Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2013
• ISSN: 2225-5818
• Hauptverfasser: Дружинин, А.А., Кутраков, А.П., Лях-Кагуй, Н.С., Вуйцик, А.М.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
• Schlagworte: Сенсоэлектроника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56345
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния / А.А. Дружинин, А.П. Кутраков, Н.С. Лях-Кагуй, А.М. Вуйцик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 4. — С. 23-26. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Представлена конструкция датчика давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния р-типа, легированных бором, с удельным сопротивлением 0,005 Ом∙см, который работоспособен в интервале температур от –100 до +200°С и в диапазоне давлений от 0 до 20 МПа. Датчик предназначен для широкой области применений. Представлено конструкцію дататчика тиску-температури на основі ниткоподібних кристалів кремнію р-типу, лелегованих бором, з питомим опором 0,005 Ом∙см, який є працездатним в інтервалі температури від –100 до +200°С і в діапазоні тиску від 0 до 20 МПа. Датчик призначений для широкої області застосувань. The article presents the design of a pressure-temperature sensor based on p-type silicon  whiskers, doped with boron, with a resistivity of 0,005 Ohm∙cm. The sensor is operable in a temperature range from –100 to +200°C and at pressures from 0 to 20 MPa. The sensor is designed for a wide range of applications.