Buchumschlag

Микросборка на кремниевой плате для акселерометра

Рассмотрена конструкция и технология микросборки для акселерометра, выполненной на кремниевой плате с тремя уровнями коммутации и тонкопленочными резисторами на обеих ее поверхностях. Розглянуто конструкцію і технологію мікрозборки для акселерометра, виконаної на кремнієвій платі, з трьома рівнями к...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2013
1. Verfasser:	Спирин, В.Г.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
Schlagworte:	Функциональная микро- и наноэлектроника
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56366
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Микросборка на кремниевой плате для акселерометра / В.Г. Спирин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 5. — С. 24-27. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Микросборка на кремниевой плате для акселерометра
von: Spirin, V. G.
Veröffentlicht: (2013)

Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Инфракрасные отрезающие фильтры на основе монокристаллов CdSb, ZnSb для оптофотоэлектронных устройств
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Волоконно-оптические демультиплексоры для систем передачи информации
von: Дементьев, С.Г., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Жидкокристаллические мониторы для авиационной техники
von: Коваленко, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Исследование пленок поликристаллического кремния для применения в фильтровых спектральных приборах
von: Джавадов, Н.Г.
Veröffentlicht: (2005)

СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала
von: Ковальчук, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Координатно-чувствительный детектор заряженных частиц для спектроскопии
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Модель линии передачи для наноэлектроники
von: Нелин, Е.А.
Veröffentlicht: (2009)

Анизотропная термоэлектрическая матрица для регистрации излучения
von: Ащеулов, А.А.
Veröffentlicht: (2007)

Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС
von: Горбань, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Симметричный двухкоординатный фотодиод
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
von: Бобренко, Ю.Н., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Интегральные схемы самосканируемых линейных фотоприемников в интроскопии и томографии
von: Перевертайло, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
von: Добровольский, Ю.Г.
Veröffentlicht: (2012)

Оптический аттенюатор
von: Докторович, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
von: Глауберман, М.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Координатно-чувствительный приемник на основе анизотропного оптико-термоэлемента
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Измерение температуры с использованием оптических датчиков на основе двулучепреломляющих кристаллов
von: Габа, В.М.
Veröffentlicht: (2009)

Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
von: Захарченко, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Акустооптические свойства стекол GexS100–x и акустооптический модулятор на их основе
von: Блецкан, Д.И., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
von: Форш, П.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
von: Рахматов, А.З., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
von: Кудрик, Я.Я.
Veröffentlicht: (2009)

Влияние разброса значений электрических параметров RGB-светодиодов на однородность свечения светодиодных экранов при минимальной градации яркости
von: Велещук, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Анализ влияния способа соединения столбиковых выводов интегральных схем на их сопротивление
von: Готра, З.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
von: Джафарова, Э.А.
Veröffentlicht: (2006)

Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ
von: Ижнин, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
von: Гаркавенко, А.С.
Veröffentlicht: (2011)

Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
von: Добровольский, Ю.Г.
Veröffentlicht: (2006)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs
von: Мелебаев, Д., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
von: Мелебаев, Д., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности
von: Кушниренко, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)