Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем
Увеличение степени интеграции элементной базы предъявляет все более жесткие требования к уменьшению концентрации загрязняющих примесей и окислительных дефектов упаковки в исходных кремниевых пластинах с ее сохранением в технологическом цикле изготовления ИМС. Это обуславливает высокую актуальность п...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2013 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2013
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56320 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем / В.А. Пилипенко, В.А. Горушко, А.Н. Петлицкий, В.В. Понарядов, А.С. Турцевич, С.В. Шведов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 2-3. — С. 43-57. — Бібліогр.: 72 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862750957661585408 |
|---|---|
| author | Пилипенко, В.А. Горушко, В.А. Петлицкий, А.Н. Понарядов, В.В. Турцевич, А.С. Шведов, С.В. |
| author_facet | Пилипенко, В.А. Горушко, В.А. Петлицкий, А.Н. Понарядов, В.В. Турцевич, А.С. Шведов, С.В. |
| citation_txt | Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем / В.А. Пилипенко, В.А. Горушко, А.Н. Петлицкий, В.В. Понарядов, А.С. Турцевич, С.В. Шведов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 2-3. — С. 43-57. — Бібліогр.: 72 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Увеличение степени интеграции элементной базы предъявляет все более жесткие требования к уменьшению концентрации загрязняющих примесей и окислительных дефектов упаковки в исходных кремниевых пластинах с ее сохранением в технологическом цикле изготовления ИМС. Это обуславливает высокую актуальность применения геттерирования в современной технологии микроэлектроники. В статье рассмотрены существующие методы геттерирования кремниевых пластин и механизмы их протекания.
Збільшення ступеня інтеграції елементної бази пред'являє все більш жорсткі вимоги до зменшення концентрації забруднюючих домішок та окислювальних дефектів упаковки у вихідних кремнієвих пластинах за її збереження у технологічному циклі виготовлення ІМС. Це обумовлює високу актуальність застосування гетерування в сучасній технології мікроелектроніки. Розглянуто існуючі методи гетерування кремнієвих пластин та розглянуто механізми їх перебігу.
Increasing the degree of integration of hardware components imposes more stringent requirements for the reduction of the concentration of contaminants and oxidation stacking faults in the original silicon wafers with its preservation in the IC manufacturing process cycle. This causes high relevance of the application of gettering in modern microelectronic technology. The existing methods of silicon wafers gettering and the mechanisms of their occurrence are considered.
|
| first_indexed | 2025-12-07T21:08:52Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-56320 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T21:08:52Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Пилипенко, В.А. Горушко, В.А. Петлицкий, А.Н. Понарядов, В.В. Турцевич, А.С. Шведов, С.В. 2014-02-15T23:26:31Z 2014-02-15T23:26:31Z 2013 Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем / В.А. Пилипенко, В.А. Горушко, А.Н. Петлицкий, В.В. Понарядов, А.С. Турцевич, С.В. Шведов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 2-3. — С. 43-57. — Бібліогр.: 72 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56320 539.2/6:539.216.1 Увеличение степени интеграции элементной базы предъявляет все более жесткие требования к уменьшению концентрации загрязняющих примесей и окислительных дефектов упаковки в исходных кремниевых пластинах с ее сохранением в технологическом цикле изготовления ИМС. Это обуславливает высокую актуальность применения геттерирования в современной технологии микроэлектроники. В статье рассмотрены существующие методы геттерирования кремниевых пластин и механизмы их протекания. Збільшення ступеня інтеграції елементної бази пред'являє все більш жорсткі вимоги до зменшення концентрації забруднюючих домішок та окислювальних дефектів упаковки у вихідних кремнієвих пластинах за її збереження у технологічному циклі виготовлення ІМС. Це обумовлює високу актуальність застосування гетерування в сучасній технології мікроелектроніки. Розглянуто існуючі методи гетерування кремнієвих пластин та розглянуто механізми їх перебігу. Increasing the degree of integration of hardware components imposes more stringent requirements for the reduction of the concentration of contaminants and oxidation stacking faults in the original silicon wafers with its preservation in the IC manufacturing process cycle. This causes high relevance of the application of gettering in modern microelectronic technology. The existing methods of silicon wafers gettering and the mechanisms of their occurrence are considered. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технологические процессы и оборудование Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем Методи та механізми гетерування кремнієвих структур у виробництві інтегральних мікросхем Methods and mechanisms of gettering of silicon structures in the production of integrated circuits Article published earlier |
| spellingShingle | Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем Пилипенко, В.А. Горушко, В.А. Петлицкий, А.Н. Понарядов, В.В. Турцевич, А.С. Шведов, С.В. Технологические процессы и оборудование |
| title | Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем |
| title_alt | Методи та механізми гетерування кремнієвих структур у виробництві інтегральних мікросхем Methods and mechanisms of gettering of silicon structures in the production of integrated circuits |
| title_full | Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем |
| title_fullStr | Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем |
| title_full_unstemmed | Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем |
| title_short | Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем |
| title_sort | методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем |
| topic | Технологические процессы и оборудование |
| topic_facet | Технологические процессы и оборудование |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56320 |
| work_keys_str_mv | AT pilipenkova metodyimehanizmygetterirovaniâkremnievyhstrukturvproizvodstveintegralʹnyhmikroshem AT goruškova metodyimehanizmygetterirovaniâkremnievyhstrukturvproizvodstveintegralʹnyhmikroshem AT petlickiian metodyimehanizmygetterirovaniâkremnievyhstrukturvproizvodstveintegralʹnyhmikroshem AT ponarâdovvv metodyimehanizmygetterirovaniâkremnievyhstrukturvproizvodstveintegralʹnyhmikroshem AT turcevičas metodyimehanizmygetterirovaniâkremnievyhstrukturvproizvodstveintegralʹnyhmikroshem AT švedovsv metodyimehanizmygetterirovaniâkremnievyhstrukturvproizvodstveintegralʹnyhmikroshem AT pilipenkova metoditamehanízmigeteruvannâkremníêvihstrukturuvirobnictvííntegralʹnihmíkroshem AT goruškova metoditamehanízmigeteruvannâkremníêvihstrukturuvirobnictvííntegralʹnihmíkroshem AT petlickiian metoditamehanízmigeteruvannâkremníêvihstrukturuvirobnictvííntegralʹnihmíkroshem AT ponarâdovvv metoditamehanízmigeteruvannâkremníêvihstrukturuvirobnictvííntegralʹnihmíkroshem AT turcevičas metoditamehanízmigeteruvannâkremníêvihstrukturuvirobnictvííntegralʹnihmíkroshem AT švedovsv metoditamehanízmigeteruvannâkremníêvihstrukturuvirobnictvííntegralʹnihmíkroshem AT pilipenkova methodsandmechanismsofgetteringofsiliconstructuresintheproductionofintegratedcircuits AT goruškova methodsandmechanismsofgetteringofsiliconstructuresintheproductionofintegratedcircuits AT petlickiian methodsandmechanismsofgetteringofsiliconstructuresintheproductionofintegratedcircuits AT ponarâdovvv methodsandmechanismsofgetteringofsiliconstructuresintheproductionofintegratedcircuits AT turcevičas methodsandmechanismsofgetteringofsiliconstructuresintheproductionofintegratedcircuits AT švedovsv methodsandmechanismsofgetteringofsiliconstructuresintheproductionofintegratedcircuits |