Влияние процентного содержания марганца на характеристические точки и параметры фазового перехода на шкале высоких давлений в p-CdGeAs2:Mn
В новом высокотемпературном ферромагнитном полупроводнике p-Cd1–xMnxGeAs2 (x = 0–0.36) в области комнатных температур измерены барические зависимости удельного электросопротивления ρ и коэффициента Холла RH. На зависимостях ρ(P) и RH(P) обнаружены структурные фазовые переходы, положения которых сдви...
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2009
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/5979 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние процентного содержания марганца на характеристические точки и параметры фазового перехода на шкале высоких давлений в p-CdGeAs2:Mn / А.Ю. Моллаев, И.К. Камилов, Р.К. Арсланов, У.З. Залибеков, В.М. Новоторцев, С.Ф. Маренкин // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 2. — С. 88-93. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859947270255935488 |
|---|---|
| author | Моллаев, А.Ю. Камилов, И.К. Арсланов, Р.К. Залибеков, У.З. Новоторцев, В.М. Маренкин, С.Ф. |
| author_facet | Моллаев, А.Ю. Камилов, И.К. Арсланов, Р.К. Залибеков, У.З. Новоторцев, В.М. Маренкин, С.Ф. |
| citation_txt | Влияние процентного содержания марганца на характеристические точки и параметры фазового перехода на шкале высоких давлений в p-CdGeAs2:Mn / А.Ю. Моллаев, И.К. Камилов, Р.К. Арсланов, У.З. Залибеков, В.М. Новоторцев, С.Ф. Маренкин // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 2. — С. 88-93. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| description | В новом высокотемпературном ферромагнитном полупроводнике p-Cd1–xMnxGeAs2 (x = 0–0.36) в области комнатных температур измерены барические зависимости удельного электросопротивления ρ и коэффициента Холла RH. На зависимостях ρ(P) и RH(P) обнаружены структурные фазовые переходы, положения которых сдвигаются в сторону низких давлений с увеличением процентного содержания марганца от 5.9 GPa на образце CdGeAs2 до 4.8 GPa на p-Cd0.64Mn0.36GeAs2. На зависимостях RH(P) кристаллов с большим (x ≥ 0.18) процентным содержанием марганца обнаружены аномалии, что, вероятно, обусловлено магнитными свойствами или наличием примесных центров.
У новому високотемпературному феромагнітному напівпровіднику p-Cd1–xMnxGeAs2 (x = 0–0.36) в області кімнатних температур зміряно баричні залежності питомого електроопору ρ і коефіцієнта Хола RH. На залежностях ρ(P) і RH(P) виявлено структурні фазові переходи, положення яких зрушуються у бік низького тиску зі збільшенням процентного вмісту марганцю від 5.9 GPa на зразку CdGeAs2 до 4.8 GPa на p-Cd0.64Mn0.36GeAs2. На залежностях RH(P) кристалів з великим (x ≥ 0.18) процентним вмістом марганцю виявлено аномалії, що, імовірно, обумовлено магнітними властивостями або наявністю домішкових центрів.
