Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов

Исследованы полупроводниковые первичные электроды на основе двойных рН-чувствительных полевых транзисторов при работе как в режиме определения величины pH исследуемых растворов, так и в дифференциальном режиме измерения сенсорных откликов. Для измерения откликов реализована упрощенная трехэлектродна...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:2013
Main Authors: Кукла, А.Л., Лозовой, С.В., Павлюченко, А.С., Нагибин, С.Н.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56322
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов / А.Л. Кукла, С.В. Лозовой, А.С. Павлюченко, С.Н. Нагибин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 2-3. — С. 61-68. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-56322
record_format dspace
spelling Кукла, А.Л.
Лозовой, С.В.
Павлюченко, А.С.
Нагибин, С.Н.
2014-02-15T23:36:13Z
2014-02-15T23:36:13Z
2013
Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов / А.Л. Кукла, С.В. Лозовой, А.С. Павлюченко, С.Н. Нагибин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 2-3. — С. 61-68. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56322
621.382.323; 621.315.592.4
Исследованы полупроводниковые первичные электроды на основе двойных рН-чувствительных полевых транзисторов при работе как в режиме определения величины pH исследуемых растворов, так и в дифференциальном режиме измерения сенсорных откликов. Для измерения откликов реализована упрощенная трехэлектродная конфигурация датчика. Показано, что по параметрам точности, воспроизводимости и стабильности измерений электроды удовлетворяют требованиям типовых применений.
Досліджено напівпровідникові первинні електроди на основі подвійних рН-чутливих польових транзисторів при роботі як в режимі визначення величини рH досліджуваних розчинів, так і в диференціальному режимі вимірювання сенсорних відгуків. Для вимірювання відгуків реалізовано спрощену трьохелектродну конфігурацію датчика. Показано, що за параметрами точності, відтворюваності та стабільності вимірювань електроди задовольняють вимогам типових застосувань.
Primary semiconductor electrodes based on the dual channel pH-sensitive field effect transistors were investigated to characterize their performance both to determine pH value of test solution and to measure sensor responses in differential mode. The simplified three-lead sensor design has been implemented for these purposes. It is shown that such parameters as accuracy, repeatability and stability of developed sensors satisfy necessary requirements for typical laboratory applications.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Метрология. Стандартизация
Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов
Дослідження метрологічних параметрів датчиків на основі рН-чутливих польових транзисторів
Investigation of metrological parameters of sensors based on the pH-sensitive field effect transistors
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов
spellingShingle Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов
Кукла, А.Л.
Лозовой, С.В.
Павлюченко, А.С.
Нагибин, С.Н.
Метрология. Стандартизация
title_short Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов
title_full Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов
title_fullStr Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов
title_full_unstemmed Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов
title_sort исследование метрологических параметров датчиков на основе pн-чувствительных полевых транзисторов
author Кукла, А.Л.
Лозовой, С.В.
Павлюченко, А.С.
Нагибин, С.Н.
author_facet Кукла, А.Л.
Лозовой, С.В.
Павлюченко, А.С.
Нагибин, С.Н.
topic Метрология. Стандартизация
topic_facet Метрология. Стандартизация
publishDate 2013
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Дослідження метрологічних параметрів датчиків на основі рН-чутливих польових транзисторів
Investigation of metrological parameters of sensors based on the pH-sensitive field effect transistors
description Исследованы полупроводниковые первичные электроды на основе двойных рН-чувствительных полевых транзисторов при работе как в режиме определения величины pH исследуемых растворов, так и в дифференциальном режиме измерения сенсорных откликов. Для измерения откликов реализована упрощенная трехэлектродная конфигурация датчика. Показано, что по параметрам точности, воспроизводимости и стабильности измерений электроды удовлетворяют требованиям типовых применений. Досліджено напівпровідникові первинні електроди на основі подвійних рН-чутливих польових транзисторів при роботі як в режимі визначення величини рH досліджуваних розчинів, так і в диференціальному режимі вимірювання сенсорних відгуків. Для вимірювання відгуків реалізовано спрощену трьохелектродну конфігурацію датчика. Показано, що за параметрами точності, відтворюваності та стабільності вимірювань електроди задовольняють вимогам типових застосувань. Primary semiconductor electrodes based on the dual channel pH-sensitive field effect transistors were investigated to characterize their performance both to determine pH value of test solution and to measure sensor responses in differential mode. The simplified three-lead sensor design has been implemented for these purposes. It is shown that such parameters as accuracy, repeatability and stability of developed sensors satisfy necessary requirements for typical laboratory applications.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56322
citation_txt Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов / А.Л. Кукла, С.В. Лозовой, А.С. Павлюченко, С.Н. Нагибин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 2-3. — С. 61-68. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT kuklaal issledovaniemetrologičeskihparametrovdatčikovnaosnovepnčuvstvitelʹnyhpolevyhtranzistorov
AT lozovoisv issledovaniemetrologičeskihparametrovdatčikovnaosnovepnčuvstvitelʹnyhpolevyhtranzistorov
AT pavlûčenkoas issledovaniemetrologičeskihparametrovdatčikovnaosnovepnčuvstvitelʹnyhpolevyhtranzistorov
AT nagibinsn issledovaniemetrologičeskihparametrovdatčikovnaosnovepnčuvstvitelʹnyhpolevyhtranzistorov
AT kuklaal doslídžennâmetrologíčnihparametrívdatčikívnaosnovírnčutlivihpolʹovihtranzistorív
AT lozovoisv doslídžennâmetrologíčnihparametrívdatčikívnaosnovírnčutlivihpolʹovihtranzistorív
AT pavlûčenkoas doslídžennâmetrologíčnihparametrívdatčikívnaosnovírnčutlivihpolʹovihtranzistorív
AT nagibinsn doslídžennâmetrologíčnihparametrívdatčikívnaosnovírnčutlivihpolʹovihtranzistorív
AT kuklaal investigationofmetrologicalparametersofsensorsbasedonthephsensitivefieldeffecttransistors
AT lozovoisv investigationofmetrologicalparametersofsensorsbasedonthephsensitivefieldeffecttransistors
AT pavlûčenkoas investigationofmetrologicalparametersofsensorsbasedonthephsensitivefieldeffecttransistors
AT nagibinsn investigationofmetrologicalparametersofsensorsbasedonthephsensitivefieldeffecttransistors
first_indexed 2025-12-07T13:09:35Z
last_indexed 2025-12-07T13:09:35Z
_version_ 1850855103872892928