Отрицательное магнитосопротивление в p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn, индуцированное высоким давлением

Отрицательное магнитосопротивление в p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn, индуцированное высоким давлением

В p-InAs (RH = 22.5 cm3/C, ρ = 0.15 Ω cm) и в новом ферромагнитном материале p-CdGeAs2 (RH = 5 cm3/C, ρ = 0.62 Ω cm), легированном магнитной примесью (Mn), измерены удельное электросопротивление ρ, коэффициент Холла RH и поперечное магнитосопротивление Δρxx/ρ0 при высоком гидростатическом давлении д...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2009
Hauptverfasser: Моллаев, А.Ю., Камилов, И.К., Арсланов, Р.К., Залибеков, У.З., Арсланов, Т.Р., Новоторцев, В.М., Маренкин, С.Ф.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2009
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/5977
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Отрицательное магнитосопротивление в p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn, индуцированное высоким давлением / А.Ю. Моллаев, И.К. Камилов, Р.К. Арсланов, У.З. Залибеков, Т.Р. Арсланов, В.М. Новоторцев, С.Ф. Маренкин // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 2. — С. 99-102. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-5977
record_format dspace
spelling Моллаев, А.Ю.
Камилов, И.К.
Арсланов, Р.К.
Залибеков, У.З.
Арсланов, Т.Р.
Новоторцев, В.М.
Маренкин, С.Ф.
2010-02-12T17:53:31Z
2010-02-12T17:53:31Z
2009
Отрицательное магнитосопротивление в p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn, индуцированное высоким давлением / А.Ю. Моллаев, И.К. Камилов, Р.К. Арсланов, У.З. Залибеков, Т.Р. Арсланов, В.М. Новоторцев, С.Ф. Маренкин // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 2. — С. 99-102. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
0868-5924
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/5977
В p-InAs (RH = 22.5 cm3/C, ρ = 0.15 Ω cm) и в новом ферромагнитном материале p-CdGeAs2 (RH = 5 cm3/C, ρ = 0.62 Ω cm), легированном магнитной примесью (Mn), измерены удельное электросопротивление ρ, коэффициент Холла RH и поперечное магнитосопротивление Δρxx/ρ0 при высоком гидростатическом давлении до P ≤ 9 GPa в области комнатных температур. На зависимостях Δρxx/ρ0(P, H) в p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn обнаружен магниторезистивный эффект.
У p-InAs (RH = 22.5 cm3/C, ρ = 0.15 Ω cm) і новому феромагнітному матеріалі p-CdGeAs2 (RH = 5 cm3/C, ρ = 0.62 Ω cm), легованому магнітною домішкою (Mn), зміряно питомий електроопір ρ, коефіцієнт Хола RH і поперечний магнітоопір Δρxx/ρ0 при високому гідростатичному тиску до P ≤ 9 GPa в області кімнатних температур. На залежностях Δρxx/ρ0(P, H) у p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn виявлено магніторезистивний ефект.
In p-InAs (RH = 22.5 cm3/C, ρ = 0.15 Ω·cm) and in a new ferromagnetic material p-CdGeAs2 (RH = 5 cm3/C, ρ = 0.62 Ω⋅cm), alloyed with the magnetic impurity (Mn) the specific electroresistance ρ, Hall coefficient RH and transverse magnetoresistance Δρxx/ρ0 have been measured at high hydrostatic pressure to P ≤ 9 GPa in the region of room temperatures. On dependences Δρxx/ρ0(P, H) for p-InAs:Mn and p-CdGeAs2:Mn the magnetoresistance has been detected.
ru
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
Отрицательное магнитосопротивление в p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn, индуцированное высоким давлением
Негативний магнітоопір в p-InAs:Mn і p-CdGeAs2:Mn, iндуцiйований високим тиском
Negative magnetoresistance in p-InAs:Mn and p-CdGeAs2:Mn induced by high pressure
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Отрицательное магнитосопротивление в p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn, индуцированное высоким давлением
spellingShingle Отрицательное магнитосопротивление в p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn, индуцированное высоким давлением
Моллаев, А.Ю.
Камилов, И.К.
Арсланов, Р.К.
Залибеков, У.З.
Арсланов, Т.Р.
Новоторцев, В.М.
Маренкин, С.Ф.
title_short Отрицательное магнитосопротивление в p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn, индуцированное высоким давлением
title_full Отрицательное магнитосопротивление в p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn, индуцированное высоким давлением
title_fullStr Отрицательное магнитосопротивление в p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn, индуцированное высоким давлением
