Отрицательное магнитосопротивление в p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn, индуцированное высоким давлением

• Дата: 2009
• Автори: Моллаев, А.Ю., Камилов, И.К., Арсланов, Р.К., Залибеков, У.З., Арсланов, Т.Р., Новоторцев, В.М., Маренкин, С.Ф.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2009
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/5977
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Отрицательное магнитосопротивление в p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn, индуцированное высоким давлением / А.Ю. Моллаев, И.К. Камилов, Р.К. Арсланов, У.З. Залибеков, Т.Р. Арсланов, В.М. Новоторцев, С.Ф. Маренкин // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 2. — С. 99-102. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

В p-InAs (RH = 22.5 cm3/C, ρ = 0.15 Ω cm) и в новом ферромагнитном материале p-CdGeAs2 (RH = 5 cm3/C, ρ = 0.62 Ω cm), легированном магнитной примесью (Mn), измерены удельное электросопротивление ρ, коэффициент Холла RH и поперечное магнитосопротивление Δρxx/ρ0 при высоком гидростатическом давлении до P ≤ 9 GPa в области комнатных температур. На зависимостях Δρxx/ρ0(P, H) в p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn обнаружен магниторезистивный эффект. У p-InAs (RH = 22.5 cm3/C, ρ = 0.15 Ω cm) і новому феромагнітному матеріалі p-CdGeAs2 (RH = 5 cm3/C, ρ = 0.62 Ω cm), легованому магнітною домішкою (Mn), зміряно питомий електроопір ρ, коефіцієнт Хола RH і поперечний магнітоопір Δρxx/ρ0 при високому гідростатичному тиску до P ≤ 9 GPa в області кімнатних температур. На залежностях Δρxx/ρ0(P, H) у p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn виявлено магніторезистивний ефект. In p-InAs (RH = 22.5 cm3/C, ρ = 0.15 Ω·cm) and in a new ferromagnetic material p-CdGeAs2 (RH = 5 cm3/C, ρ = 0.62 Ω⋅cm), alloyed with the magnetic impurity (Mn) the specific electroresistance ρ, Hall coefficient RH and transverse magnetoresistance Δρxx/ρ0 have been measured at high hydrostatic pressure to P ≤ 9 GPa in the region of room temperatures. On dependences Δρxx/ρ0(P, H) for p-InAs:Mn and p-CdGeAs2:Mn the magnetoresistance has been detected.