Рецензенты номера
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2013 |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2013
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56401 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Рецензенты номера // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 6. — С. 56. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-56401 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
2014-02-17T23:51:25Z 2014-02-17T23:51:25Z 2013 Рецензенты номера // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 6. — С. 56. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56401 ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Рецензенты номера Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Рецензенты номера |
| spellingShingle |
Рецензенты номера |
| title_short |
Рецензенты номера |
| title_full |
Рецензенты номера |
| title_fullStr |
Рецензенты номера |
| title_full_unstemmed |
Рецензенты номера |
| title_sort |
рецензенты номера |
| publishDate |
2013 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56401 |
| fulltext |
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2013, ¹ 6
56
МАТЕРИАЛЫ ЭЛЕКТРОНИКИ
5. Ben-Chorin M., Kux A. Adsorbate effects on
photoluminescence and electrical conductivity of porous
silicon, Appl. Phys. Lett., 1994, no 64, pp. 481-483. DOI:
10.1063/1.111136
6. Galeazzo E., Peres H.E.M., Santos G. Gas sensitive
porous silicon devices: Responses to organic vapors, Sens.
Actuat. B., 2003, no 93, pp. 384—390. DOI: 10.1016/S0925-
4005(03)00200-4
7. Barillaro G., Diligenti A., Nannini A., Strambini L.
Low-concentration NO2 detection with an adsorption porous
silicon FET, IEEE Sensors. J., 2006, no 6, pp. 19-23. DOI:
10.1109/JSEN.2005.859360
8. Pavlenko N. N., Yatsunskyi I. R., Smyntyna V. A.,
Myndrul V. B., Kanevskaya O. S. [Applying of porous silicon
obtained by metal-assisted chemical etching in sensors and
microelectronics] Proc. of the 14th International scientific-
practical conference “Modern information and electronic
technologies”, 2013, pp. 214-216. (in Russian)
9. Smyntyna V, Iatsunskyi I., Sviridova O., Pav lenko
N. Photoluminescence properties of nanostructured silicon
fabricated by metal-assisted chemical etching, Frontiers in
Optics Conference, 2012, OSA Technical Digest (online),
paper FTu1A.6.
10. Balasundaram K., Sadhu J.S., Shin J.C. Porosity
control in metal-assisted chemical etching of degenerately
doped silicon nanowires, Nanotechnology, 2012, vol. 23, no 30,
pp. 305304-305311. DOI: 10.1088/0957-4484/23/30/305304
11. Harada Y., Li X., Bohn P.W., Nuzzo R.G. Catalytic
amplification of the soft lithographic patterning of Si.
Nonelectrochemical orthogonal fabrication of photoluminescent
porous Si pixel arrays, Journal of the American Chemical
Society, 2001, vol. 123, no 36, pp. 8709-8717.
12. Huang Z., Geyer N., Werner P. et al. Metal-assisted
chemical etching of silicon: a review, Mendeley, 2011, no 23,
pp. 285-308.
13. Iatsunskyi I.R., Smyntyna V.A., Pavlenko N.N.
Ammonia detection using optical reflectance from porous
silicon formed by metal-assisted chemical etching, Proceedings
of SPIE “Defense + Security”, vol. 8901A, Germany,
Dresden, 2013, paper 8901-20. DOI: 10.1117/12.2028497
Р Е Ö Е Н З Е Н Т Ы Н О М Е Р А
Белявский Евгений Данилович, дîêò. фèз.-мàò. íàóê, ïðîфåññîð, НÒÓÓ «Êèåâñêèé
ïîëèòåõíèчåñêèé èíñòèòóò»
Болтовец Николай Силович, êàíд. фèз.-мàò. íàóê, íàчàëьíèê îòдåëà, НИИ
«Оðèîí», ã. Êèåâ
Дружинин Анатолий Александрович, дîêò. òåõí. íàóê, ïðîфåññîð, Нàцèîíàëьíыé
óíèâåðñèòåò «Льâîâñêàÿ ïîëèòåõíèêà»
Костылёв Виталий Петрович, êàíд. фèз.-мàò. íàóê, ñòàðшèé íàóчíыé ñîòðóдíèê,
Иíñòèòóò фèзèêè ïîëóïðîâîдíèêîâ èм. В. Е. Лàшêàð¸âà НАНÓ, ã. Êèåâ
Кудрик Ярослав Ярославович, êàíд. òåõí. íàóê, ñòàðшèé íàóчíыé ñîòðóдíèê,
Иíñòèòóò фèзèêè ïîëóïðîâîдíèêîâ èм. В. Е. Лàшêàðåâà НАНÓ, ã. Êèåâ
Пелещак Роман Михайлович, дîêò. фèз.-мàò. íàóê, зàâåдóющèé êàфåдðîé,
Äðîãîбычñêèé ãîñóдàðñòâåííыé ïåдàãîãèчåñêèé óíâåðñèòåò èм. И.Фðàíêî
Петлицкий Александр Николаевич, êàíд. фèз.-мàò. íàóê, íàчàëьíèê ëàбîðîòîðèè,
Фèëèàë НÒЦ «Бåëмèêðîñèñòåмы» ОАО «ИНÒЕГРАЛ», ã. Мèíñê
Пилипенко Владимир Александрович, дîêò. òåõí. íàóê, зàмåñòèòåëь дèðåêòîðà,
Фèëèàë НÒЦ «Бåëмèêðîñèñòåмы» ОАО «ИНÒЕГРАЛ», ã. Мèíñê
Цопа Александр Иванович, дîêò. òåõí. íàóê, ñòàðшèé íàóчíыé ñîòðóдíèê,
Õàðьêîâñêèé íàцèîíàëьíыé óíèâåðñèòåò ðàдèîýëåêòðîíèêè
Шинкаренко Владимир Викторович, êàíд. фèз.-мàò. íàóê, ñòàðшèé íàóчíыé ñî-
òðóдíèê, Иíñòèòóò фèзèêè ïîëóïðîâîдíèêîâ èм. В. Е. Лàшêàð¸âà НАНÓ,
ã. Êèåâ
Dzvonkovskaya A., Dr. Sc., research scientist, Hamburg University of Technology
Kabakchiev H., Dr. Habil, professor, Sofia University «St. Kliment Ohridski»
Misiurewicz J., Dr. Sc., Warsaw University of Technology
Pasternak M., professor, Military University of Technology, Warsaw
Pietrasiński J., Ph. D., Head of Remote Sensing Division, Military University of
Technology, Warsaw
|
| citation_txt |
Рецензенты номера // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 6. — С. 56. — рос. |
| first_indexed |
2025-11-27T01:11:03Z |
| last_indexed |
2025-11-27T01:11:03Z |
| _version_ |
1850790320232464384 |