Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов

• Дата: 2006
• Автори: Будник, Н.Н., Лебедева, Т.С., Шпилевой, П.Б., Якопов, Г.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України 2006
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/6461
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов / Н.Н. Будник, Т.С. Лебедева, П.Б. Шпилевой, Г.В. Якопов // Комп’ютерні засоби, мережі та системи. — 2006. — № 5. — С. 47-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

При разработке детекторов излучений на основе сверхпроводящих туннельных переходов (СТП) важно учитывать факторы, ограничивающие параметры устройств, в частности, эффект близости. В случае СТП Nb/AlxOy-Al/Nb он связан со слоями Al на границах туннельного барьера. В данной работе рассмотрено влияние эффекта близости на сигнальные свойства детектора излучений, а также возможность калибровки оптического сенсора на основе СТП при температуре 4,2 К при помощи методики накопления данных. Developing of radiation detectors based on superconductive tunnel junction (STJ) it is important to take into account limiting device parameters factors as proximity effect, particularly. In the case of STJ Nb/AlxOy-Al/Nb the effect is related to Al layers at the interfaces of tunnel junction. The work is devoted to influence of proximity effect on signal properties of radiation detectors. The possibility of optical detector calibration using dataes accumulating is described too.