Buchumschlag

Измерительный комплекс для определения фотоэлектрических параметров приемников излучения

Комплекс ИКФ-009 позволяет сократить время и стоимость этапов при разработке приемников излучения и повысить достоверность измеряемых параметров при высокой надежности эксплуатации....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2004
Hauptverfasser:	Ащеулов, А.А., Дунаенко, А.Х., Фотий, В.Д.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2004
Schlagworte:	Новое технологическое оборудование для микроэлектроники
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56300
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Измерительный комплекс для определения фотоэлектрических параметров приемников излучения / А.А. Ащеулов, А.Х. Дунаенко, В.Д. Фотий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 6. — С. 38-39. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Камера тепла и холода для изделий фотоэлектронной техники
von: Дунаенко, А.Х., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Особенности автоматизации диодных реакторных систем микротравления
von: Будянский, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Модернизация установки фотонного отжига полупроводниковых пластин “Оникс”
von: Савицкий, Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Конструкционные материалы с покрытиями в узлах технологического оборудования
von: Дудник, С.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Диодные реакторные системы микротравления
von: Фареник, В.И.
Veröffentlicht: (2002)

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения
von: Абызов, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Способы прогнозирования параметров стеклокерамики с межфазным слоем
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (2001)

Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe
von: Завадский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe"
von: Косяченко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
von: Власенко, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
von: Кондрик, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Математическое моделирование деградации керамических терморезисторов с отрицательным ТКС
von: Балицкая, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Токопроводящий клей на основе порошка меди
von: Каркина, Е.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
von: Бончик, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
von: Марончук, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Компьютерный измерительный комплекс параметров датчиков физических величин
von: Брайко, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 3. Бимолекулярная кинетика затухания радиационных эффектов в ХСП
von: Вакив, Н.М.
Veröffentlicht: (2004)

Вакуумное напыление тонких пленок органических полупроводников и исследование их структуры
von: Орлов, В.Д., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники
von: Ажажа, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Реальная и предельная чувствительность некоторых приемников излучения ТГц/суб-ТГц-диапазонов
von: Шевчик-Шекера, А.В.
Veröffentlicht: (2012)

Бесконтактный метод определения эффективности термоэлектрических материалов
von: Ащеулов, А.А.
Veröffentlicht: (2009)

Применение метода криоскопии для определения температуры замерзания вод с различным содержанием дейтерия
von: Гончарук, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Информационно-измерительный комплекс для оптоемкостной спектроскопии полупроводников
von: Васильев, В.А.
Veröffentlicht: (2002)

ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ В ВЫХОДНЫХ ЦЕПЯХ ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ, РАБОТАЮЩЕГО НА НЕСТАЦИОНАРНУЮ ТЕХНОЛОГИЧЕСКУЮ НАГРУЗКУ
von: Руденко, Ю.В.
Veröffentlicht: (2013)

Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
von: Федорович, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)

СПЕЦИАЛИЗИРОВАННЫЕ СИСТЕМЫ ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ ДЛЯ ЭЛЕКТРОТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ОБОРУДОВАНИЯ
von: Мартынов , В.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Об определении пороговой чувствительности матричных приемников инфракрасного излучения
von: Формозов, Б.Н.
Veröffentlicht: (2003)

Координатно-чувствительный анизотропный датчик лазерного излучения
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (1998)

Многоцелевой автоматизированный модульно-блочный информационно-измерительный комплекс для мониторинга акваторий
von: Гончар, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Характеристики приемников излучения на основе PbS в условиях астрономического применения
von: Жиляев, Б.Е., et al.
Veröffentlicht: (1988)

Alamar Blue-тест как метод определения жизнеспособности клеток до и после криоконсервирования
von: Горохова, Н.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Реальная и предельная чувствительность некоторых приемников излучения ТГц/суб-ТГц-диапазонов
von: Shevchik-Shekera, A. V.
Veröffentlicht: (2012)