Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения
Работа посвящена разработке технологии тонкопленочных туннельных структур на основе ниобия и алюминия для детекторов излучения на базе сверхпроводниковых туннельных переходов (СТП). Проведен анализ влияния сверхпроводящих и микроструктурных характеристик слоев СТП на энергетическое разрешение детект...
Saved in:
| Date: | 2004 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України
2004
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/6403 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения / И.Д. Войтович, Т.С. Лебедева, П.Б. Шпилевой, Г.В. Якопов // Комп’ютерні засоби, мережі та системи. — 2004. — № 3. — С. 35-42. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-6403 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Войтович, И.Д. Лебедева, Т.С. Шпилевой, П.Б. Якопов, Г.В. 2010-03-02T11:50:44Z 2010-03-02T11:50:44Z 2004 Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения / И.Д. Войтович, Т.С. Лебедева, П.Б. Шпилевой, Г.В. Якопов // Комп’ютерні засоби, мережі та системи. — 2004. — № 3. — С. 35-42. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 1817-9908 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/6403 583.945 Работа посвящена разработке технологии тонкопленочных туннельных структур на основе ниобия и алюминия для детекторов излучения на базе сверхпроводниковых туннельных переходов (СТП). Проведен анализ влияния сверхпроводящих и микроструктурных характеристик слоев СТП на энергетическое разрешение детектора. Приведены результаты разработки технологии сверхпроводящих пленок ниобия, свободных от напряжения, а также структур Nb/AlOx-Al/Nb и Nb/Al-AlOx-Al/Nb, пригодных для детекторов излучений. ru Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения |
| spellingShingle |
Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения Войтович, И.Д. Лебедева, Т.С. Шпилевой, П.Б. Якопов, Г.В. |
| title_short |
Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения |
| title_full |
Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения |
| title_fullStr |
Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения |
| title_full_unstemmed |
Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения |
| title_sort |
разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения |
| author |
Войтович, И.Д. Лебедева, Т.С. Шпилевой, П.Б. Якопов, Г.В. |
| author_facet |
Войтович, И.Д. Лебедева, Т.С. Шпилевой, П.Б. Якопов, Г.В. |
| publishDate |
2004 |
| language |
Russian |
| publisher |
Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України |
| format |
Article |
| description |
Работа посвящена разработке технологии тонкопленочных туннельных структур на основе ниобия и алюминия для детекторов излучения на базе сверхпроводниковых туннельных переходов (СТП). Проведен анализ влияния сверхпроводящих и микроструктурных характеристик слоев СТП на энергетическое разрешение детектора. Приведены результаты разработки технологии сверхпроводящих пленок ниобия, свободных от напряжения, а также структур Nb/AlOx-Al/Nb и Nb/Al-AlOx-Al/Nb, пригодных для детекторов излучений.
|
| issn |
1817-9908 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/6403 |
| citation_txt |
Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения / И.Д. Войтович, Т.С. Лебедева, П.Б. Шпилевой, Г.В. Якопов // Комп’ютерні засоби, мережі та системи. — 2004. — № 3. — С. 35-42. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT voitovičid razrabotkatehnologiiformirovaniâsverhprovodnikovyhtunnelʹnyhperehodovdlâdetektorovizlučeniâ AT lebedevats razrabotkatehnologiiformirovaniâsverhprovodnikovyhtunnelʹnyhperehodovdlâdetektorovizlučeniâ AT špilevoipb razrabotkatehnologiiformirovaniâsverhprovodnikovyhtunnelʹnyhperehodovdlâdetektorovizlučeniâ AT âkopovgv razrabotkatehnologiiformirovaniâsverhprovodnikovyhtunnelʹnyhperehodovdlâdetektorovizlučeniâ |
| first_indexed |
2025-12-07T18:06:24Z |
| last_indexed |
2025-12-07T18:06:24Z |
| _version_ |
1850873777065295872 |