Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения
Работа посвящена разработке технологии тонкопленочных туннельных структур на основе ниобия и алюминия для детекторов излучения на базе сверхпроводниковых туннельных переходов (СТП). Проведен анализ влияния сверхпроводящих и микроструктурных характеристик слоев СТП на энергетическое разрешение детект...
Saved in:
| Date: | 2004 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України
2004
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/6403 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения / И.Д. Войтович, Т.С. Лебедева, П.Б. Шпилевой, Г.В. Якопов // Комп’ютерні засоби, мережі та системи. — 2004. — № 3. — С. 35-42. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860190820063248384 |
|---|---|
| author | Войтович, И.Д. Лебедева, Т.С. Шпилевой, П.Б. Якопов, Г.В. |
| author_facet | Войтович, И.Д. Лебедева, Т.С. Шпилевой, П.Б. Якопов, Г.В. |
| citation_txt | Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения / И.Д. Войтович, Т.С. Лебедева, П.Б. Шпилевой, Г.В. Якопов // Комп’ютерні засоби, мережі та системи. — 2004. — № 3. — С. 35-42. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| description | Работа посвящена разработке технологии тонкопленочных туннельных структур на основе ниобия и алюминия для детекторов излучения на базе сверхпроводниковых туннельных переходов (СТП). Проведен анализ влияния сверхпроводящих и микроструктурных характеристик слоев СТП на энергетическое разрешение детектора. Приведены результаты разработки технологии сверхпроводящих пленок ниобия, свободных от напряжения, а также структур Nb/AlOx-Al/Nb и Nb/Al-AlOx-Al/Nb, пригодных для детекторов излучений.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:06:24Z |
| format | Article |
| fulltext |
Комп’ютерні засоби, мережі та системи. 2004, № 3 35
Работа посвящена разработке
технологии тонкопленочных тун-
нельных структур на основе нио-
бия и алюминия для детекторов
излучения на базе сверхпровод-
никовых туннельных переходов
(СТП). Проведен анализ влияния
сверхпроводящих и микрострук-
турных характеристик слоев
СТП на энергетическое разреше-
ние детектора. Приведены ре-
зультаты разработки техноло-
гии сверхпроводящих пленок нио-
бия, свободных от напряжения, а
также структур Nb/AlOx-Al/Nb и
Nb/Al-AlOx-Al/Nb, пригодных для
детекторов излучений.
И.Д. Войтович, Т.С. Лебедева,
П.Б. Шпилевой, Г.В. Якопов,
2004
ÓÄÊ 583.945
È.Ä. ÂÎÉÒÎÂÈ×, Ò.Ñ. ËÅÁÅÄÅÂÀ,
Ï.Á. ØÏÈËÅÂÎÉ, Ã.Â. ßÊÎÏÎÂ
ÐÀÇÐÀÁÎÒÊÀ ÒÅÕÍÎËÎÃÈÈ
ÔÎÐÌÈÐÎÂÀÍÈß
ÑÂÅÐÕÏÐÎÂÎÄÍÈÊÎÂÛÕ
ÒÓÍÍÅËÜÍÛÕ ÏÅÐÅÕÎÄÎÂ
ÄËß ÄÅÒÅÊÒÎÐΠÈÇËÓ×ÅÍÈß
Введение. Исследования и разработки по
применению сверхпроводников для создания
детекторов излучения проводятся уже в те-
чение 20 лет. Интерес исследователей в дан-
ной области связан с тем, что минимальное
значение энергии, необходимой для разрыва
куперовской пары в сверхпроводнике и соз-
дания свободных носителей заряда, крайне
мало (единицы мэВ), меньше чем величина
энергии, которую несет единичный фотон
видимой области спектра. Это делает сверх-
проводники идеальными кандидатами для
детекторов фотонов от рентгеновского до
оптического и ближнего инфракрасного диа-
пазонов.
Основные направления в данной области
на сегодняшний день – создание сверхпро-
водниковых болометров и разработка детек-
торов на сверхпроводящих туннельных пере-
ходах (СТП) [1-5]. Второе направление явля-
ется, на наш взгляд, более перспективным,
поскольку дает возможность не только обна-
ружения отдельных фотонов, но и определе-
ния их энергии с высокой разрешающей спо-
собностью, а также создания детекторов
с рекордным быстродействием.
СТП находят применение в самых различ-
ных областях – от детектирования элемен-
тарных частиц в ядерной физике [1, 4−6] до
детектирования излучений в рентгеновском,
ультрафиолетовом, оптическом и близком
инфракрасном диапазонах в астрономии
[1, 2, 3, 7]. В последнее время ведутся разра-
И.Д. ВОЙТОВИЧ, Т.С. ЛЕБЕДЕВА, П.Б. ШПИЛЕВОЙ, Г.В. ЯКОПОВ
Комп’ютерні засоби, мережі та системи. 2004, № 3 36
ботки по их применению для рентгеновского флуоресцентного анализа биоло-
гических объектов [8].
Рассмотрим принципы функционирования СТП детекторов излучений,
чтобы стали понятны сложности, с которыми приходится сталкиваться при их
разработке и эксплуатации. Сверхпроводящий туннельный переход (СТП) со-
стоит их двух сверхпроводящих электродов, разделенных туннельным барьером
(рис. 1).
РИС. 1
Общая идея детектирования фотонов с помощью СТП очень проста. По-
глощенная в одном из сверхпроводящих электродов энергия падающего на по-
верхность СТП фотона идет на разрушение куперовских пар. Созданные вслед-
ствие этого свободные квазичастицы туннелируют через барьер между двумя
сверхпроводящими электродами. Изменение туннельного тока при приложен-
ном к СТП напряжении смещения менее 2∆/e дает информацию о детектируе-
мых фотонах. Следует заметить, что практическая реализация такого устройст-
ва достаточно сложна. Во-первых, для того чтобы СТП детектор мог в полной
мере реализовать свои уникальные возможности и найти практическое примене-
ние, особенно для работы с фотонами низких энергий, СТП нужно охлаждать до
температуры ниже 0,1Тс (Тс – температура перехода в сверхпроводящее состоя-
ние). Наиболее впечатляющие результаты получены при температурах ниже
100 мК. Однако при сегодняшнем уровне развития криогенной техники это не
принципиальные трудности, а, скорее, финансовые сложности. Во-вторых, фак-
тически сверхпроводящий туннельный переход и джозефсоновсий контакт – это
один и тот же физический объект, однако регистрируется не туннелирование
куперовских пар (джозефсоновский ток), а туннелирование неспаренных квази-
частиц (ток одночастичного туннелирования). Для того, чтобы устройство могло
работать как детектор фотонов, джозефсоновский ток, который на несколько
РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ ФОРМИРОВАНИЯ СВЕРХПРОВОДНИКОВЫХ ТУННЕЛЬНЫХ …
Комп’ютерні засоби, мережі та системи. 2004, № 3 37
порядков больше квазичастичного туннельного тока, необходимо подавить. Для
этого нужно создать магнитное поле, параллельное плоскости перехода (см.
рис.1). Расчеты показывают, что величина магнитного поля должна быть поряд-
ка 10 мТл, и оно может негативно влиять на сверхпроводимость электродов, тем
более, что детектор, как правило, изготавливается по тонкопленочной техноло-
гии. Чтобы уменьшить величину внешнего магнитного поля, можно использо-
вать СТП сложной формы, в котором происходит частичное самоподавление
джозефсоновского тока – в виде ромба (см. рис. 1) [2], кольца и даже в форме
функции нормального распределения [9]. Тогда можно прикладывать магнитное
поле в несколько мТл. Однако, как показала практика, на вольт-амперных харак-
теристиках СТП все равно присутствуют остаточные двухчастичные токи и ре-
зонансы Фиске. Для измерения на их фоне малых сигнальных токов (единицы
пА) необходимо совершенствование технологии создания СТП, обеспечиваю-
щей малые подщелевые токи, и усилительного тракта, обеспечивающего регист-
рацию сигнала.
Важнейшей характеристикой детектора фотонов является энергетическое
разрешение. Рассмотрим факторы, определяющие энергетическое разрешение
СТП детектора. При температурах существенно ниже температуры сверхпрово-
дящего перехода плотность термически возбужденных квазичастиц в сверхпро-
воднике очень мала. Число дополнительных носителей заряда, возникших в ре-
зультате поглощения энергии фотона,
No(λ)≈ 7,1⋅105⁄λ ∆(Т), (1)
где λ – длина волны фотона, нм; ∆(Т) – ширина энергетической щели сверхпро-
водника, эВ, достаточно велико. Так, для сверхпроводящего Nb число свобод-
ных носителей заряда No(λ), образовавшихся в результате поглощения фотона
λ = 500 нм, порядка 103. Статистические флуктуации No(λ) являются фундамен-
тальным ограничением (предел Фано) энергетического разрешения детектора
dλF ≈ 2,8⋅10-3 λ 3/2[F∆(Т)], (2)
где ε0 – энергия, требуемая для создания одной квазичастицы; Е – энергия по-
глощенного фотона; F – фактор Фано. Теоретические расчеты дают для боль-
шинства элементарных сверхпроводников ε0 ≈ 1,7∆; F ≈ 0,2, а dλF для Nb и
Al – 17 нм и 4 нм, соответственно, при λ = 500 нм [2]. Наилучшие возможности
по внутреннему разрешению детектора дает гафний, особенно для фотонов с
малой длиной волны dλF ≈ 0,2 нм при λ ≈ 100 нм [2]. Однако для Hf
Тс = 0,13 К, что затрудняет практическое применение. Более тщательное рас-
смотрение физических процессов, происходящих в СТП при детектировании
излучения, приводит к следующему виду зависимости энергетического разре-
шения детектора:
ЕFWHM = 2,35(σ2
Fano+σt
2+σsp
2+σel
2)1/2
. (3)
Здесь σ2
Fano = 1,7⋅∆⋅F⋅γ, где γ – энергия фотона, отражает статистические флук-
туации числа квазичастиц, первоначально индуцированных в процессе фотоаб-
сорбции; σt
2 ∝ 1,7⋅∆⋅γ – флуктуации заряда, собранного в процессе туннелиро-
вания; σsp
2 ∝ γ2 – связан с пространственными неоднородностями чувствительно-
И.Д. ВОЙТОВИЧ, Т.С. ЛЕБЕДЕВА, П.Б. ШПИЛЕВОЙ, Г.В. ЯКОПОВ
Комп’ютерні засоби, мережі та системи. 2004, № 3 38
сти детектора, σel
2 – с шумами считывающей электроники, не зависящими от
энергии фотона и от шумовых свойств СТП сенсора.
Энергетическая чувствительность наряду с такими факторами, как эффек-
тивность абсорбции фотонов, время жизни квазичастиц определяет направления
развития технологий создания СТП. В реальном устройстве на диффузию и по-
тери квазичастиц влияют такие характеристики пленок как кристаллическая
структура, размеры зерен и их границ, наличие центров рассеяния и захвата в
пленках и на их границах. В связи с этим усилия технологов направлены на вы-
бор материалов, отработку технологии бездефектных, беспримесных, свободных
от механических напряжений пленок высокой чистоты, приближающихся по
своим свойствам к монокристаллическим, поэтому развиты методы осаждения
эпитаксиальных пленок [2, 3, 6]. Большое значение имеют не только условия
изготовления туннельной структуры, но и процессы формирования рисунка:
качество фотолитографии, режимы термообработки фоторезистивных масок,
режимы ионного травлении пленок. На второй член выражения (3), связанный с
туннелированием квазичастиц через барьер, также влияет технология изготов-
ления СТП, поскольку свойствами барьера – его толщиной, составом, резкостью
и чистотой границ раздела определяется как время туннелирования, так и число
отражений при многократном туннелировании.
Для того, чтобы повысить эффективность работы детектора, необходимо
предотвратить возможность утечки генерированных излучением квазичастиц из
области, прилежащей к туннельному барьеру. Это обеспечивается введением с
обеих сторон туннельного барьера дополнительного («улавливающего») слоя
сверхпроводника с энергией щели, меньшей, чем у абсорбирующего слоя.
Детекторы на СТП изготавливают на структурах Nb/Al-AlOx-Al/Nb [2, 4, 5],
Та/Al-AlOx-Al/Та и др. [2, 6, 8, 9].
Учитывая вышеизложенное ясно, почему, несмотря на наличие техноло-
гий, позволяющих изготовить сложнейшие криоэлектронные микросхемы, ве-
дется множество разработок, посвященных технологиям детекторов фотонов на
СТП.
