Изучение адсорбционных состояний в керамике ZnO—Ag методом ТВЭ-кривых

Приведены результаты экспериментальных исследований поверхностных электронных состояний, обусловленных адсорбцией газов на поверхности газочувствительной керамики ZnO—Ag, методом термовакуумных кривых электропроводности. Исследования проводились в интервале температур 300—800 К. Предложена модель, п...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:2013
Автор: Ляшков, А.Ю.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56398
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Изучение адсорбционных состояний в керамике ZnO—Ag методом ТВЭ-кривых / А.Ю. Ляшков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 6. — С. 46-51. — Бібліогр.: 30 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-56398
record_format dspace
spelling Ляшков, А.Ю.
2014-02-17T23:44:11Z
2014-02-17T23:44:11Z
2013
Изучение адсорбционных состояний в керамике ZnO—Ag методом ТВЭ-кривых / А.Ю. Ляшков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 6. — С. 46-51. — Бібліогр.: 30 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56398
621.315.592: 533.583.2
Приведены результаты экспериментальных исследований поверхностных электронных состояний, обусловленных адсорбцией газов на поверхности газочувствительной керамики ZnO—Ag, методом термовакуумных кривых электропроводности. Исследования проводились в интервале температур 300—800 К. Предложена модель, позволяющая оценить глубину залегания уровня Ферми в неоднородных полупроводниковых материалах.
Наведено результати експериментальних досліджень поверхневих електронних станів, обумовлених адсорбцією газів на поверхні газочутливої кераміки ZnO—Ag, методом термовакуумних кривих електропровідності. Дослідження проводилися в температурному інтервалі 300—800 К. Запропоновано модель, що дозволяє оцінити глибину залягання рівня Фермі в неоднорідних напівпровідникових матеріалах.
The ZnO—Ag ceramic system as the material for semiconductor sensors of ethanol vapors was proposed quite a long time ago. The main goal of this work was to study surface electron states of this system and their relation with the electric properties of the material. The quantity of doping with Ag₂O was changed in the range of 0,1–2,0% of mass. The increase of the Ag doping leads to a shift of the Fermi level down (closer to the valence zone). The paper presents research results on electrical properties of ZnO-Ag ceramics using the method of thermal vacuum curves of electrical conductivity. Changes in the electrical properties during heating in vacuum in the temperature range of 300—800 K were obtained and discussed. The increase of Tvac leads to removal of oxygen from the surface of samples The oxygen is adsorbed in the form of O₂⁻ and O⁻ ions and is the acceptor for ZnO. This results in the lowering of the inter-crystallite potential barriers in the ceramic. The surface electron states (SES) above the Fermi level are virtually uncharged. The increase of the conductivity causes desorption of oxygen from the SES settled below the Fermi level of the semiconductor. The model allows evaluating the depth of the Fermi level in the inhomogeneous semiconductor materials.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Материалы электроники
Изучение адсорбционных состояний в керамике ZnO—Ag методом ТВЭ-кривых
Вивчення адсорбційних станів у кераміці ZnO—Ag методом ТВЕ-кривих
Study of adsorption states in ZnO—Ag gas-sensitive ceramics using the ECTV curves method
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Изучение адсорбционных состояний в керамике ZnO—Ag методом ТВЭ-кривых
spellingShingle Изучение адсорбционных состояний в керамике ZnO—Ag методом ТВЭ-кривых
Ляшков, А.Ю.
Материалы электроники
title_short Изучение адсорбционных состояний в керамике ZnO—Ag методом ТВЭ-кривых
title_full Изучение адсорбционных состояний в керамике ZnO—Ag методом ТВЭ-кривых
title_fullStr Изучение адсорбционных состояний в керамике ZnO—Ag методом ТВЭ-кривых
title_full_unstemmed Изучение адсорбционных состояний в керамике ZnO—Ag методом ТВЭ-кривых
title_sort изучение адсорбционных состояний в керамике zno—ag методом твэ-кривых
author Ляшков, А.Ю.
author_facet Ляшков, А.Ю.
topic Материалы электроники
topic_facet Материалы электроники
publishDate 2013
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Вивчення адсорбційних станів у кераміці ZnO—Ag методом ТВЕ-кривих
Study of adsorption states in ZnO—Ag gas-sensitive ceramics using the ECTV curves method
description Приведены результаты экспериментальных исследований поверхностных электронных состояний, обусловленных адсорбцией газов на поверхности газочувствительной керамики ZnO—Ag, методом термовакуумных кривых электропроводности. Исследования проводились в интервале температур 300—800 К. Предложена модель, позволяющая оценить глубину залегания уровня Ферми в неоднородных полупроводниковых материалах. Наведено результати експериментальних досліджень поверхневих електронних станів, обумовлених адсорбцією газів на поверхні газочутливої кераміки ZnO—Ag, методом термовакуумних кривих електропровідності. Дослідження проводилися в температурному інтервалі 300—800 К. Запропоновано модель, що дозволяє оцінити глибину залягання рівня Фермі в неоднорідних напівпровідникових матеріалах. The ZnO—Ag ceramic system as the material for semiconductor sensors of ethanol vapors was proposed quite a long time ago. The main goal of this work was to study surface electron states of this system and their relation with the electric properties of the material. The quantity of doping with Ag₂O was changed in the range of 0,1–2,0% of mass. The increase of the Ag doping leads to a shift of the Fermi level down (closer to the valence zone). The paper presents research results on electrical properties of ZnO-Ag ceramics using the method of thermal vacuum curves of electrical conductivity. Changes in the electrical properties during heating in vacuum in the temperature range of 300—800 K were obtained and discussed. The increase of Tvac leads to removal of oxygen from the surface of samples The oxygen is adsorbed in the form of O₂⁻ and O⁻ ions and is the acceptor for ZnO. This results in the lowering of the inter-crystallite potential barriers in the ceramic. The surface electron states (SES) above the Fermi level are virtually uncharged. The increase of the conductivity causes desorption of oxygen from the SES settled below the Fermi level of the semiconductor. The model allows evaluating the depth of the Fermi level in the inhomogeneous semiconductor materials.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56398
citation_txt Изучение адсорбционных состояний в керамике ZnO—Ag методом ТВЭ-кривых / А.Ю. Ляшков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 6. — С. 46-51. — Бібліогр.: 30 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT lâškovaû izučenieadsorbcionnyhsostoâniivkeramikeznoagmetodomtvékrivyh
AT lâškovaû vivčennâadsorbcíinihstanívukeramícíznoagmetodomtvekrivih
AT lâškovaû studyofadsorptionstatesinznoaggassensitiveceramicsusingtheectvcurvesmethod
first_indexed 2025-12-07T18:32:36Z
last_indexed 2025-12-07T18:32:36Z
_version_ 1850875425884995584