Разработка отечественного интеллектуального прибора „электронный нос”
Досліджуються та аналізуються вплив різних допантів, умов отримання та обробки на чутливість і селективність плівок нанокристалічного матеріалу діоксид олова. Показана можливість виготовлення матричних напівпровідникових датчиків для створення приладу «електронний ніс». Исследуются и анализируются в...
Saved in:
| Date: | 2009 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України
2009
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/6515 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Разработка отечественного интеллектуального прибора ”электронный нос” / И.Д. Войтович, С.И. Лукаш, Э.В. Панов, Е.А. Генкина, С.М. Малеваный, Т.С. Глущак // Комп’ютерні засоби, мережі та системи. — 2009. — № 8. — С. 155-163. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859657784850644992 |
|---|---|
| author | Войтович, И.Д. Лукаш, С.И. Панов, Э.В. Генкина, Е.А. Малеваный, С.М. Глущак, Т.С. |
| author_facet | Войтович, И.Д. Лукаш, С.И. Панов, Э.В. Генкина, Е.А. Малеваный, С.М. Глущак, Т.С. |
| citation_txt | Разработка отечественного интеллектуального прибора ”электронный нос” / И.Д. Войтович, С.И. Лукаш, Э.В. Панов, Е.А. Генкина, С.М. Малеваный, Т.С. Глущак // Комп’ютерні засоби, мережі та системи. — 2009. — № 8. — С. 155-163. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| description | Досліджуються та аналізуються вплив різних допантів, умов отримання та обробки на чутливість і селективність плівок нанокристалічного матеріалу діоксид олова. Показана можливість виготовлення матричних напівпровідникових датчиків для створення приладу «електронний ніс».
Исследуются и анализируются влияние разных допантов и условий получения на чувствительность и селективность пленок нанокри-сталлического материала диоксид олова. Показана возможность изготовления матричных полупроводниковых датчиков для создания прибора «электронный нос».
Influence of different doses of alloying elements, terms of receipt and treatment on sensitivity and selectivity of thin films of nanocristalic material dioxide tin is analyzed. Possibility of manufacture of matrix semiconductor sensors for creation of device of «electronic nose» is shown.
|
| first_indexed | 2025-11-30T09:34:49Z |
| format | Article |
| fulltext |
Комп’ютерні засоби, мережі та системи. 2009, № 8 155
I.D. Voitovych, S.I. Lukash,
E.V. Panov, E.A. Genkina,
S.M. Malevaniy, T.S. Gluschak
DESIGN OF THE
INTELLECTUAL DEVICE
"ELECTRONIC NOSE "
Influence of different doses of alloying
elements, terms of receipt and
treatment on sensitivity and selectivity
of thin films of nanocristalic material
dioxide tin is analyzed. Possibility of
manufacture of matrix semiconductor
sensors for creation of device of
«electronic nose» is shown.
Досліджуються та аналізуються
вплив різних допантів, умов отри-
мання та обробки на чутливість і
селективність плівок нанокристалі-
чного матеріалу діоксид олова. По-
казана можливість виготовлення
матричних напівпровідникових дат-
чиків для створення приладу «елек-
тронний ніс».
Исследуются и анализируются
влияние разных допантов и условий
получения на чувствительность и
селективность пленок нанокри-
сталлического материала диоксид
олова. Показана возможность из-
готовления матричных полупровод-
никовых датчиков для создания
прибора «электронный нос».
И.Д. Войтович, С.И. Лукаш,
Э.В. Панов, Е.А. Генкина,
С.М. Малёваный, Т.С. Глущак,
2009
УДК 681.3: 591.3
И.Д. ВОЙТОВИЧ, С.И. ЛУКАШ, Э.В. ПАНОВ,
Е.А. ГЕНКИНА, С.М. МАЛЁВАНЫЙ, Т.С. ГЛУЩАК
РАЗРАБОТКА ОТЕЧЕСТВЕННОГО
ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОГО ПРИБОРА
«ЭЛЕКТРОННЫЙ НОС»
Введение. Актуальность разработки интел-
лектуальных приборов экологического кон-
троля окружающей среды и технологиче-
ских процессов в промышленности не вы-
зывает сомнений. Одним из таких приборов
является «электронный нос» − мультисен-
сорная система распознавания компонентов
газовых смесей. Построенный на основе
полупроводниковых сенсоров и микропро-
цессорной техники прибор позволяет во
многих случаях заменить дорогие газовые
хроматографы. На рынке Украины практи-
чески отсутствуют устройства такого на-
правления.