Самым важным и тонким процессом, обеспечивающим жизнеспособность
устройства, является формирование «трехслойки». Выделим основные факторы,
влияющие на качество вольт-амперных характеристик СТП Nb/Al-AlOx/Nb:
- нижний Nb: кристаллическая структура, размер зерна и границ зерен, морфо-
логия поверхности, напряжения в пленке, примеси, сверхпроводящие характе-
ристики;
- слой Al: кристаллическая структура, морфология, однородность по толщине,
напряжения, резкость границы раздела с Nb, диффузия в нижний Nb, сплош-
ность покрытия ниобия алюминием;
- барьерный слой AlOx: состав, наличие примесей, толщина, однородность по
толщине, наличие повреждений, связанных с напылением последующих слоев и
с термической обработкой устройства, диффузионный слой на границе с верх-
ним Nb;
РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ ФОРМИРОВАНИЯ СВЕРХПРОВОДНИКОВЫХ ТУННЕЛЬНЫХ …
Комп’ютерні засоби, мережі та системи. 2004, № 3 39
- верхний Nb: кристаллическая структура, размер зерна, морфология поверхно-
сти, напряжения в пленке, примеси, сверхпроводящие характеристики, резкость
границы раздела с AlOx.
Заметим, что требования к качеству СТП-структур для использования
в качестве детекторов фотонов более жесткие, чем для джозефсоновских приме-
нений. Первоочередным требованием является минимализация подщелевых то-
ков утечки, на фоне которых происходит выделение полезного сигнала в СТП
детекторах. СТП, как и джозефсоновские туннельные переходы, принято харак-
теризовать параметрами качества Vm = Ic⋅Rj и Rj/RN, где Rj/RN – отношение со-
противлений одночастичного туннелирования при напряжениях, ниже и выше
напряжения сверхпроводящей щели на реальной вольт-амперной характеристи-
ке (ВАХ). Для СТП Nb/AlOx-Al/Nb, имеющих величину сверхпроводящей щели,
близкую к теоретическому значению, Rj принято измерять при 2 мВ, а RN − при
4 мВ. Известно, что для высококачественных СТП при температуре функцио-
нирования приемников излучения около 0,1Тс, где Тс – температура свехпрово-
дящего перехода электродов, Rj/RN составляет около 104, что соответствует Vm
порядка 50 мВ при температуре 4,2 К.
В наших разработках сделаны первые шаги по созданию СТП, пригодных
для применения в детекторах фотонов.
Получение сверхпроводящих пленок Nb, свободных от напряжений,
с высоким Тс и R300/R10. Отработка технологии получения сверхпроводящих
пленок ниобия проводилась при изменении давления аргона от 2,0⋅10-2
Па
до 1,0 Па. Как показали исследования [10], скорость напыления пленок ниобия,
с одной стороны, должна быть достаточно высокой, чтобы избежать загрязнения
пленок примесями, содержащимися в аргоне, но, с другой стороны, очевидна
необходимость отсутствия нагрева подложек во время напыления, так как на-
грев может привести к деградации барьерного окисла. Скорость напыления
пленок ниобия во всем диапазоне давлений аргона составляла 3,5 − 4,0 нм/c.
Температура подложек при напылении не поднималась выше 70 0С. Толщина
получаемых пленок составляла 200 нм. Результаты исследования зависимости
механических напряжений в пленках ниобия от давления аргона при напылении,
выполненные методом прогиба балки, представлены на рис. 2. Из графика вид-
но, что осажденные магнетронным способом пленки ниобия имеют минималь-
ные напряжения при двух значениях давлений аргона – около 3,0⋅10-2
Па и 1 Па.
Очевидно, что более предпочтительным с точки зрения чистоты получаемых
пленок является давление, близкое к 3,0⋅10-2
Па, что и было подтверждено изме-
рениями температуры перехода в сверхпроводящее состояние (рис. 3).
Критическая температура свободных от напряжений пленок ниобия, полу-
ченных в описанном режиме, составляет 9,2 К, как и у массивного ниобия,
R300/R10 = 7, что является свидетельством высокого качества полученных пленок.
Отметим, что сравнение вышеприведенных данных с данными анодной спектро-
скопии показали прямую корреляцию профилей анодирования и критической
температуры ниобиевых пленок [11].