Baric dependences of specific electroresistance ρ and Hall coefficient RH have been measured for a new high-temperature ferromagnetic semiconductor Cd1–xMnxGeAs2 (x = 0–0.36) in the region of room temperatures. Structural phase transitions, positions of which move towards low pressures with the rise of manganese percentage from 5.9 GPa for CdGeAs2 sample up to 4.8 GPa for p-Cd0.64Mn0.36GeAs2 sample have been found on the dependences ρ(P) and RH(P). There have also been found anomalies on dependences RH(P) for crystals with higher manganese percentage (x ≥ 0.18) that are, probably, stipulated by either magnetic features or the presence of impurity centers.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:14:37Z |
| format | Article |
| fulltext |
Физика и техника высоких давлений 2009, том 19, № 2
88
PACS: 72.20.–i
А.Ю. Моллаев1, И.К. Камилов1, Р.К. Арсланов1, У.З. Залибеков1,
В.М. Новоторцев2, С.Ф. Маренкин2
ВЛИЯНИЕ ПРОЦЕНТНОГО СОДЕРЖАНИЯ МАРГАНЦА
НА ХАРАКТЕРИСТИЧЕСКИЕ ТОЧКИ И ПАРАМЕТРЫ ФАЗОВОГО
ПЕРЕХОДА НА ШКАЛЕ ВЫСОКИХ ДАВЛЕНИЙ В p-CdGeAs2:Mn
1Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН
ул. Ярагского, 94, г. Махачкала, 367003, Россия
E-mail: a.mollaev@mail.ru
2Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН
Ленинский пр-т, 31, г. Москва, 119991, Россия
В новом высокотемпературном ферромагнитном полупроводнике p-Cd1–xMnxGeAs2
(x = 0–0.36) в области комнатных температур измерены барические зависимости
удельного электросопротивления ρ и коэффициента Холла RH. На зависимостях
ρ(P) и RH(P) обнаружены структурные фазовые переходы, положения которых
сдвигаются в сторону низких давлений с увеличением процентного содержания
марганца от 5.9 GPa на образце CdGeAs2 до 4.8 GPa на p-Cd0.64Mn0.36GeAs2. На
зависимостях RH(P) кристаллов с большим (x ≥ 0.18) процентным содержанием
марганца обнаружены аномалии, что, вероятно, обусловлено магнитными свойст-
вами или наличием примесных центров.
1. Введение
В последние годы ферромагнитные полупроводники с высокой темпера-
турой Кюри, обладающие как полупроводниковыми, так и магнитными
свойствами, широко применяются в спинтронике и вызывают большой ин-
терес исследователей.
В работе [1] были измерены удельное электросопротивление и коэффи-
циент Холла на ферромагнитных образцах p-Cd1–xMnxGeAs2 (х = 0–36) при
гидростатическом сжатии при подъеме и сбросе давления.
С целью определения влияния процентного содержания легирующей
примеси на положение характеристических точек и параметров фазового
перехода на шкале высоких давлений измерено электросопротивление и ко-
эффициент Холла в области фазового перехода при подъеме и сбросе давле-
ния до P = 9 GPa.
Физика и техника высоких давлений 2009, том 19, № 2
89
2. Методика и техника эксперимента
Измерения проводили на моно- и поликристаллических образцах
p-Cd1–xMnxGeAs2 в аппаратах высокого давления типа «тороид» при гидро-
статических давлениях до P ≤ 9 GPa в области комнатных температур при
подъеме и сбросе давления. Аппарат «тороид» помещали в соленоид с на-
пряженностью H ≤ 5 kOe. В качестве рабочей ячейки использовали фторо-
пластовую капсулу полезным объемом ~ 80 mm3, которая имела 8 электров-
водов, что позволяло одновременно измерить два кинетических эффекта и
давление. Давление контролировали по манганиновому манометру, отгра-
дуированному по нескольким реперным точкам во всем диапазоне давлений.
Более подробно методика и техника эксперимента описаны в работах [2,3].
Синтез образцов проводили из высокочистых порошков монокристаллов
CdAs2 и Ge, приготовленных из монокристаллов. Марганец использовали
марки ЧДА. Образцы имели форму параллелепипеда с размерами 3 × 1 × 1 mm,
однородность образцов контролировали по значениям удельного электросо-
противления и коэффициента Холла четырехзондовым методом. Основные
электрофизические характеристики измеренных образцов представлены в
таблице, где x – содержание марганца в процентах, ρ – удельное электросо-
противление, RH – коэффициент Холла.
3. Результаты и их обсуждение
Барические зависимости удельного электросопротивления ρ и коэффици-
ента Холла RH для всех исследованных образцов p-Cd1–xMnxGeAs2 пред-
ставлены на рис. 1. Во всех образцах при давлениях P = 5.9; 5.7; 5.5; 5.4; 5.2;
4.9; 4.8 GPa на зависимостях ρ(P) (рис. 1,а) и RH(P) (рис. 1,б) обнаружены
структурные фазовые переходы. При давлениях P = 2.9; 2.8; 2.7; 2.6; 2.5; 2.4;
2.3 GPa эти переходы обнаружены и при сбросе давления.
Представлялось интересным проследить зависимость положения характе-
ристических точек и величин параметров в зависимости от степени легиро-
вания образцов.
