Buchumschlag

Ненакаливаемые катоды на основе углеродных наноструктурированных слоистых структур

Рассмотрены условия формирования и строение пленок алмазоподобных материалов, используемых при изготовлении слоистых ненакаливаемых катодов устройств эмиссионной электроники. Изучены строение и автоэмиссионные свойства слоистых структур с поликластерными пленками алмаза и с алмазоподобными углеродны...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2013
Hauptverfasser:	Белянин, А.Ф., Борисов, В.В., Тимофеев, М.А., Ламский, А.Н.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
Schlagworte:	Технологические процессы и оборудование
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56347
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Ненакаливаемые катоды на основе углеродных наноструктурированных слоистых структур / А.Ф. Белянин, В.В. Борисов, М.А. Тимофеев, А.Н. Ламский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 4. — С. 31-36. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Ненакаливаемые катоды на основе углеродных наноструктурированных слоистых структур
von: Belyanin, A. F., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Формирование наноструктурированных пленок иридия и поликластерного алмаза
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Ударостойкие защитные пленочные покрытия на основе AlN в электронной технике
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶
von: Ткачук, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
von: Борисенко, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Влияние параметров ВЧ-разряда и параметров нагревателя на температуру подложки в плазмохимическом реакторе «Алмаз» для синтеза углеродных алмазоподобных пленок
von: Гладковский, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Получение эффективных катодолюминесцентных структур на базе пленочной технологии
von: Коваленко, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2008)

СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов
von: Григорьянц, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Прибор и методы измерения параметров и степени однородности пленочных структур
von: Макара, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Автоматизированный спектрометр глубоких уровней для исследования полупроводниковых структур
von: Бойко, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами
von: Баранов, В.В.
Veröffentlicht: (2005)

Технологические источники ионов на основе контрагированных разрядов
von: Никитинский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Безадгезивные акустические мембраны на полиимидной основе
von: Воробьев, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Технология изготовления гибких терморезисторов на полиимидной основе
von: Динев, Д.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A₃B₅
von: Александров, С.Б., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Наноструктурированные пленки ZnO для устройств микроэлектроники и оптики
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Источник питания для контактной микросварки с программируемой формой сварочного импульса
von: Паэранд, Ю.Э., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Алгоритм выбора интервала пересчета параметров объектов контроля и управления в АСУ ТП
von: Тыныныка, А.Н
Veröffentlicht: (2016)

Аналитические электронные весы с цифроаналоговым каналом компенсации
von: Липинский, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Макет экспериментальной установки для исследования пространственно-временного интегрирования в акустооптической среде
von: Рудякова, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
von: Турцевич, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором
von: Джангидзе, Л.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Автоматизированная система регистрации циклов при вибрационных испытаниях образца
von: Усов, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Бесконтактный метод определения эффективности термоэлектрических материалов
von: Ащеулов, А.А.
Veröffentlicht: (2009)

Технология и оборудование для обработки алмазных материалов современной электроники
von: Митягин, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Моделирование технологии изготовления субмикронных КМОП СБИС с помощью систем TCAD
von: Глушко, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
von: Голишников, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния
von: Иванчиков, А.Э., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Источник бескапельных плазменных потоков для наноэлектроники
von: Борисенко, А.Г.
Veröffentlicht: (2013)

Диффузия фосфора с применением твердого планарного источника в производстве интегральных схем
von: Шангереева, Б.А.
Veröffentlicht: (2008)

Усовершенствованный метод выявления «горячих точек» в изделиях микроэлектроники
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
von: Дранчук, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Повышение адгезионной прочности никелевых контактов ветвей термоэлектрических модулей
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
von: Загоруйко, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
von: Болтовец, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Метод определения температуры и теплового сопротивления точек поверхности кристалла интегральной схемы
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Измерительно-вычислительный комплекс СМ-100 для характеризации жидкокристаллических дисплеев
von: Сорокин, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)