Разработка отечественного интеллектуального прибора „электронный нос”
Досліджуються та аналізуються вплив різних допантів, умов отримання та обробки на чутливість і селективність плівок нанокристалічного матеріалу діоксид олова. Показана можливість виготовлення матричних напівпровідникових датчиків для створення приладу «електронний ніс». Исследуются и анализируются в...
Saved in:
| Date: | 2009 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України
2009
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/6515 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Разработка отечественного интеллектуального прибора ”электронный нос” / И.Д. Войтович, С.И. Лукаш, Э.В. Панов, Е.А. Генкина, С.М. Малеваный, Т.С. Глущак // Комп’ютерні засоби, мережі та системи. — 2009. — № 8. — С. 155-163. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862628627542179840 |
|---|---|
| author | Войтович, И.Д. Лукаш, С.И. Панов, Э.В. Генкина, Е.А. Малеваный, С.М. Глущак, Т.С. |
| author_facet | Войтович, И.Д. Лукаш, С.И. Панов, Э.В. Генкина, Е.А. Малеваный, С.М. Глущак, Т.С. |
| citation_txt | Разработка отечественного интеллектуального прибора ”электронный нос” / И.Д. Войтович, С.И. Лукаш, Э.В. Панов, Е.А. Генкина, С.М. Малеваный, Т.С. Глущак // Комп’ютерні засоби, мережі та системи. — 2009. — № 8. — С. 155-163. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| description | Досліджуються та аналізуються вплив різних допантів, умов отримання та обробки на чутливість і селективність плівок нанокристалічного матеріалу діоксид олова. Показана можливість виготовлення матричних напівпровідникових датчиків для створення приладу «електронний ніс».
Исследуются и анализируются влияние разных допантов и условий получения на чувствительность и селективность пленок нанокри-сталлического материала диоксид олова. Показана возможность изготовления матричных полупроводниковых датчиков для создания прибора «электронный нос».
Influence of different doses of alloying elements, terms of receipt and treatment on sensitivity and selectivity of thin films of nanocristalic material dioxide tin is analyzed. Possibility of manufacture of matrix semiconductor sensors for creation of device of «electronic nose» is shown.
|
| first_indexed | 2025-11-30T09:34:49Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-6515 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1817-9908 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-30T09:34:49Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Войтович, И.Д. Лукаш, С.И. Панов, Э.В. Генкина, Е.А. Малеваный, С.М. Глущак, Т.С. 2010-03-05T15:04:31Z 2010-03-05T15:04:31Z 2009 Разработка отечественного интеллектуального прибора ”электронный нос” / И.Д. Войтович, С.И. Лукаш, Э.В. Панов, Е.А. Генкина, С.М. Малеваный, Т.С. Глущак // Комп’ютерні засоби, мережі та системи. — 2009. — № 8. — С. 155-163. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 1817-9908 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/6515 681.3:591.3 Досліджуються та аналізуються вплив різних допантів, умов отримання та обробки на чутливість і селективність плівок нанокристалічного матеріалу діоксид олова. Показана можливість виготовлення матричних напівпровідникових датчиків для створення приладу «електронний ніс». Исследуются и анализируются влияние разных допантов и условий получения на чувствительность и селективность пленок нанокри-сталлического материала диоксид олова. Показана возможность изготовления матричных полупроводниковых датчиков для создания прибора «электронный нос». Influence of different doses of alloying elements, terms of receipt and treatment on sensitivity and selectivity of thin films of nanocristalic material dioxide tin is analyzed. Possibility of manufacture of matrix semiconductor sensors for creation of device of «electronic nose» is shown. ru Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України Разработка отечественного интеллектуального прибора „электронный нос” Design of the intellectual device "electronic nose" Article published earlier |
| spellingShingle | Разработка отечественного интеллектуального прибора „электронный нос” Войтович, И.Д. Лукаш, С.И. Панов, Э.В. Генкина, Е.А. Малеваный, С.М. Глущак, Т.С. |
| title | Разработка отечественного интеллектуального прибора „электронный нос” |
| title_alt | Design of the intellectual device "electronic nose" |
| title_full | Разработка отечественного интеллектуального прибора „электронный нос” |
| title_fullStr | Разработка отечественного интеллектуального прибора „электронный нос” |
| title_full_unstemmed | Разработка отечественного интеллектуального прибора „электронный нос” |
| title_short | Разработка отечественного интеллектуального прибора „электронный нос” |
| title_sort | разработка отечественного интеллектуального прибора „электронный нос” |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/6515 |
| work_keys_str_mv | AT voitovičid razrabotkaotečestvennogointellektualʹnogopriboraélektronnyinos AT lukašsi razrabotkaotečestvennogointellektualʹnogopriboraélektronnyinos AT panovév razrabotkaotečestvennogointellektualʹnogopriboraélektronnyinos AT genkinaea razrabotkaotečestvennogointellektualʹnogopriboraélektronnyinos AT malevanyism razrabotkaotečestvennogointellektualʹnogopriboraélektronnyinos AT gluŝakts razrabotkaotečestvennogointellektualʹnogopriboraélektronnyinos AT voitovičid designoftheintellectualdeviceelectronicnose AT lukašsi designoftheintellectualdeviceelectronicnose AT panovév designoftheintellectualdeviceelectronicnose AT genkinaea designoftheintellectualdeviceelectronicnose AT malevanyism designoftheintellectualdeviceelectronicnose AT gluŝakts designoftheintellectualdeviceelectronicnose |