На основе представлений о поведении гетерофазных структур при воз-
мущающем внешнем воздействии [4] и собственных экспериментальных
Таблица
Электрофизические параметры исследованных образцов p-типа
при комнатной температуре и атмосферном давлении
№ п/п Образцы x ρ, Ω·cm RH, cm3/C
1 CdGeAs2 0 2.16 964.5
2 0.003 3.0 504
3 0.06 10 2250
4 0.18 0.23 10
5 0.30 0.62 5
6
Cd1–хMnхGeAs2
0.36 0.12 0.5
Физика и техника высоких давлений 2009, том 19, № 2
90
а б
Рис. 1. Барические зависимости удельного электросопротивления ρ (а) и коэффи-
циента Холла RH (б) при подъеме давления для исследованных образцов CdGeAs2
(–■–) и Cd1–хMnхGeAs2 (–●– – x = 0.003, –▲– – 0.06, –◆– – 0.18, – – – 0.30, – – –
0.36)
данных, основываясь на точках начала и конца фазового превращения Рb и
Ре и при сбросе Pb′ и Pe′ давления в изометрических условиях для структур-
ного фазового перехода можно определить следующие его характеристиче-
ские параметры:
– точку фазового равновесия при подъеме P0 и сбросе P0′ давления, кото-
рая характеризует точку равновесия низко- и высокопроводящих фаз:
P0 ≈ P0′ = 0.5(Pb + Pb′) = 0.5(Pe + Pe′); (1)
– точку метастабильного равновесия при подъеме
POM = 0.5(Рb + Рe) (2)
и сбросе давления
OM 0.5( )b eP P P′ ′ ′= + . (3)
Давления метастабильного равновесия POM и OMP′ определяют давление, где
согласно теории протекания при достижении величины относительного объ-
ема высокопроводящей фазы νc ≈ 0.17 формируется сквозной канал (беско-
нечный кластер) [9];
– гистерезис термодинамический, обусловленный внутренними напряже-
ниями, возникающими при образовании включений новой фазы и, как след-
ствие этого, необходимостью затраты работы для образования таких вклю-
чений:
GT OM OMb e b eP P P P P P P′ ′= − ≈ − ≈ − ; (4)
– гистерезис флуктуационный при подъеме давления:
GF e bP P P= − ; (5)
Физика и техника высоких давлений 2009, том 19, № 2
91
Рис. 2. Барические зависимости фазового (–▲–) и метастабильного равновесия при
подъеме (–■–) и сбросе (–□–) давления
Рис. 3. Барические зависимости величин гистерезисов термодинамического PGT и
флуктуационного PGF от процентного содержания магнитной примеси Mn
– гистерезис флуктуационный при сбросе давления, обусловленный не-
однородным распределением давления, температуры и дефектов:
GF b eP P P′ ′= − . (6)
На рис. 2 представлены зависимости фазового и метастабильного равно-
весия, из которых видно, что с увеличением процентного содержания мар-
ганца точки Р0, РOM, OMP′ смещаются в сторону низких давлений. На рис. 3
приведены зависимости величин гистерезисов термодинамического PGT и
флуктуационного PGF от процентного содержания магнитной примеси Mn.
Из рисунка следует, что с увеличением процентного содержания магнитной
примеси величина PGT падает, а величина PGF – растет и при х > 15 выходит
на насыщение.
4. Заключение
В заключение можем констатировать, что впервые определены зависимо-
сти характеристических точек и параметров фазового перехода от процент-
ного содержания магнитной примеси. Физические процессы, лежащие в ос-
нове этих явлений, обсуждаются.
Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фунда-
ментальных исследований (Проект №05-02-16608) и подпроекта Президиума
РАН П-09 «Исследование вещества в экстремальных условиях».
