Новая технология ускоренного освоения солнечной энергии
Поликристаллический полупроводниковый кремний (ППК) широко используется в солнечной энергетике при производстве больших и сверх больших интегральных схем, в микроэлектронике, и др. Предложенный в статье способ производства ППК с использованием фторидных технологий экологически чистый и имеет себесто...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Промышленная теплотехника |
|---|---|
| Datum: | 2004 |
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут технічної теплофізики НАН України
2004
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/61527 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Новая технология ускоренного освоения солнечной энергии / А.И. Карелин, В.А. Карелин., Е.Д. Домашев, В.Е. Домашев, А.П. Юферова, Р.А. Абубекеров // Промышленная теплотехника. — 2004. — Т. 26, № 5. — С. 61-66. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860259525431394304 |
|---|---|
| author | Карелин, А.И. Карелин., В.А. Домашев, Е.Д. Домашев, В.Е. Юферова, А.П. Абубекеров, Р.А. |
| author_facet | Карелин, А.И. Карелин., В.А. Домашев, Е.Д. Домашев, В.Е. Юферова, А.П. Абубекеров, Р.А. |
| citation_txt | Новая технология ускоренного освоения солнечной энергии / А.И. Карелин, В.А. Карелин., Е.Д. Домашев, В.Е. Домашев, А.П. Юферова, Р.А. Абубекеров // Промышленная теплотехника. — 2004. — Т. 26, № 5. — С. 61-66. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Промышленная теплотехника |
| description | Поликристаллический полупроводниковый кремний (ППК) широко используется в солнечной энергетике при производстве больших и сверх больших интегральных схем, в микроэлектронике, и др. Предложенный в статье способ производства ППК с использованием фторидных технологий экологически чистый и имеет себестоимость значительно ниже, чем с использованием современных хлоридных технологий, что существенно расширяет масштабы развития солнечной энергетики.
Полікристалічний напівпровідниковий кремній (ПНК) широко використовується в сонячній енергетиці при виробництві великих інтегральних схем, в мікроелектроніці, та ін. Запропонований в статті спосіб виробництва ПНК за допомогою фторидних технологій екологічно чистий та має собівартість набагато меншу, ніж з використанням сучасних хлоридних технологій, що суттєво розширює масштаби розвитку сонячної енергетики.
Polycrystalline semi conducting silicon (PSS) is widely used in the production of large-scale integrated circuits, in microelectronics, in solar power, etc. The method of production of PSS with the help of fluoride technologies, proposed in this paper, is ecologically pure, and its manufacturing cost is mush lower than that of the presentday chloride technologies, which substantially broadens the scales of development of solar power.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:53:30Z |
| format | Article |
| fulltext |
нетрадиционная энергетика
УДК
КАРЕЛИН А.И.1, КАРЕЛИН. В.А.2, ДОМАШЕВ Е.Д.3, ДОМАШЕВ В.Е.3,
ЮФЕРОВА А. П.4, АБУБЕКЕРОВ Р.А.5
1 НПО «Радиевый институт им. В.Г. Хлопина», Россия
2 Северский государственный технологический институт, Россия
3 Институт технической теплофизики НАН Украины
4 Сибирский химический комбинат, Россия
5 АО «Украинская Металлургическая Корпорация»
НОВАЯ ТЕХНОЛОГИЯ УСКОРЕННОГО
ОСВОЕНИЯ СОЛНЕЧНОЙ ЭНЕРГИИ
Полікристалічний напівпровідниковий
кремній (ПНК) широко використовується
в сонячній енергетиці при виробництві
великих інтегральних схем, в мікроелек-
троніці, та ін. Запропонований в статті
спосіб виробництва ПНК за допомогою
фторидних технологій екологічно чистий
та має собівартість набагато меншу, ніж
з використанням сучасних хлоридних
технологій, що суттєво розширює масш-
таби розвитку сонячної енергетики.
Поликристаллический полупроводнико-
вый кремний (ППК) широко используется в
солнечной энергетике при производстве
больших и сверх больших интегральных
схем, в микроэлектронике, и др. Предло-
женный в статье способ производства ППК
с использованием фторидных технологий
экологически чистый и имеет себестои-
мость значительно ниже, чем с
использованием современных хлоридных
технологий, что существенно расширяет
масштабы развития солнечной энергетики.
Polycrystalline semi conducting silicon
(PSS) is widely used in the production
of large-scale integrated circuits, in mi-
croelectronics, in solar power, etc. The
method of production of PSS with the
help of fluoride technologies, proposed
in this paper, is ecologically pure, and
its manufacturing cost is mush lower
than that of the present-day chloride
technologies, which substantially
broadens the scales of development of
solar power.
