Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs - Круковский, С.И.; Николаенко, Ю.Е. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2004)
Изготовлены модули солнечных элементов с кпд 28,5% при АМ 1,5 на основе многослойных тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs