Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения
Работа посвящена разработке технологии тонкопленочных туннельных структур на основе ниобия и алюминия для детекторов излучения на базе сверхпроводниковых туннельных переходов (СТП). Проведен анализ влияния сверхпроводящих и микроструктурных характеристик слоев СТП на энергетическое разрешение детект...
Збережено в:
| Дата: | 2004 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України
2004
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/6403 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения / И.Д. Войтович, Т.С. Лебедева, П.Б. Шпилевой, Г.В. Якопов // Комп’ютерні засоби, мережі та системи. — 2004. — № 3. — С. 35-42. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862716678251479040 |
|---|---|
| author | Войтович, И.Д. Лебедева, Т.С. Шпилевой, П.Б. Якопов, Г.В. |
| author_facet | Войтович, И.Д. Лебедева, Т.С. Шпилевой, П.Б. Якопов, Г.В. |
| citation_txt | Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения / И.Д. Войтович, Т.С. Лебедева, П.Б. Шпилевой, Г.В. Якопов // Комп’ютерні засоби, мережі та системи. — 2004. — № 3. — С. 35-42. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| description | Работа посвящена разработке технологии тонкопленочных туннельных структур на основе ниобия и алюминия для детекторов излучения на базе сверхпроводниковых туннельных переходов (СТП). Проведен анализ влияния сверхпроводящих и микроструктурных характеристик слоев СТП на энергетическое разрешение детектора. Приведены результаты разработки технологии сверхпроводящих пленок ниобия, свободных от напряжения, а также структур Nb/AlOx-Al/Nb и Nb/Al-AlOx-Al/Nb, пригодных для детекторов излучений.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:06:24Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-6403 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1817-9908 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:06:24Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Войтович, И.Д. Лебедева, Т.С. Шпилевой, П.Б. Якопов, Г.В. 2010-03-02T11:50:44Z 2010-03-02T11:50:44Z 2004 Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения / И.Д. Войтович, Т.С. Лебедева, П.Б. Шпилевой, Г.В. Якопов // Комп’ютерні засоби, мережі та системи. — 2004. — № 3. — С. 35-42. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 1817-9908 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/6403 583.945 Работа посвящена разработке технологии тонкопленочных туннельных структур на основе ниобия и алюминия для детекторов излучения на базе сверхпроводниковых туннельных переходов (СТП). Проведен анализ влияния сверхпроводящих и микроструктурных характеристик слоев СТП на энергетическое разрешение детектора. Приведены результаты разработки технологии сверхпроводящих пленок ниобия, свободных от напряжения, а также структур Nb/AlOx-Al/Nb и Nb/Al-AlOx-Al/Nb, пригодных для детекторов излучений. ru Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения Article published earlier |
| spellingShingle | Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения Войтович, И.Д. Лебедева, Т.С. Шпилевой, П.Б. Якопов, Г.В. |
| title | Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения |
| title_full | Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения |
| title_fullStr | Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения |
| title_full_unstemmed | Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения |
| title_short | Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения |
| title_sort | разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/6403 |
| work_keys_str_mv | AT voitovičid razrabotkatehnologiiformirovaniâsverhprovodnikovyhtunnelʹnyhperehodovdlâdetektorovizlučeniâ AT lebedevats razrabotkatehnologiiformirovaniâsverhprovodnikovyhtunnelʹnyhperehodovdlâdetektorovizlučeniâ AT špilevoipb razrabotkatehnologiiformirovaniâsverhprovodnikovyhtunnelʹnyhperehodovdlâdetektorovizlučeniâ AT âkopovgv razrabotkatehnologiiformirovaniâsverhprovodnikovyhtunnelʹnyhperehodovdlâdetektorovizlučeniâ |