RAPD-анализ клеточных линий сои с перекрестной устойчивостью к оксианионам вольфрама и ванадия

Исследовали влияние оксианионов ванадия на геном сои (Glycine max L., Merr.) в устойчивой к вольфраму (WR) клеточной линии. WR-линия показывает перекрестную устойчивость к оксианионам V⁵⁺. Установлено наличие одинаковых по размеру RAPD-ампликонов, дифференциально синтезируемых с ДНК исходного каллус...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Цитология и генетика
Date:2009
Main Authors: Тищенко, Е.Н., Михальская, С.И., Сергеева, Л.Е.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут клітинної біології та генетичної інженерії НАН України 2009
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/66652
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:RAPD-анализ клеточных линий сои с перекрестной устойчивостью к оксианионам вольфрама и ванадия / Е.Н. Тищенко, С.И. Михальская, Л.Е. Сергеева // Цитология и генетика. — 2009. — Т. 43, № 3. — С. 39-44. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:Исследовали влияние оксианионов ванадия на геном сои (Glycine max L., Merr.) в устойчивой к вольфраму (WR) клеточной линии. WR-линия показывает перекрестную устойчивость к оксианионам V⁵⁺. Установлено наличие одинаковых по размеру RAPD-ампликонов, дифференциально синтезируемых с ДНК исходного каллуса и WR-линии, которая последовательно культивируется в присутствии летальных доз оксианионов W⁶⁺ и V⁵⁺. Предположено, что в геноме сои имеются локусы, повышенная нестабильность которых обусловлена действием разных стрессоров. Вивчали вплив оксианіонів ванадію на геном сої (Glycine max L., Merr.) у стійкої до вольфраму (WR) клітинної лінії. Така лінія показує стійкість до оксианіонів V⁵⁺. Встановлено наявність однакових за розміром RAPD-ампліконів, які диференційно синтезуються з ДНК вихідного калюсу та WR-лінії, що послідовно культивується у присутності летальних доз оксианіонів W⁶⁺ і V⁵⁺. Припущено, що в геномі сої є локуси, підвищена нестабільність яких обумовлена дією різних стресорів. The effect of vanadium oxyanions on genome of soybean (Glycine max L., Merr.) in tungsten-resistant cell line was studied. The line is resistant to V⁵⁺-oxyanions. RAPD-amplicons with identical length are differentially synthesized from DNAs of tungsten-resistant cell line as well as of the initial culture was shown by using the lethal dose of oxyanions W⁶⁺ and then V⁵⁺. The presence of instable loci in soybean genome under different stressors is discussed.
ISSN:0564-3783