Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов

Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов

При разработке детекторов излучений на основе сверхпроводящих туннельных переходов (СТП) важно учитывать факторы, ограничивающие параметры устройств, в частности, эффект близости. В случае СТП Nb/AlxOy-Al/Nb он связан со слоями Al на границах туннельного барьера. В данной работе рассмотрено влияние...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2006
Автори: Будник, Н.Н., Лебедева, Т.С., Шпилевой, П.Б., Якопов, Г.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України 2006
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/6461
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов / Н.Н. Будник, Т.С. Лебедева, П.Б. Шпилевой, Г.В. Якопов // Комп’ютерні засоби, мережі та системи. — 2006. — № 5. — С. 47-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-6461
record_format dspace
spelling Будник, Н.Н.
Лебедева, Т.С.
Шпилевой, П.Б.
Якопов, Г.В.
2010-03-04T10:57:57Z
2010-03-04T10:57:57Z
2006
Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов / Н.Н. Будник, Т.С. Лебедева, П.Б. Шпилевой, Г.В. Якопов // Комп’ютерні засоби, мережі та системи. — 2006. — № 5. — С. 47-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
1817-9908
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/6461
583.945
При разработке детекторов излучений на основе сверхпроводящих туннельных переходов (СТП) важно учитывать факторы, ограничивающие параметры устройств, в частности, эффект близости. В случае СТП Nb/AlxOy-Al/Nb он связан со слоями Al на границах туннельного барьера. В данной работе рассмотрено влияние эффекта близости на сигнальные свойства детектора излучений, а также возможность калибровки оптического сенсора на основе СТП при температуре 4,2 К при помощи методики накопления данных.
Developing of radiation detectors based on superconductive tunnel junction (STJ) it is important to take into account limiting device parameters factors as proximity effect, particularly. In the case of STJ Nb/AlxOy-Al/Nb the effect is related to Al layers at the interfaces of tunnel junction. The work is devoted to influence of proximity effect on signal properties of radiation detectors. The possibility of optical detector calibration using dataes accumulating is described too.
ru
Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України
Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов
Influenсе of proximity effect on the properties of superconductive tunnel junctions
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов
spellingShingle Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов
Будник, Н.Н.
Лебедева, Т.С.
Шпилевой, П.Б.
Якопов, Г.В.
title_short Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов
title_full Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов
title_fullStr Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов
title_full_unstemmed Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов
title_sort влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов
author Будник, Н.Н.
Лебедева, Т.С.
Шпилевой, П.Б.
Якопов, Г.В.
author_facet Будник, Н.Н.
Лебедева, Т.С.
Шпилевой, П.Б.
Якопов, Г.В.
publishDate 2006
language Russian
publisher Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України
format Article
title_alt Influenсе of proximity effect on the properties of superconductive tunnel junctions
description При разработке детекторов излучений на основе сверхпроводящих туннельных переходов (СТП) важно учитывать факторы, ограничивающие параметры устройств, в частности, эффект близости. В случае СТП Nb/AlxOy-Al/Nb он связан со слоями Al на границах туннельного барьера. В данной работе рассмотрено влияние эффекта близости на сигнальные свойства детектора излучений, а также возможность калибровки оптического сенсора на основе СТП при температуре 4,2 К при помощи методики накопления данных. Developing of radiation detectors based on superconductive tunnel junction (STJ) it is important to take into account limiting device parameters factors as proximity effect, particularly. In the case of STJ Nb/AlxOy-Al/Nb the effect is related to Al layers at the interfaces of tunnel junction. The work is devoted to influence of proximity effect on signal properties of radiation detectors. The possibility of optical detector calibration using dataes accumulating is described too.
issn 1817-9908
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/6461
citation_txt Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов / Н.Н. Будник, Т.С. Лебедева, П.Б. Шпилевой, Г.В. Якопов // Комп’ютерні засоби, мережі та системи. — 2006. — № 5. — С. 47-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT budniknn vliânieéffektablizostinasvoistvasverhprovodâŝihtunnelʹnyhperehodov
AT lebedevats vliânieéffektablizostinasvoistvasverhprovodâŝihtunnelʹnyhperehodov
AT špilevoipb vliânieéffektablizostinasvoistvasverhprovodâŝihtunnelʹnyhperehodov
AT âkopovgv vliânieéffektablizostinasvoistvasverhprovodâŝihtunnelʹnyhperehodov
AT budniknn influenseofproximityeffectonthepropertiesofsuperconductivetunneljunctions
AT lebedevats influenseofproximityeffectonthepropertiesofsuperconductivetunneljunctions
AT špilevoipb influenseofproximityeffectonthepropertiesofsuperconductivetunneljunctions
AT âkopovgv influenseofproximityeffectonthepropertiesofsuperconductivetunneljunctions
first_indexed 2025-12-07T20:35:45Z
last_indexed 2025-12-07T20:35:45Z
_version_ 1850883173268848640

Схожі ресурси