Солнце является одним из наиболее привлека-
тельных экологически чистых альтернативных ис-
точников энергии. Полный поток солнечной энер-
гии, падающий на Землю, составляет 1,8⋅1017 Вт.
С учетом поглощения и рассеяния в атмосфере
достигает поверхности Земли 1,3⋅1017 Вт. Это
почти в 30 000 раз превышает сегодняшний уро-
вень потока солнечной энергии, используемого
всем человечеством. Солнечная энергетика – са-
мая молодая отрасль энергетики. Первая солнеч-
ная батарея была разработана в конце 70х годов
ХХ века американской фирмой Bell.
К началу 80х годов мощность всех систем сол-
нечной энергетики в мире составляла всего лишь
4 МВт. Однако в последнее время положение с
развитием солнечной энергетики резко измени-
лось в сторону ее увеличения.
Темпы развития мирового рынка систем сол-
нечной энергетики в период с 1990 по 1997 г.г.
составляли 12…15 % в год. С 1997 г. темпы раз-
вития возросли до 27 %. За один 1999 г. в мире
было смонтировано систем солнечной энергетики
общей мощностью более 270 МВт, что соответст-
вует 37 %-му росту. В 2001 г. объем рынка систем
солнечной энергетики составил 650 МВт [1].
Согласно опубликованным за рубежом прогно-
зам продажи солнечных элементов в мире в бли-
жайшие 5 лет ежегодно будут расти на 30…40 %.
Столь стремительные темпы роста связаны с при-
нятием рядом стран стимулирующих программ
развития систем солнечной энергетики. Прежде
всего, такие программы приняты в Японии,
Германии, США и Австралии, где солнечной
энергетике уделяется особое внимание. Так, в
1995-1997 г.г. продажи элементов солнечных ба-
тарей в Японии росли ежегодно примерно на
30…40 %. В ближайшие годы спрос на указанные
изделия в этой стране возрастет в 3-4 раза.
Высокочистый кремний – основной полупро-
водниковый материал, используемый в современ-
ной полупроводниковой технике [2]. Ежегодное
мировое производство поликристаллического по-
лупроводникового кремния (ППК) за последние
5 лет увеличилось в 2 раза и достигло 24 тыс. т в
ISSN 0204-3602. Пром. теплотехника, 2004, т. 26, № 5 61
нетрадиционная энергетика
год, при этом ежегодный прирост производства и
потребления полупроводникового кремния пре-
вышает 2 тыс. т.
По данным зарубежных фирм в настоящее
время более 90 % всех полупроводниковых при-
боров изготавливаются на основе кремния, вклю-
чая такой быстро развивающийся вид приборов,
как солнечные элементы. С учетом этого словосо-
четание «рынок полупроводников» или «рынок
полупроводниковых приборов» означает на 90 %
рынок полупроводникового кремния или рынок
приборов на его основе. Каждый доллар, вложен-
ный в производство кремниевых пластин, в ре-
зультате изготовления приборов («чипов», микро-
процессоров, интегральных схем, приборных мат-
риц и т.п.) приносит изготовителю не менее 18-20
долларов, а дальнейшее изготовление этих при-
борных структур в различных электронных сис-
темах (компьютеры, телевизоры, телефоны, кон-
троллеры, транзисторы, диоды, тиристоры и др.)
увеличивают эту сумму, по крайней мере, до 100
долларов.
Важно отметить, что рынок полупроводнико-
вых материалов не может существовать без рынка
оборудования и производства полупроводниково-
го поликристаллического кремния – основы полу-
проводниковых приборов.
Во всем мире ППК в промышленном масштабе
производят из металлургического кремния. По
хлоридной технологии измельченный металлур-
гический кремний хлорируют безводным хлоро-
водородом, синтезированный трихлорсилан очи-
щают от сопутствующих хлорсиланов, полихлор-
силанов, оксихлорсиланов и от примесей элемен-
тов, содержащихся в исходном металлургическом
кремнии. Выделенный очищенный трихлорсилан
термически восстанавливают водородом (метод
фирмы Siemens) или проводят реакцию диспро-
порционирования на катализаторе с получением
моносилана, который термически разлагают (ме-
тод фирмы Union Carbide) до поликристалличе-
ского кремния.
