Барическая зависимость термоэдс аморфных халькогенидов меди
Исследовано влияние высоких давлений на структурные превращения в халькогенидах меди системы (GeSe)1-x(CuAsSe2)x при x = 1 и 0,95. В качестве чувствительных параметров использовали термоэлектродвижущую силу, электросопротивление и тангенс угла диэлектрических потерь. Установлены области давлений, в...
Saved in:
| Published in: | Физика и техника высоких давлений |
|---|---|
| Date: | 2009 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2009
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69144 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Барическая зависимость термоэдс аморфных халькогенидов меди / Н.В. Мельникова, А.Н. Бабушкин, О.В. Савина // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 1. — С. 63-68. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | Исследовано влияние высоких давлений на структурные превращения в халькогенидах меди системы (GeSe)1-x(CuAsSe2)x при x = 1 и 0,95. В качестве чувствительных параметров использовали термоэлектродвижущую силу, электросопротивление и тангенс угла диэлектрических потерь. Установлены области давлений, в которых наблюдаются существенные изменения в поведении термоэдс и электрических свойств, связанных с возможными структурными переходами: в соединении CuAsSe2 (x = 1) при 19, 36 и 43 - 44 ГПа, в соединении (GeSe)0,05(CuAsSe2)0,95 (x = 0,95) при 27 ГПа и в области 38 - 43 ГПа.
Досліджено вплив високого тиску на структурні перетворення в халькогенідах міді системи (GeSe)1–х(CuAsSe2)x при x = 1 і 0.95. У якості чутливих параметрів використовували термоелектрорушійну силу, електроопір і тангенс кута діелектричних втрат. Встановлено області тиску, в яких спостерігаються суттєві зміни в поведінці термоедс і електричних властивостей, пов'язаних з можливими структурними переходами: у сполученні CuAsSe2 (x = 1) при 19, 36 і 43–44 GPa, у сполученні (GeSe)0.05(CuAsSe2)0.95 (x = 0.95) при 27 GPa і в області 38–43 GPa.
Effects of high pressures on structural changes of copper chalcogenides (GeSe)1–x(CuAsSe2)x have been investigated for x = 1 and 0.95. Thermoelectromotive force (thermoemf), resistance and the loss tangent of a dielectric have been used as sensitive parameters. The pressure ranges of noticeable changes in thermoemf and electrical properties are established. The changes can be connected to probable structural transitions: in compound CuAsSe2 (x = 1) at 19, 36 and 43–44 GPa, in compound (GeSe)0.05 (CuAsSe2)0.95 (x = 0.95) at 27 and 38–43 GPa.
|
|---|---|
| ISSN: | 0868-5924 |