Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
Рассмотрены модели магнитотранзисторов, которые не основываются на решении двумерного уравнения непрерывности для инжектированных носителей. Показано, что несоответствие этих моделей точной теории снимается при достаточно корректном решении одномерного уравнения непрерывности. Розглянуто моделі магн...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2013 |
| Main Authors: | Глауберман, М.А., Егоров, В.В., Канищева Н.А. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2013
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56317 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности / М.А. Глауберман, В.В. Егоров, Н.А. Канищева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 2-3. — С. 28-32. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
by: Glauberman, M. A., et al.
Published: (2013)
by: Glauberman, M. A., et al.
Published: (2013)
Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
by: Захарченко, А.А., et al.
Published: (2008)
by: Захарченко, А.А., et al.
Published: (2008)
Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2007)
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2007)
Координатно-чувствительный приемник на основе анизотропного оптико-термоэлемента
by: Ащеулов, А.А., et al.
Published: (2006)
by: Ащеулов, А.А., et al.
Published: (2006)
Акустооптические свойства стекол GexS100–x и акустооптический модулятор на их основе
by: Блецкан, Д.И., et al.
Published: (2014)
by: Блецкан, Д.И., et al.
Published: (2014)
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
by: Абдулхаев, О.А., et al.
Published: (2015)
by: Абдулхаев, О.А., et al.
Published: (2015)
Особенности проектирования внутренних цепей питания микромощных БИС на основе элементов инжекционной логики
by: Белоус, А.И., et al.
Published: (2008)
by: Белоус, А.И., et al.
Published: (2008)
Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
by: Рахматов, А.З., et al.
Published: (2010)
by: Рахматов, А.З., et al.
Published: (2010)
Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
by: Бобренко, Ю.Н., et al.
Published: (2009)
by: Бобренко, Ю.Н., et al.
Published: (2009)
Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния
by: Попов, В.М., et al.
Published: (2010)
by: Попов, В.М., et al.
Published: (2010)
Инфракрасные отрезающие фильтры на основе монокристаллов CdSb, ZnSb для оптофотоэлектронных устройств
by: Ащеулов, А.А., et al.
Published: (2009)
by: Ащеулов, А.А., et al.
Published: (2009)
Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
by: Джафарова, Э.А.
Published: (2006)
by: Джафарова, Э.А.
Published: (2006)
Измерение температуры с использованием оптических датчиков на основе двулучепреломляющих кристаллов
by: Габа, В.М.
Published: (2009)
by: Габа, В.М.
Published: (2009)
Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
by: Гаркавенко, А.С.
Published: (2012)
by: Гаркавенко, А.С.
Published: (2012)
Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
by: Гаркавенко, А.С.
Published: (2011)
by: Гаркавенко, А.С.
Published: (2011)
Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2005)
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2005)
Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
by: Добровольский, Ю.Г.
Published: (2012)
by: Добровольский, Ю.Г.
Published: (2012)
Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ
by: Ижнин, И.И., et al.
Published: (2005)
by: Ижнин, И.И., et al.
Published: (2005)
Методика и установка для определения теплопроводности полупроводников с использованием лучистой энергии
by: Гурбанниязов, М.А., et al.
Published: (2011)
by: Гурбанниязов, М.А., et al.
Published: (2011)
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
by: Войцеховский, А.В., et al.
Published: (2005)
by: Войцеховский, А.В., et al.
Published: (2005)
Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала
by: Ковальчук, В.А., et al.
Published: (2011)
by: Ковальчук, В.А., et al.
Published: (2011)
Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС
by: Горбань, А.Н., et al.
Published: (2011)
by: Горбань, А.Н., et al.
Published: (2011)
Влияние разброса значений электрических параметров RGB-светодиодов на однородность свечения светодиодных экранов при минимальной градации яркости
by: Велещук, В.П., et al.
Published: (2017)
by: Велещук, В.П., et al.
Published: (2017)
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2013)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2013)
Зависимость эффективности электролюминесцентных индикаторов от параметров источника питания
by: Ленков, С.В., et al.
Published: (2008)
by: Ленков, С.В., et al.
Published: (2008)
Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
by: Горбань, А.Н., et al.
Published: (2008)
by: Горбань, А.Н., et al.
Published: (2008)
Жидкокристаллические мониторы для авиационной техники
by: Коваленко, Л.Ф., et al.
Published: (2009)
by: Коваленко, Л.Ф., et al.
Published: (2009)
Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде
by: Кушниренко, В.В., et al.
Published: (2007)
by: Кушниренко, В.В., et al.
Published: (2007)
Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов
by: Басанец, В.В., et al.
Published: (2015)
by: Басанец, В.В., et al.
Published: (2015)
Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2011)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2011)
Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
by: Босый, В.И., et al.
Published: (2007)
by: Босый, В.И., et al.
Published: (2007)
ПЗС-фотоматрицы с электронным умножением
by: Рева, В.П., et al.
Published: (2017)
by: Рева, В.П., et al.
Published: (2017)
Структура Те–CdTe со свойством электронного переключения с памятью
by: Байдуллаева, А., et al.
Published: (2007)
by: Байдуллаева, А., et al.
Published: (2007)
Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
by: Вакив, Н.М., et al.
Published: (2012)
by: Вакив, Н.М., et al.
Published: (2012)
Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
by: Форш, П.А., et al.
Published: (2009)
by: Форш, П.А., et al.
Published: (2009)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
by: Семенов, А.В., et al.
Published: (2012)
by: Семенов, А.В., et al.
Published: (2012)
Методика определения эффективной площади фоточувствительного элемента фотодиода
by: Бутенко, В.К., et al.
Published: (2007)
by: Бутенко, В.К., et al.
Published: (2007)
Симметричный двухкоординатный фотодиод
by: Добровольский, Ю.Г., et al.
Published: (2008)
by: Добровольский, Ю.Г., et al.
Published: (2008)
Кинетика деформации ВАХ оксидных варисторных структур, обусловленная перезарядкой локализованных состояний
by: Тонкошкур, А.С., et al.
Published: (2014)
by: Тонкошкур, А.С., et al.
Published: (2014)
Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности
by: Кушниренко, В.В., et al.
Published: (2005)
by: Кушниренко, В.В., et al.
Published: (2005)
Similar Items
-
Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
by: Glauberman, M. A., et al.
Published: (2013) -
Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
by: Захарченко, А.А., et al.
Published: (2008) -
Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2007) -
Координатно-чувствительный приемник на основе анизотропного оптико-термоэлемента
by: Ащеулов, А.А., et al.
Published: (2006) -
Акустооптические свойства стекол GexS100–x и акустооптический модулятор на их основе
by: Блецкан, Д.И., et al.
Published: (2014)