Buchumschlag

Методика расчета параметров УЗ-преобразователей повышенной частоты

Предложена методика расчета параметров полуволновых пакетных УЗ-пьезоизлучателей и ступенчатых волноводов, обладающая погрешностью не более 6—8%, которая может быть достаточно эффективно использована для проектирования ультразвуковых преобразователей различных конструкций в широком диапазоне частот...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2013
Hauptverfasser:	Ланин, В.Л., Петухов, И.Б.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
Schlagworte:	Технологические процессы и оборудование
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56370
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Методика расчета параметров УЗ-преобразователей повышенной частоты / В.Л. Ланин, И.Б. Петухов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 5. — С. 42-46. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Методика расчета параметров УЗ-преобразователей повышенной частоты
von: Lanin, V. L., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Получение соединений повышенной плотности термозвуковой микросваркой в 3D интегральных микросхемах
von: Ланин, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Выбор микропривода механизма зажима и подачи проволоки в установках термозвуковой микросварки
von: Ланин, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Приборное обеспечение измерения параметров ультразвуковых воздействий в технологических процессах
von: Ланин, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
von: Федорович, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Влияние параметров ВЧ-разряда и параметров нагревателя на температуру подложки в плазмохимическом реакторе «Алмаз» для синтеза углеродных алмазоподобных пленок
von: Гладковский, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Статистический анализ и оптимизация параметров технологии изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором
von: Баранов, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Прибор и методы измерения параметров и степени однородности пленочных структур
von: Макара, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Алгоритм выбора интервала пересчета параметров объектов контроля и управления в АСУ ТП
von: Тыныныка, А.Н
Veröffentlicht: (2016)

Получение наноструктурированных пленок AlN и ZnO и их применение в электронной технике
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K₂Cr₂O₇–HBr
von: Павлович, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Математическое моделирование процесса индукционного нагрева составных пьезокерамических преобразователей
von: Гонтовой, С.В.
Veröffentlicht: (1998)

Прочностные свойства соединений, полученных ультразвуковой пайкой
von: Бондарик, В.М., et al.
Veröffentlicht: (1998)

Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
von: Томашик, З.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Метод определения температуры и теплового сопротивления точек поверхности кристалла интегральной схемы
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Устройство для поляризации пьезоэлементов во время пайки составных пьезокерамических преобразователей
von: Гонтовой, С.В.
Veröffentlicht: (1998)

Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором
von: Джангидзе, Л.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Технологические источники ионов на основе контрагированных разрядов
von: Никитинский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Термозвуковая разварка межсоединений золотой проволокой на медных рамках
von: Емельянов, В.А., et al.
Veröffentlicht: (1998)

Высокочувствительная установка для оценки изменения показателя преломления водных растворов
von: Подкамень, Л.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Информационные параметры для реализации адаптивной зарядки вторичных химических источников тока
von: Житник, Н.Е., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Оптимизация струйной технологии изготовления токопроводящих элементов печатных плат
von: Лесюк, Р.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Технологии изготовления фотонных кристаллов
von: Березянский, Б.М.
Veröffentlicht: (2007)

Диффузия фосфора с применением твердого планарного источника в производстве интегральных схем
von: Шангереева, Б.А.
Veröffentlicht: (2008)

Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния
von: Иванчиков, А.Э., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Источник магнитных полей сложной энергочастотной и поляризационной структуры
von: Житник, Н.Е., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Подключающее МЭМС-устройство для контроля BGA-компонентов
von: Невлюдов, И.Ш., et al.
Veröffentlicht: (2012)

СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов
von: Григорьянц, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Ударостойкие защитные пленочные покрытия на основе AlN в электронной технике
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Технология и оборудование для обработки алмазных материалов современной электроники
von: Митягин, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Лазерное текстурирование поверхности предварительно нагретого монокристалла кремния
von: Крапивко, Г.И.
Veröffentlicht: (2005)

Направленная кристаллизация силицидных пленок на кремниевой подложке
von: Белоусов, И.В.
Veröffentlicht: (2007)

Технология изготовления автоэмиссионных кремниевых катодов субмикронных размеров
von: Дружинин, А.A., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶
von: Ткачук, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A₃B₅
von: Александров, С.Б., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Формирование нанопленок Cu, Ag, Au под воздействием атомов водорода
von: Жавжаров, Е.Л., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники
von: Конакова, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Приборно-технологическое моделирование автоэмиссионных кремниевых микрокатодов
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения
von: Будзуляк, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2014)