Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
Разработана технология выращивания двухсторонних высоковольтных кремниевых p—i—n-структур методом жидкофазной эпитаксии в едином технологическом процессе. Электрофизические параметры полученных структур позволяют изготавливать на их основе высоковольтные диоды. Розроблено технологію вирощування двос...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2013 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2013
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56397 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, В.Р. Тимчишин, А.П. Васькив // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 6. — С. 41-45, 57. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862625022312448000 |
|---|---|
| author | Вакив, Н.М. Круковский, С.И. Тимчишин, В.Р. Васькив, А.П. |
| author_facet | Вакив, Н.М. Круковский, С.И. Тимчишин, В.Р. Васькив, А.П. |
| citation_txt | Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, В.Р. Тимчишин, А.П. Васькив // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 6. — С. 41-45, 57. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Разработана технология выращивания двухсторонних высоковольтных кремниевых p—i—n-структур методом жидкофазной эпитаксии в едином технологическом процессе. Электрофизические параметры полученных структур позволяют изготавливать на их основе высоковольтные диоды.
Розроблено технологію вирощування двосторонніх високовольтних кремнієвих p—i—n-структур методом рідиннофазної епітаксії в єдиному технологічному процесі. Електрофізичні параметри отриманих структур дозволяють виготовляти на їх основі високовольтні діоди.
Silicon p—i—n-structures are usually obtained using conventional diffusion method or liquid phase epitaxy (LPE). In both cases, the formation of p- and n-layers occurs in two stages. This technological approach is quite complex. Moreover, when forming bilateral high-voltage epitaxial layers, their parameters significantly deteriorate as a result of prolonged heat treatment of active high-resistivity layer. Besides, when using diffusion method, it is impossible to provide good reproducibility of the process. In this paper a technique of growing bilateral high-voltage silicon p—i—n-structures by LPE in a single process is proposed. The authors have obtained the optimum compounds of silicon-undersaturated molten solutions for highly doped (5•1018 cm–3) contact layers: 0.4—0.8 at. % aluminum in gallium melt for growing p-Si-layers and 0.03—0.15 at. % ytterbium in tin melt for n-Si-layers. Parameters of such structures provide for manufacturing of high-voltage diodes on their basis. Such diodes can be used in navigational equipment, communication systems for household and special purposes, on-board power supply systems, radar systems, medical equipment, etc.
|
| first_indexed | 2025-12-07T13:33:51Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-56397 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T13:33:51Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Вакив, Н.М. Круковский, С.И. Тимчишин, В.Р. Васькив, А.П. 2014-02-17T23:35:13Z 2014-02-17T23:35:13Z 2013 Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, В.Р. Тимчишин, А.П. Васькив // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 6. — С. 41-45, 57. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56397 315.592 Разработана технология выращивания двухсторонних высоковольтных кремниевых p—i—n-структур методом жидкофазной эпитаксии в едином технологическом процессе. Электрофизические параметры полученных структур позволяют изготавливать на их основе высоковольтные диоды. Розроблено технологію вирощування двосторонніх високовольтних кремнієвих p—i—n-структур методом рідиннофазної епітаксії в єдиному технологічному процесі. Електрофізичні параметри отриманих структур дозволяють виготовляти на їх основі високовольтні діоди. Silicon p—i—n-structures are usually obtained using conventional diffusion method or liquid phase epitaxy (LPE). In both cases, the formation of p- and n-layers occurs in two stages. This technological approach is quite complex. Moreover, when forming bilateral high-voltage epitaxial layers, their parameters significantly deteriorate as a result of prolonged heat treatment of active high-resistivity layer. Besides, when using diffusion method, it is impossible to provide good reproducibility of the process. In this paper a technique of growing bilateral high-voltage silicon p—i—n-structures by LPE in a single process is proposed. The authors have obtained the optimum compounds of silicon-undersaturated molten solutions for highly doped (5•1018 cm–3) contact layers: 0.4—0.8 at. % aluminum in gallium melt for growing p-Si-layers and 0.03—0.15 at. % ytterbium in tin melt for n-Si-layers. Parameters of such structures provide for manufacturing of high-voltage diodes on their basis. Such diodes can be used in navigational equipment, communication systems for household and special purposes, on-board power supply systems, radar systems, medical equipment, etc. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технологические процессы и оборудование Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ Отримання двосторонніх високовольтних епітаксійних кремнієвих p—i—n-структур методом РФЕ Obtaining of bilateral high voltage epitaxial p—i—n Si structures by LPE method Article published earlier |
| spellingShingle | Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ Вакив, Н.М. Круковский, С.И. Тимчишин, В.Р. Васькив, А.П. Технологические процессы и оборудование |
| title | Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ |
| title_alt | Отримання двосторонніх високовольтних епітаксійних кремнієвих p—i—n-структур методом РФЕ Obtaining of bilateral high voltage epitaxial p—i—n Si structures by LPE method |
| title_full | Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ |
| title_fullStr | Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ |
| title_full_unstemmed | Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ |
| title_short | Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ |
| title_sort | получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом жфэ |
| topic | Технологические процессы и оборудование |
| topic_facet | Технологические процессы и оборудование |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56397 |
| work_keys_str_mv | AT vakivnm polučeniedvuhstoronnihvysokovolʹtnyhépitaksialʹnyhkremnievyhpinstrukturmetodomžfé AT krukovskiisi polučeniedvuhstoronnihvysokovolʹtnyhépitaksialʹnyhkremnievyhpinstrukturmetodomžfé AT timčišinvr polučeniedvuhstoronnihvysokovolʹtnyhépitaksialʹnyhkremnievyhpinstrukturmetodomžfé AT vasʹkivap polučeniedvuhstoronnihvysokovolʹtnyhépitaksialʹnyhkremnievyhpinstrukturmetodomžfé AT vakivnm otrimannâdvostoronníhvisokovolʹtnihepítaksíinihkremníêvihpinstrukturmetodomrfe AT krukovskiisi otrimannâdvostoronníhvisokovolʹtnihepítaksíinihkremníêvihpinstrukturmetodomrfe AT timčišinvr otrimannâdvostoronníhvisokovolʹtnihepítaksíinihkremníêvihpinstrukturmetodomrfe AT vasʹkivap otrimannâdvostoronníhvisokovolʹtnihepítaksíinihkremníêvihpinstrukturmetodomrfe AT vakivnm obtainingofbilateralhighvoltageepitaxialpinsistructuresbylpemethod AT krukovskiisi obtainingofbilateralhighvoltageepitaxialpinsistructuresbylpemethod AT timčišinvr obtainingofbilateralhighvoltageepitaxialpinsistructuresbylpemethod AT vasʹkivap obtainingofbilateralhighvoltageepitaxialpinsistructuresbylpemethod |