Отрицательное магнитосопротивление в p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn, индуцированное высоким давлением

В p-InAs (RH = 22.5 cm3/C, ρ = 0.15 Ω cm) и в новом ферромагнитном материале p-CdGeAs2 (RH = 5 cm3/C, ρ = 0.62 Ω cm), легированном магнитной примесью (Mn), измерены удельное электросопротивление ρ, коэффициент Холла RH и поперечное магнитосопротивление Δρxx/ρ0 при высоком гидростатическом давлении д...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2009
Hauptverfasser: Моллаев, А.Ю., Камилов, И.К., Арсланов, Р.К., Залибеков, У.З., Арсланов, Т.Р., Новоторцев, В.М., Маренкин, С.Ф.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2009
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/5977
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Отрицательное магнитосопротивление в p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn, индуцированное высоким давлением / А.Ю. Моллаев, И.К. Камилов, Р.К. Арсланов, У.З. Залибеков, Т.Р. Арсланов, В.М. Новоторцев, С.Ф. Маренкин // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 2. — С. 99-102. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:В p-InAs (RH = 22.5 cm3/C, ρ = 0.15 Ω cm) и в новом ферромагнитном материале p-CdGeAs2 (RH = 5 cm3/C, ρ = 0.62 Ω cm), легированном магнитной примесью (Mn), измерены удельное электросопротивление ρ, коэффициент Холла RH и поперечное магнитосопротивление Δρxx/ρ0 при высоком гидростатическом давлении до P ≤ 9 GPa в области комнатных температур. На зависимостях Δρxx/ρ0(P, H) в p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn обнаружен магниторезистивный эффект.