Яцунский, И. (2013). Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Яцунский, И.Р. Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2013.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Яцунский, И.Р. Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2013.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.