Особенности электрофизических свойств полупроводниковых алмазов, выращенных методом температурного градиента

Особенности электрофизических свойств полупроводниковых алмазов, выращенных методом температурного градиента

Изучена структура полупроводниковых монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента. Установлено, что образцы имеют сложное секториальное строение. Изучена возможность выращивания кристаллов алмаза, в объеме которых одна из пирамид роста имеет преимущественное развитие и является...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения
Дата:2011
Автори: Чепугов, А.П., Катруша, А.Н., Романко, Л.А., Ивахненко, С.А., Заневский, О.А., Марков, А.И.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України 2011
Теми:
Инструментальные, конструкционные и функциональные материалы на основе алмаза и кубического нитрида бора
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/63245
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Особенности электрофизических свойств полупроводниковых алмазов, выращенных методом температурного градиента / А.П. Чепугов, А.Н. Катруша, Л.А. Романко, С.А. Ивахненко, О.А. Заневский, А.И. Марков // Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения: Сб. науч. тр. — К.: ІНМ ім. В.М. Бакуля НАН України, 2011. — Вип. 14. — С. 254-261. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-63245
record_format dspace
spelling Чепугов, А.П.
Катруша, А.Н.
Романко, Л.А.
Ивахненко, С.А.
Заневский, О.А.
Марков, А.И.
2014-05-31T07:11:07Z
2014-05-31T07:11:07Z
2011
Особенности электрофизических свойств полупроводниковых алмазов, выращенных методом температурного градиента / А.П. Чепугов, А.Н. Катруша, Л.А. Романко, С.А. Ивахненко, О.А. Заневский, А.И. Марков // Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения: Сб. науч. тр. — К.: ІНМ ім. В.М. Бакуля НАН України, 2011. — Вип. 14. — С. 254-261. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.
2223-3938
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/63245
546.26-162
Изучена структура полупроводниковых монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента. Установлено, что образцы имеют сложное секториальное строение. Изучена возможность выращивания кристаллов алмаза, в объеме которых одна из пирамид роста имеет преимущественное развитие и является доминирующей. Измерена удельная электропроводность. Показана возможность получения довольно однородных полупроводниковых образцов из частей объема, принадлежащих отдельным пирамидам роста монокристалла алмаза.
Вивчено структуру напівпровідникових монокристалів алмазу, вирощених методом температурного градієнта. Встановлено, що зразки мають складну секторіальну будову. Вивчено можливість вирощування кристалів алмазу, в об’ємі яких одна з пірамід росту має переважний розвиток і є домінуючою. Виміряно питому електропровідність. Показано можливість отримання доволі однорідних напівпровідникових зразків з частин об’єму, що належать окремим пірамідам росту монокристалу алмазу.
The structure of semiconducting diamond single crystals grown by temperature gradient method were studied. It is established that the samples has complex sectorial structure. The possibility of growing diamond crystals in volume of which one of the growth pyramids has a preferential development and is the dominant one were studied, measurements of their electrical conductivity were performed. It is shown that it is possible to obtain homogeneous semiconductor samples from parts that belonging to individual growth pyramids of a single diamond crystal.
ru
Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения
Инструментальные, конструкционные и функциональные материалы на основе алмаза и кубического нитрида бора
Особенности электрофизических свойств полупроводниковых алмазов, выращенных методом температурного градиента
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Особенности электрофизических свойств полупроводниковых алмазов, выращенных методом температурного градиента
spellingShingle Особенности электрофизических свойств полупроводниковых алмазов, выращенных методом температурного градиента
Чепугов, А.П.
Катруша, А.Н.
Романко, Л.А.
Ивахненко, С.А.