1. А.Ю. Моллаев, И.К. Камилов, Р.К. Арсланов, У.З. Залибеков, С.Ф. Маренкин,
Fizika 13, № 1–2, 320 (2007).
2. L.G. Khvostantsev, V.A. Sidorov, Phys. Status Solidi A64, 379 (1981).
3. A.Ю. Моллаев, Р.К. Арсланов, Л.А. Сайпулаева, С.Ф. Габибов, С.Ф. Маренкин,
ФТВД 11, № 4, 61 (2001).
Физика и техника высоких давлений 2009, том 19, № 2
92
4. А.И. Ройтбурд, ФТТ 25, 33 (1983).
5. А.И. Ройтбурд, УФН 113, 69 (1974).
6. А.И. Ройтбурд, ФТТ 26, 2025 (1984).
7. В.И. Козлов, Г.Р. Умаров, А.А. Фирсов, ФТВД вып. 23, 9 (1986).
8. М.И. Даунов, А.Б. Магомедов, А.Ю. Моллаев, С.М. Салихов, Л.А. Сайпулаева,
Сверхтвердые материалы № 3, 3 (1992).
9. А.Ю. Моллаев, Р.К. Арсланов, Р.И. Ахмедов, Л.А. Сайпулаева, ФТВД 4, № 3–4, 66
(1994).
10. Б.И. Шкловский, Ф.Л. Эфрос, Электронные свойства легированных полупро-
водников, Наука, Москва (1979).
А.Ю. Молаєв, І.К. Камілов, Р.К. Арсланов, У.З. Залібеков, В.М. Новоторцев,
С.Ф. Маренкін
ВПЛИВ ПРОЦЕНТНОГО ВМІСТУ МАРГАНЦЮ НА
ХАРАКТЕРИСТИЧНІ ТОЧКИ І ПАРАМЕТРИ ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДУ
НА ШКАЛІ ВИСОКОГО ТИСКУ В p-CdGeAs2:Mn
У новому високотемпературному феромагнітному напівпровіднику p-Cd1–xMnxGeAs2
(x = 0–0.36) в області кімнатних температур зміряно баричні залежності питомого
електроопору ρ і коефіцієнта Хола RH. На залежностях ρ(P) і RH(P) виявлено струк-
турні фазові переходи, положення яких зрушуються у бік низького тиску зі
збільшенням процентного вмісту марганцю від 5.9 GPa на зразку CdGeAs2 до 4.8 GPa
на p-Cd0.64Mn0.36GeAs2. На залежностях RH(P) кристалів з великим (x ≥ 0.18) про-
центним вмістом марганцю виявлено аномалії, що, імовірно, обумовлено
магнітними властивостями або наявністю домішкових центрів.
A.Yu. Mollaev, I.K. Kamilov, R.K. Arslanov, U.Z. Zalibekov, V.M. Novotorzev,
S.F. Marenkin
INFLUENCE OF MANGANESE PERCENTAGE ON CHARACTERISTIC
POINTS AND PHASE-TRANSITION PARAMETERS ON SCALE OF
HIGH PRESSURES IN p-CdGeAs2:Mn
Baric dependences of specific electroresistance ρ and Hall coefficient RH have been
measured for a new high-temperature ferromagnetic semiconductor Cd1–xMnxGeAs2 (x =
= 0–0.36) in the region of room temperatures. Structural phase transitions, positions of
which move towards low pressures with the rise of manganese percentage from 5.9 GPa
for CdGeAs2 sample up to 4.8 GPa for p-Cd0.64Mn0.36GeAs2 sample have been found on
the dependences ρ(P) and RH(P). There have also been found anomalies on dependences
RH(P) for crystals with higher manganese percentage (x ≥ 0.18) that are, probably, stipu-
lated by either magnetic features or the presence of impurity centers.
