Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2004
• Hauptverfasser: Круковский, С.И., Николаенко, Ю.Е.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2004
• Schlagworte: Энергетическая микроэлектроника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56295
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs / С.И. Круковский, Ю.Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 6. — С. 23-26. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Изготовлены модули солнечных элементов с кпд 28,5% при АМ 1,5 на основе многослойных тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs