Зображення обкладинки

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ

Разработана технология выращивания двухсторонних высоковольтных кремниевых p—i—n-структур методом жидкофазной эпитаксии в едином технологическом процессе. Электрофизические параметры полученных структур позволяют изготавливать на их основе высоковольтные диоды. Розроблено технологію вирощування двос...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:	2013
Автори:	Вакив, Н.М., Круковский, С.И., Тимчишин, В.Р., Васькив, А.П.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
Теми:	Технологические процессы и оборудование
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56397
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, В.Р. Тимчишин, А.П. Васькив // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 6. — С. 41-45, 57. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2013)

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
за авторством: Борисенко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2005)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2010)

Получение эффективных катодолюминесцентных структур на базе пленочной технологии
за авторством: Коваленко, Л.Ф., та інші
Опубліковано: (2008)

Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶
за авторством: Ткачук, А.И., та інші
Опубліковано: (2007)

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)

Приборно-технологическое моделирование автоэмиссионных кремниевых микрокатодов
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2008)

Технология изготовления автоэмиссионных кремниевых катодов субмикронных размеров
за авторством: Дружинин, А.A., та інші
Опубліковано: (2007)

Получение высокоомных тонкопленочных конденсатов методом ионно-плазменного распыления
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (1998)

Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Федорович, О.А., та інші
Опубліковано: (2009)

Сравнительный анализ технологий изготовления кремниевых схем считывания информации с ИК-фотодиодов
за авторством: Рева, В.П., та інші
Опубліковано: (2007)

Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2002)

Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
за авторством: Венгер, Е.Ф., та інші
Опубліковано: (2014)

Получение соединений повышенной плотности термозвуковой микросваркой в 3D интегральных микросхемах
за авторством: Ланин, В.Л., та інші
Опубліковано: (2014)

Автоматизированный спектрометр глубоких уровней для исследования полупроводниковых структур
за авторством: Бойко, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2007)

Ненакаливаемые катоды на основе углеродных наноструктурированных слоистых структур
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2013)

Получение тонких пленок Si₃N₄ при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм
за авторством: Наливайко, О.Ю., та інші
Опубліковано: (2012)

СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов
за авторством: Григорьянц, В.В., та інші
Опубліковано: (2005)

Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами
за авторством: Баранов, В.В.
Опубліковано: (2005)

Прибор и методы измерения параметров и степени однородности пленочных структур
за авторством: Макара, В.А., та інші
Опубліковано: (2009)

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
за авторством: Болтовец, Н.С., та інші
Опубліковано: (2009)

Испаритель для термического напыления материалов в вакууме
за авторством: Босый, В.И., та інші
Опубліковано: (2008)

Автоматизированная система регистрации циклов при вибрационных испытаниях образца
за авторством: Усов, В.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения
за авторством: Будзуляк, С.И., та інші
Опубліковано: (2014)

Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
за авторством: Томашик, З.Ф., та інші
Опубліковано: (2013)

Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
за авторством: Kurmashev, Sh. D., та інші
Опубліковано: (2014)

Новое технологическое оборудование для инновационных технологий микро-, нано- и радиоэлектроники
за авторством: Одиноков, В.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Технологические источники ионов на основе контрагированных разрядов
за авторством: Никитинский, В.А., та інші
Опубліковано: (2006)

Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники
за авторством: Конакова, Р.В., та інші
Опубліковано: (2010)

Особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2018)

Технологии изготовления фотонных кристаллов
за авторством: Березянский, Б.М.
Опубліковано: (2007)

Оптимизация струйной технологии изготовления токопроводящих элементов печатных плат
за авторством: Лесюк, Р.И., та інші
Опубліковано: (2010)

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
за авторством: Новосядлый, С.П., та інші
Опубліковано: (2009)

Аналитические электронные весы с цифроаналоговым каналом компенсации
за авторством: Липинский, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2005)

Лазерное текстурирование поверхности предварительно нагретого монокристалла кремния
за авторством: Крапивко, Г.И.
Опубліковано: (2005)

Источник бескапельных плазменных потоков для наноэлектроники
за авторством: Борисенко, А.Г.
Опубліковано: (2013)

Технология изготовления гибких терморезисторов на полиимидной основе
за авторством: Динев, Д.А., та інші
Опубліковано: (2013)

Безадгезивные акустические мембраны на полиимидной основе
за авторством: Воробьев, А.В., та інші
Опубліковано: (2014)

Метод определения температуры и теплового сопротивления точек поверхности кристалла интегральной схемы
за авторством: Попов, В.М., та інші
Опубліковано: (2011)

Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering
за авторством: Litvinenko, V.N., та інші
Опубліковано: (2019)