Физика и техника высоких давлений 2009, том 19, № 2
93
Fig. 1. Baric dependences of the specific electroresistance ρ (a) and of the Hall coeffi-
cient RH (б) at pressure rise for the investigated samples CdGeAs2 (–■–) and Cd1–хM-
nхGeAs2 (–●– – x = 0.003, –▲– – 0.06, –◆– – 0.18, – – – 0.30, – – – 0.36)
Fig. 2. Baric dependences of phase (–▲–) and metastable balance at pressure rise (–■–)
and release (–□–)
Рис. 3. Baric dependences of the values of hystereses for thermodynamic PGT and fluc-
tuational PGF on magnetic admixture Mn percentage
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-5979 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0868-5924 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:14:37Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Моллаев, А.Ю. Камилов, И.К. Арсланов, Р.К. Залибеков, У.З. Новоторцев, В.М. Маренкин, С.Ф. 2010-02-12T17:53:54Z 2010-02-12T17:53:54Z 2009 Влияние процентного содержания марганца на характеристические точки и параметры фазового перехода на шкале высоких давлений в p-CdGeAs2:Mn / А.Ю. Моллаев, И.К. Камилов, Р.К. Арсланов, У.З. Залибеков, В.М. Новоторцев, С.Ф. Маренкин // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 2. — С. 88-93. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 0868-5924 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/5979 В новом высокотемпературном ферромагнитном полупроводнике p-Cd1–xMnxGeAs2 (x = 0–0.36) в области комнатных температур измерены барические зависимости удельного электросопротивления ρ и коэффициента Холла RH. На зависимостях ρ(P) и RH(P) обнаружены структурные фазовые переходы, положения которых сдвигаются в сторону низких давлений с увеличением процентного содержания марганца от 5.9 GPa на образце CdGeAs2 до 4.8 GPa на p-Cd0.64Mn0.36GeAs2. На зависимостях RH(P) кристаллов с большим (x ≥ 0.18) процентным содержанием марганца обнаружены аномалии, что, вероятно, обусловлено магнитными свойствами или наличием примесных центров. У новому високотемпературному феромагнітному напівпровіднику p-Cd1–xMnxGeAs2 (x = 0–0.36) в області кімнатних температур зміряно баричні залежності питомого електроопору ρ і коефіцієнта Хола RH. На залежностях ρ(P) і RH(P) виявлено структурні фазові переходи, положення яких зрушуються у бік низького тиску зі збільшенням процентного вмісту марганцю від 5.9 GPa на зразку CdGeAs2 до 4.8 GPa на p-Cd0.64Mn0.36GeAs2. На залежностях RH(P) кристалів з великим (x ≥ 0.18) процентним вмістом марганцю виявлено аномалії, що, імовірно, обумовлено магнітними властивостями або наявністю домішкових центрів. Baric dependences of specific electroresistance ρ and Hall coefficient RH have been measured for a new high-temperature ferromagnetic semiconductor Cd1–xMnxGeAs2 (x = 0–0.36) in the region of room temperatures. Structural phase transitions, positions of which move towards low pressures with the rise of manganese percentage from 5.9 GPa for CdGeAs2 sample up to 4.8 GPa for p-Cd0.64Mn0.36GeAs2 sample have been found on the dependences ρ(P) and RH(P). There have also been found anomalies on dependences RH(P) for crystals with higher manganese percentage (x ≥ 0.18) that are, probably, stipulated by either magnetic features or the presence of impurity centers. ru Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України Влияние процентного содержания марганца на характеристические точки и параметры фазового перехода на шкале высоких давлений в p-CdGeAs2:Mn Вплив процентного вмісту марганцю на характеристичні точки і параметри фазового переходу на шкалі високого тиску в p-CdGeAs2:Mn Influence of manganese percentage on characteristic points and phase-transition parameters on scale of high pressures in p-CdGeAs2:Mn Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние процентного содержания марганца на характеристические точки и параметры фазового перехода на шкале высоких давлений в p-CdGeAs2:Mn Моллаев, А.Ю. Камилов, И.К. Арсланов, Р.К. Залибеков, У.З. Новоторцев, В.М. Маренкин, С.Ф. |