И.Д. ВОЙТОВИЧ, Т.С. ЛЕБЕДЕВА, П.Б. ШПИЛЕВОЙ, Г.В. ЯКОПОВ
Комп’ютерні засоби, мережі та системи. 2004, № 3 40
РИС. 2 РИС. 3
Формирование туннельного барьера. Особое внимание было уделено от-
работке влиянию процесса окисления алюминия на вольт-амперные характери-
стики СТП. Исследовались СТП, сформированные при термическом окислении
(РО2 = 133 Па, время окисления t = 45 мин), при окислении в тлеющем разряде
кислорода между алюминиевой мишенью магнетрона и подложкой (РО2 =
=3,0⋅10-2
Па, мощность разряда W = 90 Вт, t = 15 с), а также при окислении в два
этапа – сначала в плазме магнетрона, затем – в атмосфере кислорода. Формиро-
вание тестовых образцов, каждый из которых содержит 21 СТП размерами
20х20 мкм и 20х40 мкм, осуществлялось посредством процесса с двухстадий-
ным анодированием (“Two Anodization Process”, TAP) с одновременным экс-
пресс-контролем структур методом «анодной спектроскопии» [11]. Вольт-
амперные характеристики СТП были исследованы в жидком гелии, при темпе-
ратуре 4,2 К. Достигнуты следующие параметры качества СТП: Rj/RN > 10,
Vm = 60 мВ, что дает основание полагать [1], что СТП, изготовленные по данной
технологии, могут быть использованы в детекторах фотонов, в том числе в све-
топриемных устройствах.
Сравнение структур Nb/Al-AlOx-Al/Nb и Nb/AlOx-Al/Nb. Cтруктуры
Nb/Al-AlOx-Al/Nb изготавливались аналогично структурам Nb/AlOx-Al/Nb с
термическим окислением алюминия (давление кислорода - 133 Па, время окис-
ления - 45 мин). Профили анодирования структур показаны на рис. 4.
После окисления алюминия на структуру AlOx-Al/Nb напылялся дополни-
тельный слой алюминия толщиной 1-10 нм. RN⋅S (S - площадь перехода) для
ТПД Nb/Al-AlOx-Al/Nb составляла 12⋅10-6 Ом⋅см2, а для ТПД Nb/AlOx-Al/Nb −
23⋅10-6 Ом⋅см2. По-видимому, в структурах Nb/Al-AlOx-Al/Nb сказывается диф-
фузия на границе Nb/Al и эффект близости, проявляющийся в ухудшении сверх-
РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ ФОРМИРОВАНИЯ СВЕРХПРОВОДНИКОВЫХ ТУННЕЛЬНЫХ …
Комп’ютерні засоби, мережі та системи. 2004, № 3 41
проводящих свойств прилежащих к барьеру слоев из-за напыления дополни-
тельного слоя алюминия.
РИС. 4
На профилях анодирования структур Nb/Al-AlOx-Al/Nb (рис. 4) ясно видно
два плато алюминия - перед пиком окисла и после него, а также то, что для
структуры Nb/Al-AlOx-Al/Nb (рис. 4,б) пик окисла значительно выше, чем для
Nb/AlOx-Al/Nb (рис. 4,а). Поскольку напыление нижнего алюминия и его окис-
ление в обоих образцах проводилось одинаково, различие в высоте пиков окисла
может быть связано только с влиянием на окисный слой осаждаемого материала.
Очевидно осаждение алюминия меньше повреждает окисный слой, чем осажде-
ние ниобия. Склон кривой анодирования верхний ниобий-Al шире, чем склон
верхний ниобий-AlOx, что связано с интердиффузией на границе Nb/Al, в то
время как AlOx является хорошим диффузионным барьером.
Вольт-амперные характеристики туннельных джозефсоновских контактов
Nb/Al-AlOx-Al/Nb, измеренных при 4,2 К, показывают низкое значение сверх-
проводящей щели ∆ср=2,0 мВ, в то время как для ТПД Nb/AlOx-Al/Nb
∆ср = 2,7 мВ.
Полученные результаты позволяют ожидать, что при температуре ниже
температуры сверхпроводящего перехода Al (1,2 К) СТП Nb/Al-AlOx-Al/Nb бу-
дут иметь характеристики, позволяющие использовать их в качестве детекторов
излучения [1].
0 10 20 30 40 50 60 70 80
Напряжение, В
б
a
dV/dt, (отн, ед)
И.Д. ВОЙТОВИЧ, Т.С. ЛЕБЕДЕВА, П.Б. ШПИЛЕВОЙ, Г.В. ЯКОПОВ
Комп’ютерні засоби, мережі та системи. 2004, № 3 42
1. Booth N.., Goldie D. Superconducting particle detectors // Supercond. Sci. Technol. − 1996.
− N 3. − P. 493− 516.
