Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2013
• Автори: Глауберман, М.А., Егоров, В.В., Канищева Н.А.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
• Теми: Функциональная микро- и наноэлектроника
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56317
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности / М.А. Глауберман, В.В. Егоров, Н.А. Канищева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 2-3. — С. 28-32. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Рассмотрены модели магнитотранзисторов, которые не основываются на решении двумерного уравнения непрерывности для инжектированных носителей. Показано, что несоответствие этих моделей точной теории снимается при достаточно корректном решении одномерного уравнения непрерывности. Розглянуто моделі магнітотранзисторів, які не основані на вирішенні двовимірного рівняння безперервності для інжектованих носіїв. Показано, що протиріччя між результатами цих моделей та результатами точної теорії знімається при досить коректному використанні рішення одновимірного рівняння безперервності. The magnetotransistor models which arc not based on the resolution of two-dimension continuity equation arc examined. It is shown that a contradiction between results of these models and results of exact theory vanishes when the resolution of one-dimension continuity equation is applied correctly