Диэлектрические характеристики высокотеплопроводной AlN-керамики в диапазоне частот 3—93 ГГц

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2013
• Автори: Часнык, В.И., Фесенко, И.П.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
• Теми: СВЧ-техника
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56314
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Диэлектрические характеристики высокотеплопроводной AlN-керамики в диапазоне частот 3—93 ГГц / В.И. Часнык, И.П. Фесенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 2-3. — С. 11-14. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Представлены результаты экспериментальных исследований. Показано, что поведение диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь в исследованном частотном диапазоне обусловлено отсутствием в керамике релаксационных процессов, связанных с ориентационной поляризацией, и слабым влиянием на них ионной и электронной поляризации. Представлено результати експериментальних досліджень. Показано, що поведінку діелектричної проникності та тангенса кута діелектричних втрат в дослідженому частотному діапазоні обумовлено відсутністю в кераміці релаксаційних процесів, пов'язаних з орієнтаційною поляризацією, та слабким впливом на них іонної та електронної поляризації. The article presents the results of experimental measurements. It is shown that the behavior of the dielectric constant and dielectric loss tangent in the investigated frequency range is due to the lack of relaxation processes in ceramics associated with the orientation polarization and to weak influence of ion and electron polarization.