title_full_unstemmed Отрицательное магнитосопротивление в p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn, индуцированное высоким давлением
title_sort отрицательное магнитосопротивление в p-inas:mn и p-cdgeas2:mn, индуцированное высоким давлением
author Моллаев, А.Ю.
Камилов, И.К.
Арсланов, Р.К.
Залибеков, У.З.
Арсланов, Т.Р.
Новоторцев, В.М.
Маренкин, С.Ф.
author_facet Моллаев, А.Ю.
Камилов, И.К.
Арсланов, Р.К.
Залибеков, У.З.
Арсланов, Т.Р.
Новоторцев, В.М.
Маренкин, С.Ф.
publishDate 2009
language Russian
publisher Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
format Article
title_alt Негативний магнітоопір в p-InAs:Mn і p-CdGeAs2:Mn, iндуцiйований високим тиском
Negative magnetoresistance in p-InAs:Mn and p-CdGeAs2:Mn induced by high pressure
description В p-InAs (RH = 22.5 cm3/C, ρ = 0.15 Ω cm) и в новом ферромагнитном материале p-CdGeAs2 (RH = 5 cm3/C, ρ = 0.62 Ω cm), легированном магнитной примесью (Mn), измерены удельное электросопротивление ρ, коэффициент Холла RH и поперечное магнитосопротивление Δρxx/ρ0 при высоком гидростатическом давлении до P ≤ 9 GPa в области комнатных температур. На зависимостях Δρxx/ρ0(P, H) в p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn обнаружен магниторезистивный эффект. У p-InAs (RH = 22.5 cm3/C, ρ = 0.15 Ω cm) і новому феромагнітному матеріалі p-CdGeAs2 (RH = 5 cm3/C, ρ = 0.62 Ω cm), легованому магнітною домішкою (Mn), зміряно питомий електроопір ρ, коефіцієнт Хола RH і поперечний магнітоопір Δρxx/ρ0 при високому гідростатичному тиску до P ≤ 9 GPa в області кімнатних температур. На залежностях Δρxx/ρ0(P, H) у p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn виявлено магніторезистивний ефект. In p-InAs (RH = 22.5 cm3/C, ρ = 0.15 Ω·cm) and in a new ferromagnetic material p-CdGeAs2 (RH = 5 cm3/C, ρ = 0.62 Ω⋅cm), alloyed with the magnetic impurity (Mn) the specific electroresistance ρ, Hall coefficient RH and transverse magnetoresistance Δρxx/ρ0 have been measured at high hydrostatic pressure to P ≤ 9 GPa in the region of room temperatures. On dependences Δρxx/ρ0(P, H) for p-InAs:Mn and p-CdGeAs2:Mn the magnetoresistance has been detected.
issn 0868-5924
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/5977
citation_txt Отрицательное магнитосопротивление в p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn, индуцированное высоким давлением / А.Ю. Моллаев, И.К. Камилов, Р.К. Арсланов, У.З. Залибеков, Т.Р. Арсланов, В.М. Новоторцев, С.Ф. Маренкин // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 2. — С. 99-102. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT mollaevaû otricatelʹnoemagnitosoprotivlenievpinasmnipcdgeas2mninducirovannoevysokimdavleniem
AT kamilovik otricatelʹnoemagnitosoprotivlenievpinasmnipcdgeas2mninducirovannoevysokimdavleniem
AT arslanovrk otricatelʹnoemagnitosoprotivlenievpinasmnipcdgeas2mninducirovannoevysokimdavleniem
AT zalibekovuz otricatelʹnoemagnitosoprotivlenievpinasmnipcdgeas2mninducirovannoevysokimdavleniem
AT arslanovtr otricatelʹnoemagnitosoprotivlenievpinasmnipcdgeas2mninducirovannoevysokimdavleniem
AT novotorcevvm otricatelʹnoemagnitosoprotivlenievpinasmnipcdgeas2mninducirovannoevysokimdavleniem
AT marenkinsf otricatelʹnoemagnitosoprotivlenievpinasmnipcdgeas2mninducirovannoevysokimdavleniem
AT mollaevaû negativniimagnítoopírvpinasmnípcdgeas2mninduciiovaniivisokimtiskom
AT kamilovik negativniimagnítoopírvpinasmnípcdgeas2mninduciiovaniivisokimtiskom
AT arslanovrk negativniimagnítoopírvpinasmnípcdgeas2mninduciiovaniivisokimtiskom
AT zalibekovuz negativniimagnítoopírvpinasmnípcdgeas2mninduciiovaniivisokimtiskom
AT arslanovtr negativniimagnítoopírvpinasmnípcdgeas2mninduciiovaniivisokimtiskom
AT novotorcevvm negativniimagnítoopírvpinasmnípcdgeas2mninduciiovaniivisokimtiskom
AT marenkinsf negativniimagnítoopírvpinasmnípcdgeas2mninduciiovaniivisokimtiskom
AT mollaevaû negativemagnetoresistanceinpinasmnandpcdgeas2mninducedbyhighpressure
AT kamilovik negativemagnetoresistanceinpinasmnandpcdgeas2mninducedbyhighpressure
AT arslanovrk negativemagnetoresistanceinpinasmnandpcdgeas2mninducedbyhighpressure
AT zalibekovuz negativemagnetoresistanceinpinasmnandpcdgeas2mninducedbyhighpressure
AT arslanovtr negativemagnetoresistanceinpinasmnandpcdgeas2mninducedbyhighpressure
AT novotorcevvm negativemagnetoresistanceinpinasmnandpcdgeas2mninducedbyhighpressure
AT marenkinsf negativemagnetoresistanceinpinasmnandpcdgeas2mninducedbyhighpressure
first_indexed 2025-11-28T04:38:50Z
last_indexed 2025-11-28T04:38:50Z
_version_ 1850853360317497345

Ähnliche Einträge