В отличие от традиционных сенсорных
систем, требующих высокоселективных
чувствительных элементов, «электронный
нос» может содержать набор низкоселек-
тивных сенсоров, а возможность реализа-
ции систем подобного типа опирается на
развитые современные средства вычисли-
тельной техники и методы обработки мно-
гопараметрической информации.
Система «электронный нос» включает в
себя следующие компоненты [1]:
- матрицу высокочувствительных полу-
проводниковых сенсоров;
- систему пробоотбора;
- аналоговый адаптер для поддержания
режимов работы сенсоров в матрице и пре-
образования выходного сигнала сенсоров в
цифровой код;
- микропроцессор для предварительной
обработки сигнала сенсоров и организации
И.Д. ВОЙТОВИЧ, С.И. ЛУКАШ, Э.В. ПАНОВ, Е.А. ГЕНКИНА, С.М. МАЛЁВАНЫЙ, Т.С. ГЛУЩАК
Комп’ютерні засоби, мережі та системи. 2009, № 8 156
стандартного интерфейса для связи с компьютером;
- компьютер с программным обеспечением для управления устройством и
распознавания.
В настоящее время нанотехнологии позволяют получить требуемые харак-
теристики чувствительных слоев и при этом расширить набор материалов, ис-
пользуемых для производства сенсоров. К их числу относятся нанокомпози-
ционные материалы, включающие наночастицы металлов, оксидов металлов,
полимеры.
Наиболее реальными практически являются полупроводниковые датчики,
а единственным методом их создания остаются интегральные микроэлектрон-
ные технологии. Среди полупроводниковых датчиков предпочтительными ос-
таются металлооксидные датчики, принцип действия которых основан на изме-
нении проводимости широкозонных полупроводников на основе оксидов олова,
цинка, титана, вольфрама, индия и иридия, легированных металлами с каталити-
ческими свойствами (палладий, платина), при повышенной температуре в при-
сутствии анализируемых газов.
Производство большого количества дешевых и экономичных датчиков газов
может создать предпосылки для широкого экологического мониторинга ок-
ружающей среды, контроля технологических процессов и ранней медицинской
диагностики. Многообещающими являются перспективы использования дат-
чиков газов в медицине, например, при наблюдении и лечении сахарного диа-
бета, для диагностики некоторых других болезней по составу выдыхаемого
воздуха и т. п.
Одним из наиболее перспективных материалов является полупроводник n-
типа SnO2. Несмотря на огромное количество работ по электрофизическим свой-
ствам плёнок SnO2 в разных газовых сенсорах, механизм газовой чувствитель-
ности сенсоров на основе кристаллических плёнок SnO2 всё ещё не выяснен.
Например, известно [2, 3], что в воздухе на зёрнах нагретой поверхности поли-
кристаллических плёнок хемосорбируется кислород из воздуха. На поверхности
SnO2 образуются ионы О2
− или О− с локализацией на них электронов зоны про-
водимости кристаллов SnO2. Изменяется электропроводность поверхности по-
ликристаллической плёнки SnO2, а при контакте с аналитом (анализируемым
газом) на поверхности полупроводника протекает гетерогенно-каталитическая
реакция окисления (восстановления). При этом изменяется степень заполнения
поверхности SnO2 кислородом. Чем больше концентрация аналита, тем большее
количество кислорода пойдёт на его окисление, тем меньше стационарная сте-
пень заполнения поверхности кислородом, тем выше электропроводность плён-
ки SnO2. Параллельно действует другой механизм электропроводности. Он ос-
нован на образовании энергетического барьера на границе между кристаллами
SnO2, потому что сенсорным элементом является поликристаллическая плёнка
SnO2.
В работах [3 − 8] был изучен механизм чувствительности поликристалличе-
ских плёнок SnO2, полученных по разработанной авторами методике: синтез
в солевых расплавах допированных нанокристаллических порошков SnO2 и из-
РАЗРАБОТКА ОТЕЧЕСТВЕННОГО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОГО ПРИБОРА «ЭЛЕКТРОННЫЙ НОС»
Комп’ютерні засоби, мережі та системи. 2009, № 8 157
готовление на диэлектрических подложках чувствительных элементов газового
сенсора по технологии толстых плёнок. Обоснован выбор критериев получения
плёнок для конкретных сенсоров. Сформулирован принцип подбора материала
сенсора на SnO2, чувствительного к этанолу и диметилкетону.
