Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
Для получения микро- и наноструктур пористого кремния предлагается использовать метод неэлектролитического травления MacEtch (metal assisted chemical etching). Представлены результаты исследования морфологии структур, полученных при разных параметрах процессов осаждения и травления, и показана возмо...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2013 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2013
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56399 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch / И.Р. Яцунский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 6. — С. 52-56. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
за авторством: Iatsunskyi, I. R.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Iatsunskyi, I. R.
Опубліковано: (2013)
Получение и свойства пористого карбида кремния
за авторством: Светличная, Л.А., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Светличная, Л.А., та інші
Опубліковано: (2005)
Obtaining porous silicon suitable for sensor technology using MacEtch nonelectrolytic etching
за авторством: I. R. Jatsunskij
Опубліковано: (2013)
за авторством: I. R. Jatsunskij
Опубліковано: (2013)
Исследование влияни кислорода на скорость и анизотропию глубинного травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитним полем
за авторством: Гладковский, В.В., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Гладковский, В.В., та інші
Опубліковано: (2017)
Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
за авторством: Смынтына, В.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Смынтына, В.А., та інші
Опубліковано: (2011)
Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
за авторством: Кулинич, О.А., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Кулинич, О.А., та інші
Опубліковано: (2008)
Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления
за авторством: Дяденчук, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Дяденчук, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2014)
Способ электродугового восстановления кремния
за авторством: Соловьев, О.В., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Соловьев, О.В., та інші
Опубліковано: (2005)
Взаимодействие атомарного водорода с поверхностью монокристаллов кремния
за авторством: Жавжаров, Е.Л., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Жавжаров, Е.Л., та інші
Опубліковано: (2006)
Получение оптически однородных монокристаллов ниобата лития больших размеров
за авторством: Сольский, И.М., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Сольский, И.М., та інші
Опубліковано: (2005)
Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
за авторством: Наливайко, О.Ю., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Наливайко, О.Ю., та інші
Опубліковано: (2009)
Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si»
за авторством: Кулинич, О.А., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Кулинич, О.А., та інші
Опубліковано: (2012)
Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
за авторством: Попов, В.М., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Попов, В.М., та інші
Опубліковано: (2009)
Газоанализаторы на основе пористого карбида кремния
за авторством: Moskovchenko, N. N., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Moskovchenko, N. N., та інші
Опубліковано: (2006)
Масс-спектрометрическое определение компонентов желчи методом DIOS с использованием модифицированного пористого кремния
за авторством: Севериновская, О.В., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Севериновская, О.В., та інші
Опубліковано: (2010)
Получение ультрадисперсного кристаллического карбида кремния методом плазмодинамического синтеза
за авторством: Сивков, А.А., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Сивков, А.А., та інші
Опубліковано: (2013)
Устойчивость к окислению и модифицирование винилсиланами пористого кремния
за авторством: Барабаш, Р.Н., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Барабаш, Р.Н., та інші
Опубліковано: (2006)
Химическое модифицирование поверхности пористого кремния группами полиоксиэтилированных спиртов
за авторством: Суворова, А.О., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Суворова, А.О., та інші
Опубліковано: (2011)
Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2009)
Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
за авторством: Голишников, А.А., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Голишников, А.А., та інші
Опубліковано: (2014)
Изучение адсорбционных состояний в керамике ZnO—Ag методом ТВЭ-кривых
за авторством: Ляшков, А.Ю.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ляшков, А.Ю.
Опубліковано: (2013)
Свойства металлических контактов на пленках TiO₂, изготовленных методом реактивного магнетронного распыления
за авторством: Брус, В.В., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Брус, В.В., та інші
Опубліковано: (2010)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2014)
Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
за авторством: Golishnikov, А. А., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Golishnikov, А. А., та інші
Опубліковано: (2014)
Масс-спектрометрическое изучение адсорбции гистамина и аргинина на различных видах поверхности пористого кремния методом лазерной десорбционной ионизации
за авторством: Шмыголь, И.В., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Шмыголь, И.В., та інші
Опубліковано: (2007)
Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов
за авторством: Turtsevich, A. S.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Turtsevich, A. S.
Опубліковано: (2008)
Исследование упругости пористого титана акустическим неразрушающим методом
за авторством: Вдовиченко, А.В., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Вдовиченко, А.В., та інші
Опубліковано: (2008)
Оптические параметры нанокомпозитных плёнок пористого оксида алюминия c квантовыми точками кремния или германия
за авторством: Ушенин, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ушенин, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2013)
Получение кремния электродным восстановлением продуктов пиролиза рисовой лузги
за авторством: Марончук, И.Е., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Марончук, И.Е., та інші
Опубліковано: (2003)
Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор)
за авторством: Охрименко, О.Б.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Охрименко, О.Б.
Опубліковано: (2012)
Молекулярная модель и химическая связь теллура
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2010)
Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe
за авторством: Мостовой, А.И., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Мостовой, А.И., та інші
Опубліковано: (2013)
Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения
за авторством: Старжинский, Н.Г., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Старжинский, Н.Г., та інші
Опубліковано: (2009)
Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2008)
Влагоустойчивость транзисторов в пластмассовых корпусах на основе эпоксинаволачных смол
за авторством: Ануфриев, Л.П., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Ануфриев, Л.П., та інші
Опубліковано: (2001)
Использование керамики на основе твердых растворов (Ni, Co, Mn, Cu)₃O₄для толстопленочных терморезисторов
за авторством: Шпотюк, О.И., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Шпотюк, О.И., та інші
Опубліковано: (2002)
Химическая связь сурьмы. Технологические аспекты
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x
за авторством: Трубаева, O.Г., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Трубаева, O.Г., та інші
Опубліковано: (2018)
Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe₁₋x
за авторством: Трубаєва, О.Г., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Трубаєва, О.Г., та інші
Опубліковано: (2018)
Структура полимерных композитов на основе диоксида ванадия и их диэлектрические свойства в диапазоне радиочастот
за авторством: Колбунов, В.Р., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Колбунов, В.Р., та інші
Опубліковано: (2015)