Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности

Рассмотрены модели магнитотранзисторов, которые не основываются на решении двумерного уравнения непрерывности для инжектированных носителей. Показано, что несоответствие этих моделей точной теории снимается при достаточно корректном решении одномерного уравнения непрерывности. Розглянуто моделі магн...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:2013
Hauptverfasser: Глауберман, М.А., Егоров, В.В., Канищева Н.А.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56317
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности / М.А. Глауберман, В.В. Егоров, Н.А. Канищева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 2-3. — С. 28-32. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-56317
record_format dspace
spelling Глауберман, М.А.
Егоров, В.В.
Канищева Н.А.
2014-02-15T23:16:47Z
2014-02-15T23:16:47Z
2013
Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности / М.А. Глауберман, В.В. Егоров, Н.А. Канищева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 2-3. — С. 28-32. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56317
621.382.3
Рассмотрены модели магнитотранзисторов, которые не основываются на решении двумерного уравнения непрерывности для инжектированных носителей. Показано, что несоответствие этих моделей точной теории снимается при достаточно корректном решении одномерного уравнения непрерывности.
Розглянуто моделі магнітотранзисторів, які не основані на вирішенні двовимірного рівняння безперервності для інжектованих носіїв. Показано, що протиріччя між результатами цих моделей та результатами точної теорії знімається при досить коректному використанні рішення одновимірного рівняння безперервності.
The magnetotransistor models which arc not based on the resolution of two-dimension continuity equation arc examined. It is shown that a contradiction between results of these models and results of exact theory vanishes when the resolution of one-dimension continuity equation is applied correctly
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Функциональная микро- и наноэлектроника
Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
Моделювання магнітотранзисторів на основі одновимірного рівняння безперервності
The magnetotransistor simulation based on the one-dimension continuity equation
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
spellingShingle Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
Глауберман, М.А.
Егоров, В.В.
Канищева Н.А.
Функциональная микро- и наноэлектроника
title_short Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
title_full Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
title_fullStr Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
title_full_unstemmed Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
title_sort моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
author Глауберман, М.А.
Егоров, В.В.
Канищева Н.А.
author_facet Глауберман, М.А.
Егоров, В.В.
Канищева Н.А.
topic Функциональная микро- и наноэлектроника
topic_facet Функциональная микро- и наноэлектроника
publishDate 2013
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Моделювання магнітотранзисторів на основі одновимірного рівняння безперервності
The magnetotransistor simulation based on the one-dimension continuity equation
description Рассмотрены модели магнитотранзисторов, которые не основываются на решении двумерного уравнения непрерывности для инжектированных носителей. Показано, что несоответствие этих моделей точной теории снимается при достаточно корректном решении одномерного уравнения непрерывности. Розглянуто моделі магнітотранзисторів, які не основані на вирішенні двовимірного рівняння безперервності для інжектованих носіїв. Показано, що протиріччя між результатами цих моделей та результатами точної теорії знімається при досить коректному використанні рішення одновимірного рівняння безперервності. The magnetotransistor models which arc not based on the resolution of two-dimension continuity equation arc examined. It is shown that a contradiction between results of these models and results of exact theory vanishes when the resolution of one-dimension continuity equation is applied correctly
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56317
citation_txt Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности / М.А. Глауберман, В.В. Егоров, Н.А. Канищева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 2-3. — С. 28-32. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT glaubermanma modelirovaniemagnitotranzistorovnaosnoveodnomernogouravneniânepreryvnosti
AT egorovvv modelirovaniemagnitotranzistorovnaosnoveodnomernogouravneniânepreryvnosti
AT kaniŝevana modelirovaniemagnitotranzistorovnaosnoveodnomernogouravneniânepreryvnosti
AT glaubermanma modelûvannâmagnítotranzistorívnaosnovíodnovimírnogorívnânnâbezperervností
AT egorovvv modelûvannâmagnítotranzistorívnaosnovíodnovimírnogorívnânnâbezperervností
AT kaniŝevana modelûvannâmagnítotranzistorívnaosnovíodnovimírnogorívnânnâbezperervností
AT glaubermanma themagnetotransistorsimulationbasedontheonedimensioncontinuityequation
AT egorovvv themagnetotransistorsimulationbasedontheonedimensioncontinuityequation
AT kaniŝevana themagnetotransistorsimulationbasedontheonedimensioncontinuityequation
first_indexed 2025-11-29T12:46:57Z
last_indexed 2025-11-29T12:46:57Z
_version_ 1850854915884187648