Цель данной работы – разработка и исследование сенсоров для аналитиче-
ской системы «электронный нос» на основе синтезированного материала SnO2,
создание стабильного во времени, чувствительного и селективного слоя в виде
поликристаллических плёнок для газовых сенсоров на этанол и диметилкетон.
Методика эксперимента. Допированный диоксид олова синтезировали
в расплаве нитратов калия и натрия при температуре 450 − 500 оС по схемам:
SnCl2 ⋅ 2H2O + 2KNO3 → SnO2↓ + 2KCl + 2NO2↑ + 2H2O↑,
SnOz/2(OH)4-zxH2O → SnO2↓ + (x + (2 − z/2))H2O↑,
где z ≈ 2.
В качестве прекурсоров использовали соли Sn, прекурсоры допантов – соли
некоторых s- и d-металлов марки ХЧ. Ионный состав прекурсора выбирался с
учетом оптимальной температуры термического разложения и необходимости
формирования на поверхности кристалла слоёв с требуемым фазовым составом,
составом структурных дефектов и ионных группировок. Синтезированные по-
рошки нанокристаллов SnO2 + МxOy выделены из реакционной среды, промыты
и высушены в вакууме.
Для правильного выбора условий синтеза использовали данные деривато-
графии о взаимодействии прекурсоров с нитратным расплавом. Для идентифи-
кации фазового состава, морфологии, структуры, дефектности, концентрации
поверхностных группировок и удельной поверхности порошков использовали
следующие методы: РФА, ТЭМ, СЭМ, ЯМР-, ЭПР-, ИК-спектроскопии и метод
низкотемпературной адсорбции азота по БЭТ. Полученные порошки SnO2 +
+ МxOy были среднего размера (по данным РФА, уширение рентгеновских реф-
лексов, формула Шеррера) от 5 до 20 нм в зависимости от типа и концентрации
допанта и представляли из себя агломераты размерами до 200 нм (данные ТЭМ,
СЭМ); средняя удельная поверхность порошков составляла 200 м2/г (данные
БЭТ).
Плёнки на диэлектрической подложке (Al2O3) диаметром 4 мм получали ме-
тодами седиментационного осаждения, трафаретной печати или растекания
из коллоидных растворов по следующей методике: на обезжиренную поверх-
ность подложки наносилась суспензия из 90 % нанопорошка в растворе PVDF
в 1-метил-2-пиролидоне. Плёнку высушивали при 60 оС в течение 3 часов. Далее
плёночный сенсорный элемент подвергали термообработке в вакууме (400 оС,
3 часа). На противоположные концы образца наносили плёночные серебряные
контактные площадки из серебряной пасты с последующей термообработкой
(600 оС, 2 часа).
Стенд для тестирования чувствительных элементов показан на рис. 1.
Сенсорный элемент закрепляли в камере, в которой газовый состав и темпе-
ратуру можно было изменять и контролировать. Ток в цепи чувствительного
И.Д. ВОЙТОВИЧ, С.И. ЛУКАШ, Э.В. ПАНОВ, Е.А. ГЕНКИНА, С.М. МАЛЁВАНЫЙ, Т.С. ГЛУЩАК
Комп’ютерні засоби, мережі та системи. 2009, № 8 158
элемента измеряли при заданных температуре и концентрации паров этанола
или диметилкетона в камере.
РИС. 1. Блок-схема стенда для тестирования
чувствительных элементов: 1 –
осушитель воздуха; 2 – форвакуум-
ный насос; 3 – вакуумметр термо-
парный; 4 – цифровой милливольт-
метр; 5 – образец; 6 – преобразова-
тель сопротивления; 7 – самопи-
шущий потенциометр; 8 – терморе-
гулятор; 9 – источник тока нагрева-
теля; 10 – ёмкость для аналита; 11 –
герме-тичный корпус держателя об-
разца; 12 – манометр
Экспериментальные данные и их обсуждение. Изучение физико-
химических свойств синтезированных порошков SnO2 + MxOy позволило сфор-
мулировать ряд приёмов изменения в процессе синтеза и термообработки элек-
трических свойств поверхности этих кристаллов. В предыдущих работах [6, 7]
авторами установлено, что допирование SnO2 в процессе синтеза оксидами не-
которых металлов приводит к изменению размеров кристалла SnO2, возможно за
счет образования твёрдого раствора допанта в SnO2. При этом изменяется не
только размер кристалла, но и параметры кристаллической решётки, что видно
на рис. 2 и 3, а также в табл. 1 и 2.
