Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов

При разработке детекторов излучений на основе сверхпроводящих туннельных переходов (СТП) важно учитывать факторы, ограничивающие параметры устройств, в частности, эффект близости. В случае СТП Nb/AlxOy-Al/Nb он связан со слоями Al на границах туннельного барьера. В данной работе рассмотрено влияние...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2006
Hauptverfasser: Будник, Н.Н., Лебедева, Т.С., Шпилевой, П.Б., Якопов, Г.В.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України 2006
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/6461
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов / Н.Н. Будник, Т.С. Лебедева, П.Б. Шпилевой, Г.В. Якопов // Комп’ютерні засоби, мережі та системи. — 2006. — № 5. — С. 47-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862744516555964416
author Будник, Н.Н.
Лебедева, Т.С.
Шпилевой, П.Б.
Якопов, Г.В.
author_facet Будник, Н.Н.
Лебедева, Т.С.
Шпилевой, П.Б.
Якопов, Г.В.
citation_txt Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов / Н.Н. Будник, Т.С. Лебедева, П.Б. Шпилевой, Г.В. Якопов // Комп’ютерні засоби, мережі та системи. — 2006. — № 5. — С. 47-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
collection DSpace DC
description При разработке детекторов излучений на основе сверхпроводящих туннельных переходов (СТП) важно учитывать факторы, ограничивающие параметры устройств, в частности, эффект близости. В случае СТП Nb/AlxOy-Al/Nb он связан со слоями Al на границах туннельного барьера. В данной работе рассмотрено влияние эффекта близости на сигнальные свойства детектора излучений, а также возможность калибровки оптического сенсора на основе СТП при температуре 4,2 К при помощи методики накопления данных. Developing of radiation detectors based on superconductive tunnel junction (STJ) it is important to take into account limiting device parameters factors as proximity effect, particularly. In the case of STJ Nb/AlxOy-Al/Nb the effect is related to Al layers at the interfaces of tunnel junction. The work is devoted to influence of proximity effect on signal properties of radiation detectors. The possibility of optical detector calibration using dataes accumulating is described too.
first_indexed 2025-12-07T20:35:45Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-6461
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1817-9908
language Russian
last_indexed 2025-12-07T20:35:45Z
publishDate 2006
publisher Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України
record_format dspace
spelling Будник, Н.Н.
Лебедева, Т.С.
Шпилевой, П.Б.
Якопов, Г.В.
2010-03-04T10:57:57Z
2010-03-04T10:57:57Z
2006
Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов / Н.Н. Будник, Т.С. Лебедева, П.Б. Шпилевой, Г.В. Якопов // Комп’ютерні засоби, мережі та системи. — 2006. — № 5. — С. 47-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
1817-9908
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/6461
583.945
При разработке детекторов излучений на основе сверхпроводящих туннельных переходов (СТП) важно учитывать факторы, ограничивающие параметры устройств, в частности, эффект близости. В случае СТП Nb/AlxOy-Al/Nb он связан со слоями Al на границах туннельного барьера. В данной работе рассмотрено влияние эффекта близости на сигнальные свойства детектора излучений, а также возможность калибровки оптического сенсора на основе СТП при температуре 4,2 К при помощи методики накопления данных.
Developing of radiation detectors based on superconductive tunnel junction (STJ) it is important to take into account limiting device parameters factors as proximity effect, particularly. In the case of STJ Nb/AlxOy-Al/Nb the effect is related to Al layers at the interfaces of tunnel junction. The work is devoted to influence of proximity effect on signal properties of radiation detectors. The possibility of optical detector calibration using dataes accumulating is described too.
ru
Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України
Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов
Influenсе of proximity effect on the properties of superconductive tunnel junctions
Article
published earlier
spellingShingle Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов
Будник, Н.Н.
Лебедева, Т.С.
Шпилевой, П.Б.
Якопов, Г.В.
title Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов
title_alt Influenсе of proximity effect on the properties of superconductive tunnel junctions
title_full Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов
title_fullStr Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов
title_full_unstemmed Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов
title_short Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов
title_sort влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/6461
work_keys_str_mv AT budniknn vliânieéffektablizostinasvoistvasverhprovodâŝihtunnelʹnyhperehodov
AT lebedevats vliânieéffektablizostinasvoistvasverhprovodâŝihtunnelʹnyhperehodov
AT špilevoipb vliânieéffektablizostinasvoistvasverhprovodâŝihtunnelʹnyhperehodov
AT âkopovgv vliânieéffektablizostinasvoistvasverhprovodâŝihtunnelʹnyhperehodov
AT budniknn influenseofproximityeffectonthepropertiesofsuperconductivetunneljunctions
AT lebedevats influenseofproximityeffectonthepropertiesofsuperconductivetunneljunctions
AT špilevoipb influenseofproximityeffectonthepropertiesofsuperconductivetunneljunctions
AT âkopovgv influenseofproximityeffectonthepropertiesofsuperconductivetunneljunctions