Резистивные аномалии и токовая стимуляция фазового перехода в контактах Nb-Mn2-хFeхP0.5As0.5
Экспериментально исследованы вольтамперные характеристики (ВАХ) сплава Mn₁.₃Fe₀.₇P0.5As0.5. Обнаружено, что в этом материале, как и в манганитах, наряду с магниторезистивными эффектами наблюдаются эффекты переключения из низко- в высокоомное состояние и обратно под действием тока. Эти эффекты наблюд...
Saved in:
| Published in: | Физика и техника высоких давлений |
|---|---|
| Date: | 2009 |
| Main Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2009
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69156 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Резистивные аномалии и токовая стимуляция фазового перехода в контактах Nb-Mn2-хFeхP0.5As0.5 / Д.В. Варюхин, В.Ю. Таренков, А.И. Дьяченко, В.И. Вальков, А.В. Головчан, А.В. Подлесный // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 1. — С. 157-163. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859675499039555584 |
|---|---|
| author | Варюхин, Д.В. Таренков, В.Ю. Дьяченко, А.И. Вальков, В.И. Головчан, А.В. Подлесный, А.В. |
| author_facet | Варюхин, Д.В. Таренков, В.Ю. Дьяченко, А.И. Вальков, В.И. Головчан, А.В. Подлесный, А.В. |
| citation_txt | Резистивные аномалии и токовая стимуляция фазового перехода в контактах Nb-Mn2-хFeхP0.5As0.5 / Д.В. Варюхин, В.Ю. Таренков, А.И. Дьяченко, В.И. Вальков, А.В. Головчан, А.В. Подлесный // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 1. — С. 157-163. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика и техника высоких давлений |
| description | Экспериментально исследованы вольтамперные характеристики (ВАХ) сплава Mn₁.₃Fe₀.₇P0.5As0.5. Обнаружено, что в этом материале, как и в манганитах, наряду с магниторезистивными эффектами наблюдаются эффекты переключения из низко- в высокоомное состояние и обратно под действием тока. Эти эффекты наблюдаются на наноконтакте Nb–Mn₁.₃Fe₀.₇P0.55As0.5 в температурной области стабильности низкоомной ферромагнитной фазы (T = 77 K), сопровождаются значительным гистерезисом ВАХ и могут квалифицироваться как обратимые токостимулированные переходы первого рода. Показано, что необходимым условием токостимулированного перехода с гистерезисом ВАХ является присутствие значительной резистивной аномалии при спонтанных переходах в магнитоупорядоченную фазу.
Експериментально досліджено вольтамперні характеристики (ВАХ) сплаву Mn₁.₃Fe₀.₇P₀.₅As₀.₅. Виявлено, що в цьому матеріалі, як і в манганітах, поряд з магніторезистивними ефектами спостерігаються ефекти перемикання з низько- у високоомний стан і зворотно під дією електричного струму. Ці ефекти спостерігаються у наноконтакті Nb–Mn₁.₃Fe₀.₇P₀.₅As₀.₅ при температурі стабільності низькоомної феромагнітної фази (T = 77 K), супроводжуються значним гістерезисом ВАХ і можуть кваліфікуватися як оборотні струмостимульовані переходи першого роду. Показано, що необхідною умовою струмостимульованого переходу з гістерезисом ВАХ є присутність значної резистивної аномалії при спонтанних переходах у магнітовпорядковану фазу.
The current-voltage characteristics (CVC) of the Mn₁.₃Fe₀.₇P₀.₅As₀.₅ alloy have been investigated. It has been determined that in this material, the same as in manganites, there are, alongside with magnetoresistive effects, the effects of low – to high-ohmic state switching and vice versa induced by current. The effects are observed at nanojunction Nb–Mn₁.₃Fe₀.₇P₀.₅As₀.₅ in the temperature range of the low-ohmic ferromagnetic phase stability (T = 77 K), they are accompanied by a sizable CVC hysteresis and may be classified as reversible current-stimulated first-order transitions. It is shown that the presence of high resistive anomaly under spontaneous transitions to magnetically ordered phase is a necessary condition for the current-stimulated transition with CVC hysteresis.
