Buchumschlag

Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch

Для получения микро- и наноструктур пористого кремния предлагается использовать метод неэлектролитического травления MacEtch (metal assisted chemical etching). Представлены результаты исследования морфологии структур, полученных при разных параметрах процессов осаждения и травления, и показана возмо...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2013
1. Verfasser:	Яцунский, И.Р.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
Schlagworte:	Материалы электроники
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56399
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch / И.Р. Яцунский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 6. — С. 52-56. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
von: Iatsunskyi, I. R.
Veröffentlicht: (2013)

Получение и свойства пористого карбида кремния
von: Светличная, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Obtaining porous silicon suitable for sensor technology using MacEtch nonelectrolytic etching
von: I. R. Jatsunskij
Veröffentlicht: (2013)

Исследование влияни кислорода на скорость и анизотропию глубинного травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитним полем
von: Гладковский, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
von: Смынтына, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
von: Кулинич, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления
von: Дяденчук, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Способ электродугового восстановления кремния
von: Соловьев, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Взаимодействие атомарного водорода с поверхностью монокристаллов кремния
von: Жавжаров, Е.Л., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Получение оптически однородных монокристаллов ниобата лития больших размеров
von: Сольский, И.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
von: Наливайко, О.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si»
von: Кулинич, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Газоанализаторы на основе пористого карбида кремния
von: Moskovchenko, N. N., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Масс-спектрометрическое определение компонентов желчи методом DIOS с использованием модифицированного пористого кремния
von: Севериновская, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Получение ультрадисперсного кристаллического карбида кремния методом плазмодинамического синтеза
von: Сивков, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Устойчивость к окислению и модифицирование винилсиланами пористого кремния
von: Барабаш, Р.Н., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Химическое модифицирование поверхности пористого кремния группами полиоксиэтилированных спиртов
von: Суворова, А.О., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Изучение адсорбционных состояний в керамике ZnO—Ag методом ТВЭ-кривых
von: Ляшков, А.Ю.
Veröffentlicht: (2013)

Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
von: Голишников, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Свойства металлических контактов на пленках TiO₂, изготовленных методом реактивного магнетронного распыления
von: Брус, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
von: Golishnikov, А. А., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Масс-спектрометрическое изучение адсорбции гистамина и аргинина на различных видах поверхности пористого кремния методом лазерной десорбционной ионизации
von: Шмыголь, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов
von: Turtsevich, A. S.
Veröffentlicht: (2008)

Исследование упругости пористого титана акустическим неразрушающим методом
von: Вдовиченко, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Оптические параметры нанокомпозитных плёнок пористого оксида алюминия c квантовыми точками кремния или германия
von: Ушенин, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Получение кремния электродным восстановлением продуктов пиролиза рисовой лузги
von: Марончук, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор)
von: Охрименко, О.Б.
Veröffentlicht: (2012)

Молекулярная модель и химическая связь теллура
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe
von: Мостовой, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения
von: Старжинский, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Влагоустойчивость транзисторов в пластмассовых корпусах на основе эпоксинаволачных смол
von: Ануфриев, Л.П., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Использование керамики на основе твердых растворов (Ni, Co, Mn, Cu)₃O₄для толстопленочных терморезисторов
von: Шпотюк, О.И., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Химическая связь сурьмы. Технологические аспекты
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x
von: Трубаева, O.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe₁₋x
von: Трубаєва, О.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Структура полимерных композитов на основе диоксида ванадия и их диэлектрические свойства в диапазоне радиочастот
von: Колбунов, В.Р., et al.
Veröffentlicht: (2015)