2H
2Si + 2Mg Mg Si + Q⎯⎯→
Метод фирмы Коматцу предусматривает аце-
долиз силицида магния (Mg2Si) из металлургиче-
ского кремния и металлического магния, его раз-
ложение хлоридом аммония в среде жидкого ам-
миака с выделением моносилана по реакциям:
, (1)
3500 °C, жидкий NH
2 4
4 2 3
Mg Si + 4NH Cl
SiH + 2MgCl + 4NH .
⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯→
→
(2)
Методы получения ППК из металлургического
кремния технически сложны, требуют больших
капиталовложений при создании производства,
больших эксплуатационных затрат на выпуск то-
варной продукции. Технология производства,
особенно хлоридная, не является экологически
чистой [3].
Темпы роста солнечной энергетики и силовой
полупроводниковой техники сдерживаются в на-
стоящее время двумя причинами. Хлоридная тех-
нология производства, по которой производится
большая часть ППК, экологически грязная, а се-
бестоимость производства слишком высокая. Се-
бестоимость производства ППК на лучших зару-
бежных фирмах составляет от 21,6 до 42,8 $/кг [2],
поэтому цена создания систем солнечной энерге-
тики также высока. Усилия ученых и специалистов
должны быть направлены на разработку и создание
экологически чистой технологии производства
ППК с выпуском дешевого ППК солнечного сорта
со стоимостью менее 10 $ США/кг.
В настоящее время в России и Украине собст-
венного производства ППК нет. Из-за технической
сложности и дороговизны обеспечения экологиче-
ской чистоты производства по общепринятой боль-
шинством стран хлоридной технологии все попытки
создания крупного производства по выпуску ППК в
г. Таш-Кумыр (Киргизия), на Красноярском заводе
цветных металлов, в Красноярске-26, на Подоль-
ском химико-металлургическом заводе не увенча-
лись успехом. С таким подходом к созданию и раз-
витию солнечной энергетики Россия и Украина мо-
гут оказаться далеко позади развитых стран, как это
было с производством электроники, компьютерной
техники, генетики и других прогрессивных направ-
лений развития промышленности. Как исключение,
одна украинская компания “Solar KW” оценила
преимущества солнечной энергетики и быстро ор-
ганизовала изготовление, монтаж и наладку систем
бесперебойного энергообеспечения на основе энер-
гии Солнца с использованием в качестве исходного
сырья покупного ППК зарубежного производства.
Суммарная мощность выпускаемых солнечных ба-
тарей составляет до 10 МВт в год. Мощность еди-
62 ISSN 0204-3602. Пром. теплотехника, 2004, т. 26, № 5
нетрадиционная энергетика
ничного фотоэлектрического солнечного модуля от
50 до 360 Вт.
На рис. 1 приведены зависимости производства
и потребления ППК для обеспечения роста произ-
водства солнечных электрических мощностей
[1, 2].
Из рис. 1 видно, что для создания 100 000 МВт
электрических мощностей солнечной энергетики
необходимо обеспечить выпуск 2,0⋅106 т ППК.
Это очень большое производство, почти в 100 раз
превышающее достигнутый уровень мирового
производства ППК. Организовать выпуск таких
огромных количеств ППК по экологически гряз-
ной хлоридной технологии невозможно.
Фторидные процессы в технологии редких ме-
таллов (урана) нашли промышленное применение
только в атомной промышленности [3-5]. Однако,
закрытость этой отрасли до последнего времени
тормозила возможности использования достиже-
ний в области фтора и фторидов урана в развитии
фторидных технологий других редких металлов и
кремния [2].
Авторами статьи разработан другой более со-
вершенный электролитический способ получения
поликристаллического полупроводникового крем-
ния [6], названый нами "Карелин – процесс". Его
сущность отражена на схеме рис. 2.
Исходное сырье – кварцевый песок или квар-
цит с содержанием диоксида кремния
97…99,98 % масс. подвергают сушке при темпе-
ратуре 180…200 °С в течение 6 часов до конечной
влажности ≤ 0,1 % масс. Высушенный кремний-
содержащий концентрат направляют на фториро-
вание оборотным элементным фтором. Фториро-
вание осуществляют в две стадии: сначала исход-
ный концентрат поступает на стадию улавливания
Рис. 1. Темпы роста электрических мощностей солнечной энергетики и потребности ППК [1].
