Влияние процентного содержания марганца на характеристические точки и параметры фазового перехода на шкале высоких давлений в p-CdGeAs2:Mn
В новом высокотемпературном ферромагнитном полупроводнике p-Cd1–xMnxGeAs2 (x = 0–0.36) в области комнатных температур измерены барические зависимости удельного электросопротивления ρ и коэффициента Холла RH. На зависимостях ρ(P) и RH(P) обнаружены структурные фазовые переходы, положения которых сдви...
Saved in:
| Date: | 2009 |
|---|---|
| Main Authors: | Моллаев, А.Ю., Камилов, И.К., Арсланов, Р.К., Залибеков, У.З., Новоторцев, В.М., Маренкин, С.Ф. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2009
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/5979 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Влияние процентного содержания марганца на характеристические точки и параметры фазового перехода на шкале высоких давлений в p-CdGeAs2:Mn / А.Ю. Моллаев, И.К. Камилов, Р.К. Арсланов, У.З. Залибеков, В.М. Новоторцев, С.Ф. Маренкин // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 2. — С. 88-93. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
-
Отрицательное магнитосопротивление в p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn, индуцированное высоким давлением
by: Моллаев, А.Ю., et al.
Published: (2009) -
Кинетические эффекты в ориентированных монокристаллах p-Cd₉₄.₇Mn₅.₅GeAs₂ при высоких давлениях
by: Моллаев, А.Ю., et al.
Published: (2009) -
Барические, температурные и магнитополевые зависимости кинетических коэффициентов в ферромагнитном полупроводнике Cd₀.₇Mn₀.₃GeAs₂
by: Моллаев, А.Ю., et al.
Published: (2009) -
Барические и температурные зависимости кинетических коэффициентов в ферромагнитном полупроводнике Cd1-xMnxGeP₂
by: Моллаев, А.Ю., et al.
Published: (2007) -
Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa
by: Моллаев, А.Ю., et al.
Published: (2005)