Система измерения магнитного поля и температуры с цифровой обработкой сигнала
Разработана система измерения индукции магнитного поля и температуры с использованием нитевидных кристаллов кремния р-типа проводимости в качестве первичных преобразователей. Система позволяет в интервале 4,2—77 К производить измерения и магнитного поля, и температуры, а в интервале 100—300 К измеря...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2013 |
| Hauptverfasser: | Дружинин, А.А., Островский, И.П., Ховерко, Ю.Н., Ничкало, С.И., Бережанский, Е.И. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2013
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56365 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Система измерения магнитного поля и температуры с цифровой обработкой сигнала / А.А. Дружинин, И.П. Островский, Ю.Н. Ховерко, С.И. Ничкало, Е.И. Бережанский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 5. — С. 20-23. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Система измерения магнитного поля и температуры с цифровой обработкой сигнала
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Чувствительный элемент двухфункционального сенсора магнитного поля и деформации на основе микрокристаллов Si<B, Ni>
von: Дружинин, А.A., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Дружинин, А.A., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Устройства измерения температуры на основе пленочных термоэлектрических сенсоров
von: Капитанов, Н.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Капитанов, Н.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Датчик для измерения криогенных температур на основе нитевидных кристаллов Si-Ge
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Многофункциональный сенсор с цифровой индикацией
von: Викулин, И.М., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Викулин, И.М., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Распределения температуры анизотропной пластины с учетом ее оптических свойств
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Магнитокоммутируемая микросхема и датчик измерения скорости ветра на ее основе
von: Касимов, Ф.Д., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Касимов, Ф.Д., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Датчики на поверхностных акустических волнах для дистанционного контроля температуры
von: Катаев, В.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Катаев, В.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Оптический датчик температуры на основе нанокристаллической пленки SiC
von: Лопин, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Лопин, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Системы контроля-мониторинга температуры и влажности среды на основе толстых пленок оксишпинелей
von: Вакив, Н.М.
Veröffentlicht: (2010)
von: Вакив, Н.М.
Veröffentlicht: (2010)
Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Первичные преобразователи давления криогенных жидкостей
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Радиационный пирометр с цифровой обработкой результатов промежуточных измерений
von: Кондратов, В.Т., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Кондратов, В.Т., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Получение кремниевых нитевидных нанокристаллов
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Поверхностно-барьерные структуры для ультрафиолетовых сенсоров пламени
von: Бобренко, Ю.Н., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Бобренко, Ю.Н., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Цифровой метод измерения коэффициента направленного отражения поверхности
von: Иванченко, И.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Иванченко, И.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Моделирование отклика CdZnTe- и TlBr-детекторов для регистрации смешанного бета- и гамма-излучения
von: Скрыпник, А.И.
Veröffentlicht: (2015)
von: Скрыпник, А.И.
Veröffentlicht: (2015)
Эффективность сбора зарядов в датчиках γ-излучения с различной конфигурацией электродов
von: Кондрик, А.И.
Veröffentlicht: (2012)
von: Кондрик, А.И.
Veröffentlicht: (2012)
Акустоэлектронные сенсоры газа со слоистыми структурами
von: Лепих, Я.И.
Veröffentlicht: (2005)
von: Лепих, Я.И.
Veröffentlicht: (2005)
Электротепловой элемент сенсоров газа
von: Лепих, Я.И.
Veröffentlicht: (2002)
von: Лепих, Я.И.
Veröffentlicht: (2002)
Детекторные свойства Cd₀,₉Zn₀,₁Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
von: Кондрик, А.И.
Veröffentlicht: (2016)
von: Кондрик, А.И.
Veröffentlicht: (2016)
Датчик давления с тензочувствительным преобразователем на поверхностных акустических волнах
von: Лепих, Я.И.
Veröffentlicht: (2004)
von: Лепих, Я.И.
Veröffentlicht: (2004)
Использование позитронной аннигиляционной спектроскопии для контроля процессов влагопоглощения в нанопористой керамике MgAl₂O₄
von: Клым, Г.И., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Клым, Г.И., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Цифровой вектор-магнитограф. I. Канал продольного поля
von: Гопасюк, С.И., et al.
Veröffentlicht: (1996)
von: Гопасюк, С.И., et al.
Veröffentlicht: (1996)
Інформаційно-вимірювальна система на базі датчиків з тензорезисторами на основі мікрокристалів кремнію
von: Дружинін, А.О., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Дружинін, А.О., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления
von: Марончук, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Марончук, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Измерение размеров микрочастиц оптическим методом с цифровой обработкой картины рассеяния света
von: Кокодий, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Кокодий, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Преобразователь давления с частотным выходом на основе однопереходных тензотранзисторов
von: Бабичев, Г.Г., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Бабичев, Г.Г., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Датчик скорости газового потока
von: Годованюк, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Годованюк, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
von: Воронин, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Воронин, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Методика проектирования элементов прецизионного датчика давления с пневмомеханическим резонатором
von: Черняк, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Черняк, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Ähnliche Einträge
-
Система измерения магнитного поля и температуры с цифровой обработкой сигнала
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2016) -
Чувствительный элемент двухфункционального сенсора магнитного поля и деформации на основе микрокристаллов Si<B, Ni>
von: Дружинин, А.A., et al.
Veröffentlicht: (2017)