Заметно, что при введении в SnO2 допанта Bi происходит уширение рефлек-
са, т. е. уменьшение размера частицы SnO2, которое прогрессирует с увеличени-
ем концентрации допанта. При этом уменьшаются также параметры кристалли-
ческой решётки SnO2, (см. табл. 2). Образование твёрдого раствора SnO2 с до-
пантом приводит, как показали наши исследования (данные РФА), к существен-
ному изменению состава и структуры поверхности кристалла SnO2.
РИС. 2. Данные РФА, профиль рефлекса SnO2
(110, касситерит), концентрация
PbO: 1,5; 3 и 6 мол. %
РИС. 3. Влияние концентрации допанта
(1 − NiO; 2 − Bi2O3; 3 − PbO)
на размер частиц SnO2
РАЗРАБОТКА ОТЕЧЕСТВЕННОГО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОГО ПРИБОРА «ЭЛЕКТРОННЫЙ НОС»
Комп’ютерні засоби, мережі та системи. 2009, № 8 159
ТАБЛИЦА 1. Влияние содержания вис-
мута на размер кристаллов
нанопорошка SnO2+Bi2O3
ТАБЛИЦА 2. Изменение параметров
решетки кристалла SnO2
Содержание Ві,
мол. %
Средний размер
кристаллов, нм
Чистый
SnO2
Образец с содержанием
20 % Bi, мол. %
0 11,25 а = 4,738 А а = 4,7445 ± 0,0008 А
2 11,74 c = 3,188 А c = 3,2365 ± 0,0014 А
4 10,06
10 8,70
15 7,62
20 6,25
Причиной этому являются процессы, которые протекают на поверхности
кристалла SnO2:
Их можно условно представить такими схемами:
- гетеровалентное замещение Sn4+ на Bi3+ в катионной тетрагональной
подрешетке SnO2 с образованием твёрдого раствора и кислородной вакансии
SnO2 + хBiO1,5 → Sn1-xBixO2 − x/2Vx/2O2 ;
- скачок электрона, как механизм формирования суперкислотного центра.
Эти схемы подтверждены данными ЭПР и ЯМР-спектроскопии.
Таким образом, образование твёрдого раствора допанта со SnO2 приводит
к формированию на поверхности двух дефектов разной природы: формирование
кислородных вакансий V и суперкислотного центра. Эти дефекты очень чувст-
вительны к адсорбции газовой молекулы (кислорода и аналита). Эти эффекты
использованы нами для увеличения селективности сенсорного материала на ос-
нове SnO2+ МxOy к диметилкетону.
Преимуществом использования нанодисперсного порошка для изготовления
сенсорного материала является возможность формирования высокой активной
пористости в материале и увеличение тем самым количества адсорбированного
газа, т. е. чувствительности сенсора.
Механизм электропроводности σ поликристаллических плёнок из нанодис-
персного допированного SnO2 изучали по температурным σ(T) и концентраци-
онным σ(С) зависимостям.
Электропроводность плёнок на основе синтезированного нанодисперсного
SnO2 существенно зависит от условий его синтеза в расплавах, типа допанта
и условий термообработки продукта синтеза. Для выявления данного влияния
изучена температурная зависимость электропроводности, для которой парамет-
И.Д. ВОЙТОВИЧ, С.И. ЛУКАШ, Э.В. ПАНОВ, Е.А. ГЕНКИНА, С.М. МАЛЁВАНЫЙ, Т.С. ГЛУЩАК
Комп’ютерні засоби, мережі та системи. 2009, № 8 160
рами были тип допанта, размер r кристаллов SnO2 и условия термообработки.
Энергия активации электропроводности (Eа) для порошков SnO2 при разных зна-
чениях вышеуказанных трёх параметров были определены по данным экспери-
ментальных графиков σ(T). Результаты приведены в табл. 3.
