Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев

Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев

На основе разработанной авторами модели массопереноса предложен новый метод эпитаксии толстых слоев. Метод предусматривает рост различных частей слоев в двухслойных системах, получаемых из раствора-расплава, и позволяет контролировать толщину подплавления подложек и толщину слоев, полученных на верх...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:2013
Hauptverfasser: Дранчук, С.Н., Завадский, В.А., Мокрицкий, В.А.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
Schlagworte:
Материалы электроники
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56321
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев / С.Н. Дранчук, В.А. Завадский, В.А. Мокрицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 2-3. — С. 58-60. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-56321
record_format dspace
spelling Дранчук, С.Н.
Завадский, В.А.
Мокрицкий, В.А.
2014-02-15T23:29:42Z
2014-02-15T23:29:42Z
2013
Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев / С.Н. Дранчук, В.А. Завадский, В.А. Мокрицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 2-3. — С. 58-60. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56321
621.362:621.383
На основе разработанной авторами модели массопереноса предложен новый метод эпитаксии толстых слоев. Метод предусматривает рост различных частей слоев в двухслойных системах, получаемых из раствора-расплава, и позволяет контролировать толщину подплавления подложек и толщину слоев, полученных на верхней и нижней подложках, с учетом различия механизмов переноса кристаллизуемого вещества.
На основі розробленої авторами моделі масопереносу запропоновано новий метод епітаксії товстих шарів. Метод передбачає вирощування різних частин шарів в двошарових системах, одержуваних з розчину-розплаву, і дозволяє контролювати товщину підплавлення підкладок і товщину шарів, отриманих на верхній та нижній підкладках з урахуванням відмінностей механізмів перенесення речовини, що кристалізується.
On the basis of the authors' model of mass transfer, a new method for thick layers epitaxy has been developed. The method provides for the growth of different parts of the layers in two-layer systems obtained from the solution-melt and allows to control the thickness of substrate submelting and the thickness of layers obtained at the upper and lower substrates, in consideration of different crystallized substance transport mechanisms.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Материалы электроники
Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
Метод рідиннофазної епітаксії товстих шарів
Thick layers liquid-phase epitaxy method
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
spellingShingle Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
Дранчук, С.Н.
Завадский, В.А.
Мокрицкий, В.А.
Материалы электроники
title_short Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
title_full Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
title_fullStr Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
title_full_unstemmed Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
title_sort метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
author Дранчук, С.Н.
Завадский, В.А.
Мокрицкий, В.А.
author_facet Дранчук, С.Н.
Завадский, В.А.
Мокрицкий, В.А.
topic Материалы электроники
topic_facet Материалы электроники
publishDate 2013
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Метод рідиннофазної епітаксії товстих шарів
Thick layers liquid-phase epitaxy method
description На основе разработанной авторами модели массопереноса предложен новый метод эпитаксии толстых слоев. Метод предусматривает рост различных частей слоев в двухслойных системах, получаемых из раствора-расплава, и позволяет контролировать толщину подплавления подложек и толщину слоев, полученных на верхней и нижней подложках, с учетом различия механизмов переноса кристаллизуемого вещества. На основі розробленої авторами моделі масопереносу запропоновано новий метод епітаксії товстих шарів. Метод передбачає вирощування різних частин шарів в двошарових системах, одержуваних з розчину-розплаву, і дозволяє контролювати товщину підплавлення підкладок і товщину шарів, отриманих на верхній та нижній підкладках з урахуванням відмінностей механізмів перенесення речовини, що кристалізується. On the basis of the authors' model of mass transfer, a new method for thick layers epitaxy has been developed. The method provides for the growth of different parts of the layers in two-layer systems obtained from the solution-melt and allows to control the thickness of substrate submelting and the thickness of layers obtained at the upper and lower substrates, in consideration of different crystallized substance transport mechanisms.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56321
citation_txt Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев / С.Н. Дранчук, В.А. Завадский, В.А. Мокрицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 2-3. — С. 58-60. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT drančuksn metodžidkofaznoiépitaksiitolstyhsloev
AT zavadskiiva metodžidkofaznoiépitaksiitolstyhsloev
AT mokrickiiva metodžidkofaznoiépitaksiitolstyhsloev
AT drančuksn metodrídinnofaznoíepítaksíítovstihšarív
AT zavadskiiva metodrídinnofaznoíepítaksíítovstihšarív
AT mokrickiiva metodrídinnofaznoíepítaksíítovstihšarív
AT drančuksn thicklayersliquidphaseepitaxymethod
AT zavadskiiva thicklayersliquidphaseepitaxymethod
AT mokrickiiva thicklayersliquidphaseepitaxymethod
first_indexed 2025-12-07T19:30:52Z
last_indexed 2025-12-07T19:30:52Z
_version_ 1850879091467616256

Ähnliche Einträge