Синтез и электрические свойства фаз высокого давления ErxCu3V4O12 - Мельникова, Н.В.; Кадырова, Н.И.; Устинова, И.С.; Зайнулин, Ю.Г.; Бабушкин, А.Н. (Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України, 2009)
Синтезировано новое перовскитоподобное соединение Er0.73Cu3V4O12. Проведена рентгенографическая аттестация, исследованы электрические свойства в широкой области температур (78–300 K) и частот (200 Hz–200 kHz) при атмосферном давлении и при давлениях 15–42 GPa. Установлен полупроводниковый характер температурной зависимости удельной электропроводности в интервале температур 78–300 K. Анализ барических зависимостей комплексного сопротивления, комплексной проводимости, емкости и тангенса угла диэлектрических потерь указывает на возможность разупорядочения кристаллической структуры и изменения в поведении электрически активных комплексов при увеличении давления в интервале 27–29 GPa. Синтезовано нове перовскитоподібне з'єднання Er0.73Cu3V4O12. Проведено рентгенографічну атестацію, досліджено електричні властивості в широкій області температур (78–300 K) і частот (200 Hz–200 kHz) при атмосферному тиску і при тиску 15–42 GPa. Встановлено напівпровідниковий характер температурної залежності питомої електропровідності в інтервалі температур 78–300 K. Аналіз баричних залежностей комплексного опору, комплексної провідності, ємкості і тангенса кута діелектричних втрат указує на можливість розупорядкування кристалічної структури і зміни в поведінці електрично активних комплексів при збільшенні тиску в інтервалі 27–29 GPa. New perovskite-like compound Er0.73Cu3V4O12 has been synthesized. X-ray diffraction experiments and certification have been performed, the electrical properties at temperatures between 78 and 300 K and in the frequency range between 200 Hz and 200 kHz at atmospheric pressure and at a pressure of 15–42 GPa have been investigated. Semiconductor type of the temperature dependence of conductivity in the range 78–300 K is established. The analysis of baric dependences of complex resistance, complex conductivity, capacitance and loss tangent of dielectric indicates a possibility of crystal structure disordering and changes in the behavior of electrically active complexes at pressure increase in the interval 27–29 GPa.