ТАБЛИЦА 3. Значения энергии активации электропроводности в зависимости от r,
типа допанта, условий термообработки
№ Плёнка: №, состав,
допант, % Размер частиц, нм Значение Eа, эВ
1 45, SnO2 + 5 % Fe2O3 воздух* 14,0 0,62
2 45, SnO2 + 5 % Fe2O3 вакуум* 14,0 0,90
3 46, SnO2 + 2 % Bi2O3
11,7 0,50
4 50, SnO2 + 10 % MoO3 20,0 0,19
5 64, SnO2 + 5 % PbO (350 oC)* 19,0 0,66
6 67, SnO2 + 5 % PbO (120 oC)* 12,0 0,33
7 80, SnO2 + 8 % CuO 6,2 0,16
Примечание:
* − указаны различия в условиях термообработки; для чистого SnO2 Eа = 0,9 эВ.
При средних размерах r получены значения энергии активации, которые со-
гласуются с теоретическими величинами межкристаллитного потенциала.
Это означает, что в этих условиях при оптимальном значении r из двух воз-
можных механизмов проводимости поликристаллической плёнки SnO2 + MxOy
(в объёме полупроводника или на границе зёрен оксида олова) определяющей
является проводимость через границу зёрен. При таком механизме электропро-
водность олова очень чувствительна к структуре и составу поверхностного слоя
кристалла диоксида.
Было также показано [7], что с уменьшением размера кристалла SnO2 + MxOy
уменьшается электронная составляющая электропроводности и увеличивается
вклад ионной составляющей. Последняя увеличивается из-за увеличения кон-
центрации координированных поверхностью молекул воды (данные ЭПР- и ИК-
спектроскопия), которые провоцируют протонную проводимость. Такое измене-
ние соотношения электронной и ионной проводимости ухудшает чувствитель-
ность сенсора на материале SnO2 + MxOy к определяемому газу. Одновременно
с уменьшением размера кристаллов SnO2 + MxOy увеличивается площадь контак-
тов между ними. Это приводит к перераспределению вкладов поверхностной σs
и объемной σo в общую электропроводность и к увеличению пористости плёнки.
РАЗРАБОТКА ОТЕЧЕСТВЕННОГО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОГО ПРИБОРА «ЭЛЕКТРОННЫЙ НОС»
Комп’ютерні засоби, мережі та системи. 2009, № 8 161
Другим следствием уменьшения размера кристалла SnO2 + MxOy является суще-
ственное изменение структуры и состава его поверхности.
Рассматривая температурные зависимости электросопротивления R(T) по-
ликристаллических плёнок SnO2 допированных образцов (рис. 4), обращает на
себя внимание полупроводниковый характер зависимости R(T) в диапазоне Т ≤
≤ 373 К: значение R линейно падает с ростом Т. Наиболее близка к теоретиче-
ской зависимость R(T) для образца Sn0,95Pb0,05O2. Этот образец (рис. 4, в) в отли-
чие от остальных образцов (рис. 4, а, б, г) дополнительно был подвержен темпе-
ратурной обработке в вакууме при 623 К. Известно [5 − 7], что поверхность кри-
сталла SnO2 в атмосфере воздуха плотно покрыта адсорбированными ОН-груп-
пами. Таким образом, термообработка приводит к десорбции с поверхности ди-
оксида олова данных групп. Эта технологическая операция должна способство-
вать увеличению плотности свободных адсорбционных мест и увеличению ко-
личества адсорбированного на поверхности SnO2 кислорода, т. е. увеличению
сенсорной чувствительности к определяемому аналиту. Максимум при 454 К на
графиках R(T) для образца с Мо (рис. 4, б) подобен полученному ранее для Sb и
обусловлен перестройкой молекул воды на поверхности оксида. Отмечается
также существенное увеличение сопротивления образца с Pb (приблизительно
в 50 раз) после восстановительной термообработки (сравните рис. 4, в и г).
а б
в г
РИС. 4. Температурные зависимости электросопротивления плёночных образцов:
а − SnO2 + 2 % Bi2O3 ; б − SnO2 + 10 % МоО3 ; в − SnO2 + 5 % PbO (термообработка
порошка 673 К); г − SnO2 + 5 % PbO (сушка порошка после синтеза при 393 К)
И.Д. ВОЙТОВИЧ, С.И. ЛУКАШ, Э.В. ПАНОВ, Е.А. ГЕНКИНА, С.М. МАЛЁВАНЫЙ, Т.С. ГЛУЩАК
Комп’ютерні засоби, мережі та системи. 2009, № 8 162
Скорость адсорбции кислорода на сенсорном материале из допированного
SnO2 [6 − 8] определяет как чувствительность сенсора, так и его динамические
характеристики, т. е. время отклика на изменение концентрации аналита.