Заневский, О.А.
Марков, А.И.
Инструментальные, конструкционные и функциональные материалы на основе алмаза и кубического нитрида бора
title_short Особенности электрофизических свойств полупроводниковых алмазов, выращенных методом температурного градиента
title_full Особенности электрофизических свойств полупроводниковых алмазов, выращенных методом температурного градиента
title_fullStr Особенности электрофизических свойств полупроводниковых алмазов, выращенных методом температурного градиента
title_full_unstemmed Особенности электрофизических свойств полупроводниковых алмазов, выращенных методом температурного градиента
title_sort особенности электрофизических свойств полупроводниковых алмазов, выращенных методом температурного градиента
author Чепугов, А.П.
Катруша, А.Н.
Романко, Л.А.
Ивахненко, С.А.
Заневский, О.А.
Марков, А.И.
author_facet Чепугов, А.П.
Катруша, А.Н.
Романко, Л.А.
Ивахненко, С.А.
Заневский, О.А.
Марков, А.И.
topic Инструментальные, конструкционные и функциональные материалы на основе алмаза и кубического нитрида бора
topic_facet Инструментальные, конструкционные и функциональные материалы на основе алмаза и кубического нитрида бора
publishDate 2011
language Russian
container_title Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения
publisher Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
format Article
description Изучена структура полупроводниковых монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента. Установлено, что образцы имеют сложное секториальное строение. Изучена возможность выращивания кристаллов алмаза, в объеме которых одна из пирамид роста имеет преимущественное развитие и является доминирующей. Измерена удельная электропроводность. Показана возможность получения довольно однородных полупроводниковых образцов из частей объема, принадлежащих отдельным пирамидам роста монокристалла алмаза. Вивчено структуру напівпровідникових монокристалів алмазу, вирощених методом температурного градієнта. Встановлено, що зразки мають складну секторіальну будову. Вивчено можливість вирощування кристалів алмазу, в об’ємі яких одна з пірамід росту має переважний розвиток і є домінуючою. Виміряно питому електропровідність. Показано можливість отримання доволі однорідних напівпровідникових зразків з частин об’єму, що належать окремим пірамідам росту монокристалу алмазу. The structure of semiconducting diamond single crystals grown by temperature gradient method were studied. It is established that the samples has complex sectorial structure. The possibility of growing diamond crystals in volume of which one of the growth pyramids has a preferential development and is the dominant one were studied, measurements of their electrical conductivity were performed. It is shown that it is possible to obtain homogeneous semiconductor samples from parts that belonging to individual growth pyramids of a single diamond crystal.
issn 2223-3938
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/63245
citation_txt Особенности электрофизических свойств полупроводниковых алмазов, выращенных методом температурного градиента / А.П. Чепугов, А.Н. Катруша, Л.А. Романко, С.А. Ивахненко, О.А. Заневский, А.И. Марков // Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения: Сб. науч. тр. — К.: ІНМ ім. В.М. Бакуля НАН України, 2011. — Вип. 14. — С. 254-261. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT čepugovap osobennostiélektrofizičeskihsvoistvpoluprovodnikovyhalmazovvyraŝennyhmetodomtemperaturnogogradienta
AT katrušaan osobennostiélektrofizičeskihsvoistvpoluprovodnikovyhalmazovvyraŝennyhmetodomtemperaturnogogradienta
AT romankola osobennostiélektrofizičeskihsvoistvpoluprovodnikovyhalmazovvyraŝennyhmetodomtemperaturnogogradienta
AT ivahnenkosa osobennostiélektrofizičeskihsvoistvpoluprovodnikovyhalmazovvyraŝennyhmetodomtemperaturnogogradienta
AT zanevskiioa osobennostiélektrofizičeskihsvoistvpoluprovodnikovyhalmazovvyraŝennyhmetodomtemperaturnogogradienta
AT markovai osobennostiélektrofizičeskihsvoistvpoluprovodnikovyhalmazovvyraŝennyhmetodomtemperaturnogogradienta
first_indexed 2025-12-07T13:16:10Z
last_indexed 2025-12-07T13:16:10Z
_version_ 1850855517501521920

Схожі ресурси