| title | Влияние процентного содержания марганца на характеристические точки и параметры фазового перехода на шкале высоких давлений в p-CdGeAs2:Mn |
| title_alt | Вплив процентного вмісту марганцю на характеристичні точки і параметри фазового переходу на шкалі високого тиску в p-CdGeAs2:Mn Influence of manganese percentage on characteristic points and phase-transition parameters on scale of high pressures in p-CdGeAs2:Mn |
| title_full | Влияние процентного содержания марганца на характеристические точки и параметры фазового перехода на шкале высоких давлений в p-CdGeAs2:Mn |
| title_fullStr | Влияние процентного содержания марганца на характеристические точки и параметры фазового перехода на шкале высоких давлений в p-CdGeAs2:Mn |
| title_full_unstemmed | Влияние процентного содержания марганца на характеристические точки и параметры фазового перехода на шкале высоких давлений в p-CdGeAs2:Mn |
| title_short | Влияние процентного содержания марганца на характеристические точки и параметры фазового перехода на шкале высоких давлений в p-CdGeAs2:Mn |
| title_sort | влияние процентного содержания марганца на характеристические точки и параметры фазового перехода на шкале высоких давлений в p-cdgeas2:mn |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/5979 |
| work_keys_str_mv | AT mollaevaû vliânieprocentnogosoderžaniâmargancanaharakterističeskietočkiiparametryfazovogoperehodanaškalevysokihdavleniivpcdgeas2mn AT kamilovik vliânieprocentnogosoderžaniâmargancanaharakterističeskietočkiiparametryfazovogoperehodanaškalevysokihdavleniivpcdgeas2mn AT arslanovrk vliânieprocentnogosoderžaniâmargancanaharakterističeskietočkiiparametryfazovogoperehodanaškalevysokihdavleniivpcdgeas2mn AT zalibekovuz vliânieprocentnogosoderžaniâmargancanaharakterističeskietočkiiparametryfazovogoperehodanaškalevysokihdavleniivpcdgeas2mn AT novotorcevvm vliânieprocentnogosoderžaniâmargancanaharakterističeskietočkiiparametryfazovogoperehodanaškalevysokihdavleniivpcdgeas2mn AT marenkinsf vliânieprocentnogosoderžaniâmargancanaharakterističeskietočkiiparametryfazovogoperehodanaškalevysokihdavleniivpcdgeas2mn AT mollaevaû vplivprocentnogovmístumargancûnaharakterističnítočkiíparametrifazovogoperehodunaškalívisokogotiskuvpcdgeas2mn AT kamilovik vplivprocentnogovmístumargancûnaharakterističnítočkiíparametrifazovogoperehodunaškalívisokogotiskuvpcdgeas2mn AT arslanovrk vplivprocentnogovmístumargancûnaharakterističnítočkiíparametrifazovogoperehodunaškalívisokogotiskuvpcdgeas2mn AT zalibekovuz vplivprocentnogovmístumargancûnaharakterističnítočkiíparametrifazovogoperehodunaškalívisokogotiskuvpcdgeas2mn AT novotorcevvm vplivprocentnogovmístumargancûnaharakterističnítočkiíparametrifazovogoperehodunaškalívisokogotiskuvpcdgeas2mn AT marenkinsf vplivprocentnogovmístumargancûnaharakterističnítočkiíparametrifazovogoperehodunaškalívisokogotiskuvpcdgeas2mn AT mollaevaû influenceofmanganesepercentageoncharacteristicpointsandphasetransitionparametersonscaleofhighpressuresinpcdgeas2mn AT kamilovik influenceofmanganesepercentageoncharacteristicpointsandphasetransitionparametersonscaleofhighpressuresinpcdgeas2mn AT arslanovrk influenceofmanganesepercentageoncharacteristicpointsandphasetransitionparametersonscaleofhighpressuresinpcdgeas2mn AT zalibekovuz influenceofmanganesepercentageoncharacteristicpointsandphasetransitionparametersonscaleofhighpressuresinpcdgeas2mn AT novotorcevvm influenceofmanganesepercentageoncharacteristicpointsandphasetransitionparametersonscaleofhighpressuresinpcdgeas2mn AT marenkinsf influenceofmanganesepercentageoncharacteristicpointsandphasetransitionparametersonscaleofhighpressuresinpcdgeas2mn |