Это видно на рис. 5 для сенсорного материала с Bi и Pb: стационарное со-
стояние тока восстанавливается быстро. Для образца с Mо стационарные значе-
ния тока плохо восстанавливаются во времени, что свидетельствует о медлен-
ном и необратимом процессе адсорбции кислорода. Результаты тестирования
плёнок SnO2 + 2 % Bi2O3 и SnO2 +5 % PbO в парах этанола показаны на рис. 6.
а а
б б
РИС. 6. Реакция чувствительных
слоев плёнок: а − SnO2 +
+2 % Bi2O3 и б − SnO2 +
+5 % PbO на пары этанола
в
РИС. 5. Динамика изменения электропроводности
плёнок при замене состава газовой среды
при температуре нагрева образца: а − SnO2 +
+ 2 % Bi2O3 (527 К); б − SnO2 +10 % МоО3
(557 К); в − SnO2 +5 % PbO (558 К)
Образцы имели хорошую воспроизводимость и достаточно быстрый отклик.
Проведенные длительные в течение месяца измерения показали удовлетвори-
тельную стабильность характеристик образцов во времени.
Таким образом, конструкция блока сенсоров гибридного исполнения может
содержать основную подложку, на которой изготовлен нагреватель, и располо-
РАЗРАБОТКА ОТЕЧЕСТВЕННОГО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОГО ПРИБОРА «ЭЛЕКТРОННЫЙ НОС»
Комп’ютерні засоби, мережі та системи. 2009, № 8 163
женные на ней чувствительные элементы с различными допантами. Это обеспе-
чивает формирование полного информационного сигнала как совокупности сиг-
налов от каждого датчика.
Дальнейшая обработка сигналов с помощью программного обеспечения
и разработанной экспертной программы позволит определить газ и его
концентрацию.
Заключение. Газовые датчики − основа аналитического прибора «элек-
тронный нос». Синтез и допирование в солевых расплавах сенсорного материала
на основе нано-SnO2 позволяет направленно изменять такие его параметры:
форму и размер зерна, концентрацию свободных носителей тока, элементный
и фазовый состав, стехиометрию и строение поверхности нанокристалла для
обеспечения изменения чувствительности и селективности датчиков. Показано,
что изменение кристаллической структуры влияет на сенсорные характеристики
плёнок SnO2.
Параметры образцов стабильны во времени, имеют высокую чувствитель-
ность сенсорного материала к кислороду, парам простых спиртов и кетонов.
При серийном изготовлении датчиков вполне возможно их применение в анали-
тической системе.
1. Лукаш С.И., Войтович И.Д., Алерс Х. Особенности работы матричных полупроводнико-
вых сенсоров в системе „Электронный нос”. Ч. I // Комп’ютерні засоби, мережі та систе-
ми. – 2007. – № 6. – С. 81 – 88.
2. Киселёв В.Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках. – М.: Наука,
1970. – 399 с.
3. Генкина Е.А., Малёваный С.М., Панов Э.В. Синтез в нитратных расплавах нанокристал-
лических фаз диоксида олова, плёнки на их основе, свойства полученных плёнок // Укр.
хим. журн. – 2003. – Т. 69. – № 3. – С. 11– 13.
4. Панов Э.В., Генкина Е.А., Глущак Т.С. Электропроводность плёнок нанокристаллическо-
го диоксида олова: влияние условий синтеза, температуры, газовой среды // Вестник
Харьковского национального ун-та.– 2005.– № 648, серия химия, в. 12(35).– С. 184 – 187.
5. Генкина Е.А., Малеваный С.М., Панов Э.В. Электрические и сенсорные свойства нано-
кристаллических фаз диоксида олова, допированных Fe, Mo, Bi, Pb. Влияние условий
синтеза, температуры, состава газовой атмосферы // Химия, физика и технология по-
верхности. Межведомственный сборник – 2007. – Т. 13. – С. 152 – 159.
