Свойства многослойных наноразмерных пленок Ni/Y₂O₃, выращенных в магнитном поле

Определены свойства многослойных наноразмерных пленок Ni/Y₂O₃, выращенных во внешнем постоянном магнитном поле с индуктивностью 30 мТ и векторомнапряженности, перпендикулярным к плоскости пленки. Ориентация магнитных моментов кластеров Ni по полю приводит к их взаимному отталкиванию и возникновению...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Date:2009
Main Authors: Андреева, А.Ф., Касумов, А.М.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України 2009
Series:Наноструктурное материаловедение
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/62662
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Свойства многослойных наноразмерных пленок Ni/Y₂O₃, выращенных в магнитном поле / А.Ф. Андреева, А.М. Касумов // Наноструктурное материаловедение. — 2009. — № 3. — С. 68-73. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:Определены свойства многослойных наноразмерных пленок Ni/Y₂O₃, выращенных во внешнем постоянном магнитном поле с индуктивностью 30 мТ и векторомнапряженности, перпендикулярным к плоскости пленки. Ориентация магнитных моментов кластеров Ni по полю приводит к их взаимному отталкиванию и возникновению напряжений сжатия в кластерах, а также растяжению матрицы Y₂O₃. В растянутой матрице кластеры Ni растут, образуя цепочки. Появление в пленке цепочек приводит к смене механизма проводимости с прыжкового на металлический, снижению удельного сопротивления и исчезновению эффекта гигантского магнитосопротивления, наблюдаемого в пленках Ni/Y₂O₃, выращенных без магнитного поля. Свойства, нечувствительные к форме кластеров и напряжениям, — диэлектрическая проницаемость и оптические характеристики — остаются близкими для пленок, выращенных как в магнитном поле, так и без его применения.