Особенности разработки термостабилизированных германиевых фотодиодов

• Datum: 2004
• Hauptverfasser: Рюхтин, В.В., Добровольский, Ю.Г.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2004
• Schriftenreihe: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Schlagworte: Интегральные схемы и полупроводниковые приборы
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56302
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Особенности разработки термостабилизированных германиевых фотодиодов / В.В. Рюхтин, Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 6. — С. 45-48. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Рассмотрены подходы к конструированию лавинных и нелавинных германиевых фотодиодов с применением эпитаксиальных структур и термоэлектрического охлаждения.