Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения

• Date: 2004
• Main Authors: Войтович, И.Д., Лебедева, Т.С., Шпилевой, П.Б., Якопов, Г.В.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України 2004
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/6403
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения / И.Д. Войтович, Т.С. Лебедева, П.Б. Шпилевой, Г.В. Якопов // Комп’ютерні засоби, мережі та системи. — 2004. — № 3. — С. 35-42. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Работа посвящена разработке технологии тонкопленочных туннельных структур на основе ниобия и алюминия для детекторов излучения на базе сверхпроводниковых туннельных переходов (СТП). Проведен анализ влияния сверхпроводящих и микроструктурных характеристик слоев СТП на энергетическое разрешение детектора. Приведены результаты разработки технологии сверхпроводящих пленок ниобия, свободных от напряжения, а также структур Nb/AlOx-Al/Nb и Nb/Al-AlOx-Al/Nb, пригодных для детекторов излучений.