Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем

Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем

Увеличение степени интеграции элементной базы предъявляет все более жесткие требования к уменьшению концентрации загрязняющих примесей и окислительных дефектов упаковки в исходных кремниевых пластинах с ее сохранением в технологическом цикле изготовления ИМС. Это обуславливает высокую актуальность п...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:2013
Автори: Пилипенко, В.А., Горушко, В.А., Петлицкий, А.Н., Понарядов, В.В., Турцевич, А.С., Шведов, С.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
Теми:
Технологические процессы и оборудование
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56320
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем / В.А. Пилипенко, В.А. Горушко, А.Н. Петлицкий, В.В. Понарядов, А.С. Турцевич, С.В. Шведов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 2-3. — С. 43-57. — Бібліогр.: 72 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-56320
record_format dspace
spelling Пилипенко, В.А.
Горушко, В.А.
Петлицкий, А.Н.
Понарядов, В.В.
Турцевич, А.С.
Шведов, С.В.
2014-02-15T23:26:31Z
2014-02-15T23:26:31Z
2013
Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем / В.А. Пилипенко, В.А. Горушко, А.Н. Петлицкий, В.В. Понарядов, А.С. Турцевич, С.В. Шведов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 2-3. — С. 43-57. — Бібліогр.: 72 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56320
539.2/6:539.216.1
Увеличение степени интеграции элементной базы предъявляет все более жесткие требования к уменьшению концентрации загрязняющих примесей и окислительных дефектов упаковки в исходных кремниевых пластинах с ее сохранением в технологическом цикле изготовления ИМС. Это обуславливает высокую актуальность применения геттерирования в современной технологии микроэлектроники. В статье рассмотрены существующие методы геттерирования кремниевых пластин и механизмы их протекания.
Збільшення ступеня інтеграції елементної бази пред'являє все більш жорсткі вимоги до зменшення концентрації забруднюючих домішок та окислювальних дефектів упаковки у вихідних кремнієвих пластинах за її збереження у технологічному циклі виготовлення ІМС. Це обумовлює високу актуальність застосування гетерування в сучасній технології мікроелектроніки. Розглянуто існуючі методи гетерування кремнієвих пластин та розглянуто механізми їх перебігу.
Increasing the degree of integration of hardware components imposes more stringent requirements for the reduction of the concentration of contaminants and oxidation stacking faults in the original silicon wafers with its preservation in the IC manufacturing process cycle. This causes high relevance of the application of gettering in modern microelectronic technology. The existing methods of silicon wafers gettering and the mechanisms of their occurrence are considered.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Технологические процессы и оборудование
Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем
Методи та механізми гетерування кремнієвих структур у виробництві інтегральних мікросхем
Methods and mechanisms of gettering of silicon structures in the production of integrated circuits
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем
spellingShingle Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем
Пилипенко, В.А.
Горушко, В.А.
Петлицкий, А.Н.
Понарядов, В.В.
Турцевич, А.С.
Шведов, С.В.
Технологические процессы и оборудование
title_short Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем
title_full Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем
title_fullStr Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем
title_full_unstemmed Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем
title_sort методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем
author Пилипенко, В.А.
Горушко, В.А.
Петлицкий, А.Н.
Понарядов, В.В.
Турцевич, А.С.
Шведов, С.В.
author_facet Пилипенко, В.А.
Горушко, В.А.
Петлицкий, А.Н.
Понарядов, В.В.
Турцевич, А.С.
Шведов, С.В.
topic Технологические процессы и оборудование
topic_facet Технологические процессы и оборудование
publishDate 2013
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Методи та механізми гетерування кремнієвих структур у виробництві інтегральних мікросхем
Methods and mechanisms of gettering of silicon structures in the production of integrated circuits
description Увеличение степени интеграции элементной базы предъявляет все более жесткие требования к уменьшению концентрации загрязняющих примесей и окислительных дефектов упаковки в исходных кремниевых пластинах с ее сохранением в технологическом цикле изготовления ИМС. Это обуславливает высокую актуальность применения геттерирования в современной технологии микроэлектроники. В статье рассмотрены существующие методы геттерирования кремниевых пластин и механизмы их протекания. Збільшення ступеня інтеграції елементної бази пред'являє все більш жорсткі вимоги до зменшення концентрації забруднюючих домішок та окислювальних дефектів упаковки у вихідних кремнієвих пластинах за її збереження у технологічному циклі виготовлення ІМС. Це обумовлює високу актуальність застосування гетерування в сучасній технології мікроелектроніки. Розглянуто існуючі методи гетерування кремнієвих пластин та розглянуто механізми їх перебігу. Increasing the degree of integration of hardware components imposes more stringent requirements for the reduction of the concentration of contaminants and oxidation stacking faults in the original silicon wafers with its preservation in the IC manufacturing process cycle. This causes high relevance of the application of gettering in modern microelectronic technology. The existing methods of silicon wafers gettering and the mechanisms of their occurrence are considered.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56320
citation_txt Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем / В.А. Пилипенко, В.А. Горушко, А.Н. Петлицкий, В.В. Понарядов, А.С. Турцевич, С.В. Шведов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 2-3. — С. 43-57. — Бібліогр.: 72 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT pilipenkova metodyimehanizmygetterirovaniâkremnievyhstrukturvproizvodstveintegralʹnyhmikroshem
AT goruškova metodyimehanizmygetterirovaniâkremnievyhstrukturvproizvodstveintegralʹnyhmikroshem
AT petlickiian metodyimehanizmygetterirovaniâkremnievyhstrukturvproizvodstveintegralʹnyhmikroshem
AT ponarâdovvv metodyimehanizmygetterirovaniâkremnievyhstrukturvproizvodstveintegralʹnyhmikroshem
AT turcevičas metodyimehanizmygetterirovaniâkremnievyhstrukturvproizvodstveintegralʹnyhmikroshem
AT švedovsv metodyimehanizmygetterirovaniâkremnievyhstrukturvproizvodstveintegralʹnyhmikroshem
AT pilipenkova metoditamehanízmigeteruvannâkremníêvihstrukturuvirobnictvííntegralʹnihmíkroshem
AT goruškova metoditamehanízmigeteruvannâkremníêvihstrukturuvirobnictvííntegralʹnihmíkroshem
AT petlickiian metoditamehanízmigeteruvannâkremníêvihstrukturuvirobnictvííntegralʹnihmíkroshem
AT ponarâdovvv metoditamehanízmigeteruvannâkremníêvihstrukturuvirobnictvííntegralʹnihmíkroshem
AT turcevičas metoditamehanízmigeteruvannâkremníêvihstrukturuvirobnictvííntegralʹnihmíkroshem
AT švedovsv metoditamehanízmigeteruvannâkremníêvihstrukturuvirobnictvííntegralʹnihmíkroshem
AT pilipenkova methodsandmechanismsofgetteringofsiliconstructuresintheproductionofintegratedcircuits
AT goruškova methodsandmechanismsofgetteringofsiliconstructuresintheproductionofintegratedcircuits
AT petlickiian methodsandmechanismsofgetteringofsiliconstructuresintheproductionofintegratedcircuits
AT ponarâdovvv methodsandmechanismsofgetteringofsiliconstructuresintheproductionofintegratedcircuits
AT turcevičas methodsandmechanismsofgetteringofsiliconstructuresintheproductionofintegratedcircuits
AT švedovsv methodsandmechanismsofgetteringofsiliconstructuresintheproductionofintegratedcircuits
first_indexed 2025-12-07T21:08:52Z
last_indexed 2025-12-07T21:08:52Z
_version_ 1850885257169993728

Схожі ресурси