Электрическая Потребление
ППК⋅10-6, т
0
1980 1990 2000 2010 2020 2030
Годы
25
50
75
100
мощность, ГВт
2,0
1,5
1,0
0,5
0
ISSN 0204-3602. Пром. теплотехника, 2004, т. 26, № 5 63
нетрадиционная энергетика
избыточного фтора из технологического газа 1ой
стадии фторирования. Затем этот частично проф-
торированный концентрат подают на стадию фто-
рирования в пламенный реактор. В среде газооб-
разного фтора диоксид кремния мгновенно вос-
пламеняется, реакция протекает практически
полностью в течение 7-10 секунд. Температура в
зоне реакции достигает 1500…2000 °С,
темпера уру стенки аппарата поддерживают в
пределах 150…175 °С охлаждением проточной
водой через рубашку. Диоксид кремния
взаимодействует с фтором п
т
о следующим
реакциям: SiO2(тв) + 2F2(г) SiF 2000 C≤ °⎯⎯⎯⎯⎯→ 4(г) +O2(г) (1)
Fe2O3(Al2O3, CaO)(тв) + nF2(г)
→ FeF
2000 C≤ °⎯⎯⎯⎯⎯→
3(AlF3, CaF2)(тв) + mO2(г) (2)
TiO2(Cr2O3, WO3, V2O3 и др.)(тв)
2000 C≤ °⎯⎯⎯⎯⎯→
→ TiF4(CrF3(тв), WF6(г), VF5(г)) + gO2 (3)
Основная реакция (1) протекает с выделением
большого количества теплоты Q = 705,6 кДж/моль
и не требует подвода тепла из внешней среды. В
результате взаимодействия с фтором по реакциям
(2), (3) фторируются также примеси, входящие в
состав кремнийсодержащего концентрата. Полу-
ченный в результате фторирования технологиче-
ский газ содержит: тетрафторид кремния, кисло-
род, избыток фтора, среднелетучие, высоколету-
Рис. 2. Принципиальная схема "Карелин - процесса".
64 ISSN 0204-3602. Пром. теплотехника, 2004, т. 26, № 5
нетрадиционная энергетика
чие фториды примесей, пылевидную фракцию не-
летучих фторидов и непрореагировавшего диок-
сида кремния. Очистка газа от избытка фтора
происходит на исходном диоксиде кремния на 2ой
стадии фторирования. После чего технологиче-
ский газ охлаждают в теплообменнике до 100 °С и
направляют на тонкую фильтрацию от пылевид-
ной фракции нелетучих фторидов и непрореаги-
ровавшего диоксида кремния. Уловленную пыле-
видную фракцию (FeF3, AlF3, CaF2, SiO2 и др.)
присоединяют к фторидному огарку 1ой стадии
фторирования и выводят из процесса в виде фто-
ридного флюса, не содержащего серы и фосфора,
для использования в цветной, черной металлургии
или в цементной промышленности.
Очищенный от пыли технологический газ ох-
лаждают до минус 60 °С с целью конденсации
среднелетучих фторидов ванадия, молибдена,
хрома и др. При этой же температуре осуществ-
ляют тонкую фильтрацию газа от сконденсиро-
ванных среднелетучих фторидов с выводом их из
технологического цикла. Коэффициент очистки от
сконденсированных фторидов составляет не ме-
нее 99,99 % масс. Очищенный от всех примесей
технологический газ нагревают до 500 °С, на-
правляют на выделение из газовой смеси кисло-
рода, высоколетучих фторидов, приготовление
электролита и электролиз фторидного расплава с
целью получения электролитически чистого
кремния и газообразного фтора.
Тетрафторид кремния растворяется в эвтектике
фторидных солей щелочных элементов по реак-
циям:
(SiF4, O2)(г) + KF(ж) K450...500 C°⎯⎯⎯⎯⎯→ 2SiF6(ж) +
+ O2(г) (4)
(SiF4, O2)(г) + NaF(ж) Na450...500 C°⎯⎯⎯⎯⎯→ 2SiF6(ж) +
+ O2(г) (5)
Газообразный кислород удаляют в систему са-
нитарной очистки.
Комплексные соли диссоциируют на ионы:
K2SiF6(Na2SiF6)(расплав) 2K500 C°⎯⎯⎯⎯→ 1+(2Na1+) +
+ SiF6
2-
SiF6
2- Si500 C°⎯⎯⎯⎯→ 4+ + 6F1-
В результате, при электролизе протекают на
электродах процессы:
на катоде: на аноде:
Si4+ + 4e Si⎯⎯→ 0(т) 4F1- - 4e 2F⎯⎯→ 2
0
(г)
Фториды лития (LiF) с тетрафторидом кремния
(SiF4) комплексную соль не образуют из-за ее
термической нестойкости при 450…500 °С.
