Особенности электрофизических свойств полупроводниковых алмазов, выращенных методом температурного градиента
Изучена структура полупроводниковых монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента. Установлено, что образцы имеют сложное секториальное строение. Изучена возможность выращивания кристаллов алмаза, в объеме которых одна из пирамид роста имеет преимущественное развитие и является...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
2011
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/63245 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Особенности электрофизических свойств полупроводниковых алмазов, выращенных методом температурного градиента / А.П. Чепугов, А.Н. Катруша, Л.А. Романко, С.А. Ивахненко, О.А. Заневский, А.И. Марков // Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения: Сб. науч. тр. — К.: ІНМ ім. В.М. Бакуля НАН України, 2011. — Вип. 14. — С. 254-261. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862619004503326720 |
|---|---|
| author | Чепугов, А.П. Катруша, А.Н. Романко, Л.А. Ивахненко, С.А. Заневский, О.А. Марков, А.И. |
| author_facet | Чепугов, А.П. Катруша, А.Н. Романко, Л.А. Ивахненко, С.А. Заневский, О.А. Марков, А.И. |
| citation_txt | Особенности электрофизических свойств полупроводниковых алмазов, выращенных методом температурного градиента / А.П. Чепугов, А.Н. Катруша, Л.А. Романко, С.А. Ивахненко, О.А. Заневский, А.И. Марков // Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения: Сб. науч. тр. — К.: ІНМ ім. В.М. Бакуля НАН України, 2011. — Вип. 14. — С. 254-261. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения |
| description | Изучена структура полупроводниковых монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента. Установлено, что образцы имеют сложное секториальное строение. Изучена возможность выращивания кристаллов алмаза, в объеме которых одна из пирамид роста имеет преимущественное развитие и является доминирующей. Измерена удельная электропроводность. Показана возможность получения довольно однородных полупроводниковых образцов из частей объема, принадлежащих отдельным пирамидам роста монокристалла алмаза.
Вивчено структуру напівпровідникових монокристалів алмазу, вирощених методом температурного градієнта. Встановлено, що зразки мають складну секторіальну будову. Вивчено можливість вирощування кристалів алмазу, в об’ємі яких одна з пірамід росту має переважний розвиток і є домінуючою. Виміряно питому електропровідність. Показано можливість отримання доволі однорідних напівпровідникових зразків з частин об’єму, що належать окремим пірамідам росту монокристалу алмазу.
The structure of semiconducting diamond single crystals grown by temperature gradient method were studied. It is established that the samples has complex sectorial structure. The possibility of growing diamond crystals in volume of which one of the growth pyramids has a preferential development and is the dominant one were studied, measurements of their electrical conductivity were performed. It is shown that it is possible to obtain homogeneous semiconductor samples from parts that belonging to individual growth pyramids of a single diamond crystal.
|
| first_indexed | 2025-12-07T13:16:10Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-63245 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2223-3938 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T13:16:10Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Чепугов, А.П. Катруша, А.Н. Романко, Л.А. Ивахненко, С.А. Заневский, О.А. Марков, А.И. 2014-05-31T07:11:07Z 2014-05-31T07:11:07Z 2011 Особенности электрофизических свойств полупроводниковых алмазов, выращенных методом температурного градиента / А.П. Чепугов, А.Н. Катруша, Л.А. Романко, С.А. Ивахненко, О.А. Заневский, А.И. Марков // Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения: Сб. науч. тр. — К.: ІНМ ім. В.М. Бакуля НАН України, 2011. — Вип. 14. — С. 254-261. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 2223-3938 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/63245 546.26-162 Изучена структура полупроводниковых монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента. Установлено, что образцы имеют сложное секториальное строение. Изучена возможность выращивания кристаллов алмаза, в объеме которых одна из пирамид роста имеет преимущественное развитие и является доминирующей. Измерена удельная электропроводность. Показана возможность получения довольно однородных полупроводниковых образцов из частей объема, принадлежащих отдельным пирамидам роста монокристалла алмаза. Вивчено структуру напівпровідникових монокристалів алмазу, вирощених методом температурного градієнта. Встановлено, що зразки мають складну секторіальну будову. Вивчено можливість вирощування кристалів алмазу, в об’ємі яких одна з пірамід росту має переважний розвиток і є домінуючою. Виміряно питому електропровідність. Показано можливість отримання доволі однорідних напівпровідникових зразків з частин об’єму, що належать окремим пірамідам росту монокристалу алмазу. The structure of semiconducting diamond single crystals grown by temperature gradient method were studied. It is established that the samples has complex sectorial structure. The possibility of growing diamond crystals in volume of which one of the growth pyramids has a preferential development and is the dominant one were studied, measurements of their electrical conductivity were performed. It is shown that it is possible to obtain homogeneous semiconductor samples from parts that belonging to individual growth pyramids of a single diamond crystal. ru Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения Инструментальные, конструкционные и функциональные материалы на основе алмаза и кубического нитрида бора Особенности электрофизических свойств полупроводниковых алмазов, выращенных методом температурного градиента Article published earlier |
| spellingShingle | Особенности электрофизических свойств полупроводниковых алмазов, выращенных методом температурного градиента Чепугов, А.П. Катруша, А.Н. Романко, Л.А. Ивахненко, С.А. Заневский, О.А. Марков, А.И. Инструментальные, конструкционные и функциональные материалы на основе алмаза и кубического нитрида бора |
| title | Особенности электрофизических свойств полупроводниковых алмазов, выращенных методом температурного градиента |
| title_full | Особенности электрофизических свойств полупроводниковых алмазов, выращенных методом температурного градиента |
| title_fullStr | Особенности электрофизических свойств полупроводниковых алмазов, выращенных методом температурного градиента |
| title_full_unstemmed | Особенности электрофизических свойств полупроводниковых алмазов, выращенных методом температурного градиента |
| title_short | Особенности электрофизических свойств полупроводниковых алмазов, выращенных методом температурного градиента |
| title_sort | особенности электрофизических свойств полупроводниковых алмазов, выращенных методом температурного градиента |
| topic | Инструментальные, конструкционные и функциональные материалы на основе алмаза и кубического нитрида бора |
| topic_facet | Инструментальные, конструкционные и функциональные материалы на основе алмаза и кубического нитрида бора |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/63245 |
| work_keys_str_mv | AT čepugovap osobennostiélektrofizičeskihsvoistvpoluprovodnikovyhalmazovvyraŝennyhmetodomtemperaturnogogradienta AT katrušaan osobennostiélektrofizičeskihsvoistvpoluprovodnikovyhalmazovvyraŝennyhmetodomtemperaturnogogradienta AT romankola osobennostiélektrofizičeskihsvoistvpoluprovodnikovyhalmazovvyraŝennyhmetodomtemperaturnogogradienta AT ivahnenkosa osobennostiélektrofizičeskihsvoistvpoluprovodnikovyhalmazovvyraŝennyhmetodomtemperaturnogogradienta AT zanevskiioa osobennostiélektrofizičeskihsvoistvpoluprovodnikovyhalmazovvyraŝennyhmetodomtemperaturnogogradienta AT markovai osobennostiélektrofizičeskihsvoistvpoluprovodnikovyhalmazovvyraŝennyhmetodomtemperaturnogogradienta |