Особенности электрофизических свойств полупроводниковых алмазов, выращенных методом температурного градиента

• Veröffentlicht in: Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения
• Datum: 2011
• Hauptverfasser: Чепугов, А.П., Катруша, А.Н., Романко, Л.А., Ивахненко, С.А., Заневский, О.А., Марков, А.И.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України 2011
• Schlagworte: Инструментальные, конструкционные и функциональные материалы на основе алмаза и кубического нитрида бора
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/63245
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Особенности электрофизических свойств полупроводниковых алмазов, выращенных методом температурного градиента / А.П. Чепугов, А.Н. Катруша, Л.А. Романко, С.А. Ивахненко, О.А. Заневский, А.И. Марков // Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения: Сб. науч. тр. — К.: ІНМ ім. В.М. Бакуля НАН України, 2011. — Вип. 14. — С. 254-261. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Изучена структура полупроводниковых монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента. Установлено, что образцы имеют сложное секториальное строение. Изучена возможность выращивания кристаллов алмаза, в объеме которых одна из пирамид роста имеет преимущественное развитие и является доминирующей. Измерена удельная электропроводность. Показана возможность получения довольно однородных полупроводниковых образцов из частей объема, принадлежащих отдельным пирамидам роста монокристалла алмаза. Вивчено структуру напівпровідникових монокристалів алмазу, вирощених методом температурного градієнта. Встановлено, що зразки мають складну секторіальну будову. Вивчено можливість вирощування кристалів алмазу, в об’ємі яких одна з пірамід росту має переважний розвиток і є домінуючою. Виміряно питому електропровідність. Показано можливість отримання доволі однорідних напівпровідникових зразків з частин об’єму, що належать окремим пірамідам росту монокристалу алмазу. The structure of semiconducting diamond single crystals grown by temperature gradient method were studied. It is established that the samples has complex sectorial structure. The possibility of growing diamond crystals in volume of which one of the growth pyramids has a preferential development and is the dominant one were studied, measurements of their electrical conductivity were performed. It is shown that it is possible to obtain homogeneous semiconductor samples from parts that belonging to individual growth pyramids of a single diamond crystal.