Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
На основе разработанной авторами модели массопереноса предложен новый метод эпитаксии толстых слоев. Метод предусматривает рост различных частей слоев в двухслойных системах, получаемых из раствора-расплава, и позволяет контролировать толщину подплавления подложек и толщину слоев, полученных на верх...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2013 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2013
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56321 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев / С.Н. Дранчук, В.А. Завадский, В.А. Мокрицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 2-3. — С. 58-60. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862732275181944832 |
|---|---|
| author | Дранчук, С.Н. Завадский, В.А. Мокрицкий, В.А. |
| author_facet | Дранчук, С.Н. Завадский, В.А. Мокрицкий, В.А. |
| citation_txt | Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев / С.Н. Дранчук, В.А. Завадский, В.А. Мокрицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 2-3. — С. 58-60. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | На основе разработанной авторами модели массопереноса предложен новый метод эпитаксии толстых слоев. Метод предусматривает рост различных частей слоев в двухслойных системах, получаемых из раствора-расплава, и позволяет контролировать толщину подплавления подложек и толщину слоев, полученных на верхней и нижней подложках, с учетом различия механизмов переноса кристаллизуемого вещества.
На основі розробленої авторами моделі масопереносу запропоновано новий метод епітаксії товстих шарів. Метод передбачає вирощування різних частин шарів в двошарових системах, одержуваних з розчину-розплаву, і дозволяє контролювати товщину підплавлення підкладок і товщину шарів, отриманих на верхній та нижній підкладках з урахуванням відмінностей механізмів перенесення речовини, що кристалізується.
On the basis of the authors' model of mass transfer, a new method for thick layers epitaxy has been developed. The method provides for the growth of different parts of the layers in two-layer systems obtained from the solution-melt and allows to control the thickness of substrate submelting and the thickness of layers obtained at the upper and lower substrates, in consideration of different crystallized substance transport mechanisms.
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:30:52Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-56321 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T19:30:52Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Дранчук, С.Н. Завадский, В.А. Мокрицкий, В.А. 2014-02-15T23:29:42Z 2014-02-15T23:29:42Z 2013 Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев / С.Н. Дранчук, В.А. Завадский, В.А. Мокрицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 2-3. — С. 58-60. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56321 621.362:621.383 На основе разработанной авторами модели массопереноса предложен новый метод эпитаксии толстых слоев. Метод предусматривает рост различных частей слоев в двухслойных системах, получаемых из раствора-расплава, и позволяет контролировать толщину подплавления подложек и толщину слоев, полученных на верхней и нижней подложках, с учетом различия механизмов переноса кристаллизуемого вещества. На основі розробленої авторами моделі масопереносу запропоновано новий метод епітаксії товстих шарів. Метод передбачає вирощування різних частин шарів в двошарових системах, одержуваних з розчину-розплаву, і дозволяє контролювати товщину підплавлення підкладок і товщину шарів, отриманих на верхній та нижній підкладках з урахуванням відмінностей механізмів перенесення речовини, що кристалізується. On the basis of the authors' model of mass transfer, a new method for thick layers epitaxy has been developed. The method provides for the growth of different parts of the layers in two-layer systems obtained from the solution-melt and allows to control the thickness of substrate submelting and the thickness of layers obtained at the upper and lower substrates, in consideration of different crystallized substance transport mechanisms. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев Метод рідиннофазної епітаксії товстих шарів Thick layers liquid-phase epitaxy method Article published earlier |
| spellingShingle | Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев Дранчук, С.Н. Завадский, В.А. Мокрицкий, В.А. Материалы электроники |
| title | Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев |
| title_alt | Метод рідиннофазної епітаксії товстих шарів Thick layers liquid-phase epitaxy method |
| title_full | Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев |
| title_fullStr | Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев |
| title_full_unstemmed | Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев |
| title_short | Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев |
| title_sort | метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев |
| topic | Материалы электроники |
| topic_facet | Материалы электроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56321 |
| work_keys_str_mv | AT drančuksn metodžidkofaznoiépitaksiitolstyhsloev AT zavadskiiva metodžidkofaznoiépitaksiitolstyhsloev AT mokrickiiva metodžidkofaznoiépitaksiitolstyhsloev AT drančuksn metodrídinnofaznoíepítaksíítovstihšarív AT zavadskiiva metodrídinnofaznoíepítaksíítovstihšarív AT mokrickiiva metodrídinnofaznoíepítaksíítovstihšarív AT drančuksn thicklayersliquidphaseepitaxymethod AT zavadskiiva thicklayersliquidphaseepitaxymethod AT mokrickiiva thicklayersliquidphaseepitaxymethod |