный детектор ИК-излучения на основе HgCdTe
von: Bodnaruk, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Координатно-чувствительный детектор заряженных частиц для спектроскопии
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников
von: Косяченко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов
von: Власенко, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Координатно-чувствительный детектор заряженных частиц для спектроскопии
von: Sidorenko, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников
von: Болгов, С.С.
Veröffentlicht: (2001)

Координатно-чувствительный приемник на основе анизотропного оптико-термоэлемента
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Координатно-чувствительный анизотропный датчик лазерного излучения
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (1998)

Анизотропный термоэлектрический компаратор
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Устройства на основе фотонных кристаллов
von: Нелин, Е.А.
Veröffentlicht: (2004)

Моделирование свойств CdZnTe и параметров детекторов γ-излучения на его основе
von: Кондрик, А.И.
Veröffentlicht: (2004)

Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов
von: Емцев, П.А.
Veröffentlicht: (2003)

Методы построения микроэлектронных радиоизмерительных преобразователей с частотным принципом работы
von: Осадчук, В.С., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Акустооптические модуляторы для систем спектрального анализа радиосигналов
von: Брайко, Г.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)

СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн
von: Иващук, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
von: Кутний, В.Е., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Блок детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe для систем радиационного контроля
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Применение феррогранатовых эпитаксиальных структур в сверхвысокочастотной электронике
von: Ющук, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами
von: Кондрат, А.Б., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Микрочиповые лазеры
von: Матковский, А.О., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Использование фотоприемных устройств в качестве контрольных для снижения погрешности измерений
von: Ницович, Б.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Оптимизация геометрических характеристик p-n-структур для оптоэлектроники
von: Викулин, И.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Методика определения динамического диапазона полупроводниковых фотоприемников
von: Докторович, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов
von: Попович, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Двухспектральный фотоприемник
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Контурные тепловые трубы с алюминиевым испарителем для комбинированных систем охлаждения РЭА
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Многоуровневая оптическая память на микро- и наноразмерных структурах
von: Демёхин, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
von: Войцеховский, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Координатно-чувствительный приемник на основе анизотропного оптикотермоэлемента
von: Ascheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe
von: Цибрий, З.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2017)

СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора приборов элементного анализа материалов
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Теоретические аспекты оптимизации металлических токосъемных контактов солнечных элементов
von: Горский, П.В., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Noise in HgCdTe LWIR arrays
von: Sizov, F.F., et al.
Veröffentlicht: (2002)

СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Устройства считывания информации с крупноформатных матриц ИК-фотодиодов
von: Рева, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Medium wavelength infrared HgCdTe discrete photodetectors
von: Z. F. Tsibrij, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения
von: Кабаций, В.Н.
Veröffentlicht: (2009)

HgCdTe quantum wells grown by molecular beam epitaxy
von: Dvoretsky, S.A, et al.
Veröffentlicht: (2007)