Полученный на аноде фтор фильтруют от пы-
левидной фракции электролита и направляют в
собственный рецикл на фторирование исходного
кремниевого концентрата.
Охлажденную смесь порошкообразного крем-
ния с электролитом, выведенную из электролизе-
ра подвергают разделению и отмывке порошка
кремния от остатков электролита. Отмытые по-
рошки кремния сушат в инертной среде и направ-
ляют на реализацию в виде порошка с протрав-
ленной при отмывке поверхностью или, после пе-
реплавки в кварцевых ампулах, в виде стержней.
Отмывочные фторидные растворы подвергаются
термической регенерации с возвратом фторидных
солей электролита в электролизер.
Полученный предлагаемым методом поликри-
сталлический кремний содержит примесей (не бо-
лее):
атомов⋅см-3
частиц⋅10-6
основного
вещества
- концентрация акцеп-
торных примесей по бору (0,2…1,5)⋅1013 0,04…0,3
- концентрация донорных
примесей по фосфору (0,3…1,5)⋅1013 0,06…0,3
- концентрация углерода (7,4…9,9)⋅1015 150…200
- объемная и поверхно-
стная концентрация при-
месей (Al, Fe, Cu, Ni, Cr,
Zn, Na, K, Li, W, Mo, Ti)
(0,5…1,3)⋅1015 10…25
Преимущества заявленного способа производ-
ства поликристаллического полупроводникового
кремния следующие:
- полное исключение сбросов химически вредных
веществ в производственные помещения и ок-
ружающую среду;
- замкнутость технологических процессов и прак-
тическое исключение использования вводимых
извне реагентов (безреагентная технология);
- отсутствие взрывоопасных процессов;
- простота изготовления нестандартного оборудо-
вания;
- высокая производительность оборудования;
ISSN 0204-3602. Пром. теплотехника, 2004, т. 26, № 5 65
нетрадиционная энергетика
- высокая коррозионная стойкость оборудования,
цикл работы оборудования без капитального ре-
монта не менее 10…15 лет;
ЛИТЕРАТУРА
1. Абубекеров Р.А., Домашев В.Е., Домашев Е.Д.,
Карелин А.И., Карелин В.А. Ядерная и солнеч-
ная энергетика – проблемы и перспективы//
Енергетика: економіка, технології екологія.–
2002.– № 3.– С. 25-30.
- фторидные процессы легко поддаются автомати-
зации и компьютеризации;
- технология гибкая, работа оборудования может
легко и быстро перенастраиваться с одного вида
сырья на другой вид;
2. Карелин А.И., Карелин В.А., ДомашевЕ.Д., До-
машев В.Е., Юферова А.П., Абубекеров Р.А.
Производство поликристаллического полупро-
водникового кремния. // Енергетика: економіка,
технології, екологія.– 2002.– № 1.– С. 35-38.
- низкая себестоимость товарной продукции;
- низкие удельные капитальные затраты на созда-
ние производства.
К настоящему времени, авторами осуществлен
синтез поликристаллического полупроводниково-
го кремния в реальных условиях на лабораторной
установке, разработан проект опытно-
промышленного модуля, для создания которого
необходимо 1,0…1,5 млн. долларов. Совместно с
проектной организацией разработано технико-
экономическое обоснование инвестиций в созда-
ние промышленного производства по выпуску
ППК мощностью 2000 тонн/год.
3. Абубекеров Р.А., Домашев Е.Д., Карелин А.И. О
целесообразности создания замкнутого ядерно-
го топливного цикла в Украине// Пром.
теплотехника.– 1999.– Т. 21.– № 1.– С. 32-36.
4. Карелин А.И., Карелин В.А., Домашев Е.Д. О
целесообразности сжигания плутония в реакто-
рах на тепловых нейтронах и возможности
фторидной переработки отработавшего топлива//
Пром. теплотехника.– 1998.– Т. 20.– С. 58-62.
5. Карелин А.И., Карелин В.А., Домашев Е.Д., До-
машев В.Е., Ковалев С.В., Попадейкин М.В.
Обоснование процесса фторирования отрабо-
тавшего уран-плутоний нитридного топлива
реактора БРЕСТ элементным фтором// Пром.
теплотехника.– 2002.– Т. 24.– № 2-3.– С.116-121.