6. Генкина Е.А., Панов Э.В., Малёваный С.М., Смаглий А.В. Сенсорные характеристики (на
примере низкомолекулярных спиртов и кетонов) нанокристаллического диоксида олова,
допированного сурьмой и висмутом // «Наносистемы, наноматериалы, нанотехнологии».
– 2007. – Т. 4. – Вып. 4. – С. 853 – 859.
7. Панов Э.В., Генкина Е.А. Электропроводность и сенсорные свойства допированных
диоксидов олова // Науковий вісник Черновецького гос. ун-ту. – 2008. – Вип. 399. –
С. 34 – 38.
8. Волков С.В., Малёваный С.М., Панов Э.В. Электродные наноматериалы на основе окси-
дов олова и марганца: синтез в солевых расплавах, структура, свойства, применение //
Материалы 1 междунар. конф. «Наноструктурные материалы: Беларусь, Россия, Украи-
на», 22 – 25 апреля 2008. – Минск: Белорусь, 2008. – С. 225 – 227.
Получено 31.07.2009
удк 681.3: 591.3
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-6515 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1817-9908 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-30T09:34:49Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Войтович, И.Д. Лукаш, С.И. Панов, Э.В. Генкина, Е.А. Малеваный, С.М. Глущак, Т.С. 2010-03-05T15:04:31Z 2010-03-05T15:04:31Z 2009 Разработка отечественного интеллектуального прибора ”электронный нос” / И.Д. Войтович, С.И. Лукаш, Э.В. Панов, Е.А. Генкина, С.М. Малеваный, Т.С. Глущак // Комп’ютерні засоби, мережі та системи. — 2009. — № 8. — С. 155-163. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 1817-9908 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/6515 681.3:591.3 Досліджуються та аналізуються вплив різних допантів, умов отримання та обробки на чутливість і селективність плівок нанокристалічного матеріалу діоксид олова. Показана можливість виготовлення матричних напівпровідникових датчиків для створення приладу «електронний ніс». Исследуются и анализируются влияние разных допантов и условий получения на чувствительность и селективность пленок нанокри-сталлического материала диоксид олова. Показана возможность изготовления матричных полупроводниковых датчиков для создания прибора «электронный нос». Influence of different doses of alloying elements, terms of receipt and treatment on sensitivity and selectivity of thin films of nanocristalic material dioxide tin is analyzed. Possibility of manufacture of matrix semiconductor sensors for creation of device of «electronic nose» is shown. ru Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України Разработка отечественного интеллектуального прибора „электронный нос” Design of the intellectual device "electronic nose" Article published earlier |
| spellingShingle | Разработка отечественного интеллектуального прибора „электронный нос” Войтович, И.Д. Лукаш, С.И. Панов, Э.В. Генкина, Е.А. Малеваный, С.М. Глущак, Т.С. |
| title | Разработка отечественного интеллектуального прибора „электронный нос” |
| title_alt | Design of the intellectual device "electronic nose" |
| title_full | Разработка отечественного интеллектуального прибора „электронный нос” |
| title_fullStr | Разработка отечественного интеллектуального прибора „электронный нос” |
| title_full_unstemmed | Разработка отечественного интеллектуального прибора „электронный нос” |
| title_short | Разработка отечественного интеллектуального прибора „электронный нос” |
| title_sort | разработка отечественного интеллектуального прибора „электронный нос” |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/6515 |
| work_keys_str_mv | AT voitovičid razrabotkaotečestvennogointellektualʹnogopriboraélektronnyinos AT lukašsi razrabotkaotečestvennogointellektualʹnogopriboraélektronnyinos AT panovév razrabotkaotečestvennogointellektualʹnogopriboraélektronnyinos AT genkinaea razrabotkaotečestvennogointellektualʹnogopriboraélektronnyinos AT malevanyism razrabotkaotečestvennogointellektualʹnogopriboraélektronnyinos AT gluŝakts razrabotkaotečestvennogointellektualʹnogopriboraélektronnyinos AT voitovičid designoftheintellectualdeviceelectronicnose AT lukašsi designoftheintellectualdeviceelectronicnose AT panovév designoftheintellectualdeviceelectronicnose AT genkinaea designoftheintellectualdeviceelectronicnose AT malevanyism designoftheintellectualdeviceelectronicnose AT gluŝakts designoftheintellectualdeviceelectronicnose |