2. Superconducting tunnel junction as detectors for ultraviolet, optical and near infrared astron-
omy / T. Peacock , P. Verhoev, N. Rando et. al. // Astron. Astriphys. Suppl. − 1997.−
123. − P. 581− 587.
3. Development of a superconducting tunnel junction as optical detector / S. Shiki, C. Otani,
H. Sato et. al. // RIKEN Rewiew. − 2002. − 47. − P. 7 − 9.
4. Futher development of series-connected superconducting tunnel junction to radiation detec-
tion / M. Kurakado, D. Oshawa, R. Katano et. al. // Rev. Sci. Instrum. − 1997. − 68, N 10. −
P. 3685− 3696.
5. Nb-based Josephson junction devices for nuclear radiation detection: Design and preliminary
experimental results / R. Cristiano, E. Esposito, L Frunzio et. al. // J.Appl. Phys. − 1994. −
75, N 10. − P. 5210− 5217.
6. Wilson C.M., Segal K., Frunzio L. Optical/UV single-photon imaging spectrometers using
connected superconducting tunnel junction // Nucl. Instr. Meth. in Phis. Res., A. − 2000.−
444. − P. 449− 452.
7. Optical STJ observations of the Crab Pulsar / M. Perryman, F. Favata, A. Peacock et. al. //
Astronomy and astrophysics. − 1999. − 346. − P. l30− l32.
8. Criogenic detectors and their application to X-ray fluorescense analysis / M. Frank, S. Fre-
derich, J. Hohne et. al. // J. X-ray Sci. And Techn. − 2003. − 11. − P. 83− 112.
9. Magnetic properties of annular Josephson junctions for radiation detecrors: Experimental re-
sults / R. Cristiano, E. Esposito, L Frunzio et. al. // Appl. Phys. Lett. − 2000. − 44, N 22. −
P. 3389− 3391.
10. Imamura and S. Hasuo. Fabrication of High Quality Nb/AlOx-Al/Nb Josephson junctions: I –
Sputtered Nb films for junction electrodes // IEEE Trans. Appl. Supercond. − 1992. − 2,
N 2. − P. 84− 93.
Получено 18.02.2004
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-6403 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1817-9908 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:06:24Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Войтович, И.Д. Лебедева, Т.С. Шпилевой, П.Б. Якопов, Г.В. 2010-03-02T11:50:44Z 2010-03-02T11:50:44Z 2004 Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения / И.Д. Войтович, Т.С. Лебедева, П.Б. Шпилевой, Г.В. Якопов // Комп’ютерні засоби, мережі та системи. — 2004. — № 3. — С. 35-42. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 1817-9908 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/6403 583.945 Работа посвящена разработке технологии тонкопленочных туннельных структур на основе ниобия и алюминия для детекторов излучения на базе сверхпроводниковых туннельных переходов (СТП). Проведен анализ влияния сверхпроводящих и микроструктурных характеристик слоев СТП на энергетическое разрешение детектора. Приведены результаты разработки технологии сверхпроводящих пленок ниобия, свободных от напряжения, а также структур Nb/AlOx-Al/Nb и Nb/Al-AlOx-Al/Nb, пригодных для детекторов излучений. ru Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения Article published earlier |
| spellingShingle | Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения Войтович, И.Д. Лебедева, Т.С. Шпилевой, П.Б. Якопов, Г.В. |
| title | Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения |
| title_full | Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения |
| title_fullStr | Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения |
| title_full_unstemmed | Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения |
| title_short | Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения |
| title_sort | разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/6403 |
| work_keys_str_mv | AT voitovičid razrabotkatehnologiiformirovaniâsverhprovodnikovyhtunnelʹnyhperehodovdlâdetektorovizlučeniâ AT lebedevats razrabotkatehnologiiformirovaniâsverhprovodnikovyhtunnelʹnyhperehodovdlâdetektorovizlučeniâ AT špilevoipb razrabotkatehnologiiformirovaniâsverhprovodnikovyhtunnelʹnyhperehodovdlâdetektorovizlučeniâ AT âkopovgv razrabotkatehnologiiformirovaniâsverhprovodnikovyhtunnelʹnyhperehodovdlâdetektorovizlučeniâ |