Себестоимость производства ППК предложен-
ным способом не выше, чем при получении алю-
миния, т. к. в качестве исходного сырья исполь-
зуют дешевый кварцевый песок, а удельный рас-
ход электрической энергии для электролитическо-
го получения ППК незначительно превышает
удельный расход электроэнергии при производст-
ве алюминия. Следовательно, ППК, полученный
по предложенному способу может быть реализо-
ван в производстве фотоэлектрических преобра-
зователей в солнечной энергетике по цене значи-
тельно меньшей 10 $/кг и обеспечить конкуренто-
способность солнечной энергетики [2].
6. Способ получения высокочистого тетрафторида
кремния, способ отделения тетрафторида
кремния от кислорода и высоколетучих фто-
ридов примесей, способ получения порошка
кремния из тетрафторида кремния и поликри-
сталлический полупроводниковый кремний,
полученный на основе этих способов/ А.И. Ка-
релин, В.А. Карелин, Р.А. Абубекеров, Е.Д. До-
машев.– Заявка на получение патента
РСТ/UA03/00034 от 01.10.2003. Выводы
Освоение новой технологии даст возможность
существенно увеличить использование солнечной
энергии.
Получено 29.01.2004 г.
66 ISSN 0204-3602. Пром. теплотехника, 2004, т. 26, № 5
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-61527 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0204-3602 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:53:30Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | Інститут технічної теплофізики НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Карелин, А.И. Карелин., В.А. Домашев, Е.Д. Домашев, В.Е. Юферова, А.П. Абубекеров, Р.А. 2014-05-07T05:34:45Z 2014-05-07T05:34:45Z 2004 Новая технология ускоренного освоения солнечной энергии / А.И. Карелин, В.А. Карелин., Е.Д. Домашев, В.Е. Домашев, А.П. Юферова, Р.А. Абубекеров // Промышленная теплотехника. — 2004. — Т. 26, № 5. — С. 61-66. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 0204-3602 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/61527 Поликристаллический полупроводниковый кремний (ППК) широко используется в солнечной энергетике при производстве больших и сверх больших интегральных схем, в микроэлектронике, и др. Предложенный в статье способ производства ППК с использованием фторидных технологий экологически чистый и имеет себестоимость значительно ниже, чем с использованием современных хлоридных технологий, что существенно расширяет масштабы развития солнечной энергетики. Полікристалічний напівпровідниковий кремній (ПНК) широко використовується в сонячній енергетиці при виробництві великих інтегральних схем, в мікроелектроніці, та ін. Запропонований в статті спосіб виробництва ПНК за допомогою фторидних технологій екологічно чистий та має собівартість набагато меншу, ніж з використанням сучасних хлоридних технологій, що суттєво розширює масштаби розвитку сонячної енергетики. Polycrystalline semi conducting silicon (PSS) is widely used in the production of large-scale integrated circuits, in microelectronics, in solar power, etc. The method of production of PSS with the help of fluoride technologies, proposed in this paper, is ecologically pure, and its manufacturing cost is mush lower than that of the presentday chloride technologies, which substantially broadens the scales of development of solar power. ru Інститут технічної теплофізики НАН України Промышленная теплотехника Нетрадиционная энергетика Новая технология ускоренного освоения солнечной энергии Article published earlier |
| spellingShingle | Новая технология ускоренного освоения солнечной энергии Карелин, А.И. Карелин., В.А. Домашев, Е.Д. Домашев, В.Е. Юферова, А.П. Абубекеров, Р.А. Нетрадиционная энергетика |
| title | Новая технология ускоренного освоения солнечной энергии |
| title_full | Новая технология ускоренного освоения солнечной энергии |
| title_fullStr | Новая технология ускоренного освоения солнечной энергии |
| title_full_unstemmed | Новая технология ускоренного освоения солнечной энергии |
| title_short | Новая технология ускоренного освоения солнечной энергии |
| title_sort | новая технология ускоренного освоения солнечной энергии |
| topic | Нетрадиционная энергетика |
| topic_facet | Нетрадиционная энергетика |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/61527 |
| work_keys_str_mv | AT karelinai novaâtehnologiâuskorennogoosvoeniâsolnečnoiénergii AT karelinva novaâtehnologiâuskorennogoosvoeniâsolnečnoiénergii AT domaševed novaâtehnologiâuskorennogoosvoeniâsolnečnoiénergii AT domaševve novaâtehnologiâuskorennogoosvoeniâsolnečnoiénergii AT ûferovaap novaâtehnologiâuskorennogoosvoeniâsolnečnoiénergii AT abubekerovra novaâtehnologiâuskorennogoosvoeniâsolnečnoiénergii |