|
| first_indexed | 2025-11-30T15:53:41Z |
| format | Article |
| fulltext |
Физика и техника высоких давлений 2009, том 19, № 1
157
PACS: 73.63.Rt
Д.В. Варюхин, В.Ю. Таренков, А.И. Дьяченко, В.И. Вальков,
А.В. Головчан, А.В. Подлесный
РЕЗИСТИВНЫЕ АНОМАЛИИ И ТОКОВАЯ СТИМУЛЯЦИЯ ФАЗОВОГО
ПЕРЕХОДА В КОНТАКТАХ Nb–Mn2–хFeхP0.5As0.5
Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины
ул. Р. Люксембург, 72, г. Донецк, 83114, Украина
Экспериментально исследованы вольтамперные характеристики (ВАХ) сплава
Mn1.3Fe0.7P0.5As0.5. Обнаружено, что в этом материале, как и в манганитах, наряду
с магниторезистивными эффектами наблюдаются эффекты переключения из низ-
ко- в высокоомное состояние и обратно под действием тока. Эти эффекты наблю-
даются на наноконтакте Nb–Mn1.3Fe0.7P0.55As0.5 в температурной области ста-
бильности низкоомной ферромагнитной фазы (T = 77 K), сопровождаются значи-
тельным гистерезисом ВАХ и могут квалифицироваться как обратимые токости-
мулированные переходы первого рода. Показано, что необходимым условием токо-
стимулированного перехода с гистерезисом ВАХ является присутствие значитель-
ной резистивной аномалии при спонтанных переходах в магнитоупорядоченную фазу.
Введение
Пниктиды 3-d-переходных металлов и, в частности, сплавы системы
Mn2–хFeхP0.5As0.5 с гексагональной кристаллической структурой типа Fe2P
(группа симметрии типа P6
–
2m) обладают рядом свойств, которые позволяют
в перспективе, с одной стороны, использовать их в качестве рабочих мате-
риалов для магнитных рефрижераторов, с другой – рассматривать как мо-
дельные объекты для фундаментальных исследований в области физики
магнитоупорядоченных структур. Вопросы прикладного применения каса-
ются улучшения ряда характеристик этих материалов, связанных с индуци-
рованием магнитным полем фазовых переходов первого рода со значитель-
ным магнитокалорическим эффектом. Устойчивость и механизмы возникно-
вения различных типов магнитоупорядоченных фаз при воздействии силь-
ных магнитных и электрических полей, а также магниторезистивные свой-
ства можно относить к вопросам фундаментального характера. Этой стороне
исследований и посвящена настоящая статья, в которой экспериментально
изучаются процессы токовой стимуляции магнитных фазовых переходов
первого рода в сплавах Mn2–хFeхP0.5As0.5.
Физика и техника высоких давлений 2009, том 19, № 1
158
Экспериментальные методики, образцы для исследования
В данной работе основные экспериментальные результаты получены пу-
тем исследования ВАХ наноконтактов пниктидов системы Mn2–хFeхP0.5As0.5
с Nb, а также температурных зависимостей электросопротивления R и на-
чальной магнитной восприимчивости χ пниктидов.
Для запитки контактов током в первой методике использовали ниобие-
вую иглу толщиной 5 μm. Кончик иглы касался поверхности образца с дози-
рованным усилием. Наноконтакты имели омический характер проводимости
и диаметр ~ 10 Å, что обеспечивало локализацию приложенного потенциала
непосредственно в приконтактной области. Электросопротивление опреде-
ляли стандартным четырехзондовым методом, а начальную магнитную вос-
приимчивость измеряли с помощью магнитометра, описанного в работе [1],
в режиме подключения соленоида к генератору звуковых сигналов.
Согласно фазовой диаграмме, приведенной в работе [1], в зависимости от
содержания железа х в системе Mn2–хFeхP0.5As0.5 реализуются четыре груп-
пы соединений, отличающихся фазовым поведением и магнитным упорядо-
чением при низких температурах. При х = 0.5–0.6 реализуется антиферро-
магнитное (АФ) упорядочение (группа АФ), которое сменяется парамагнит-
ным (ПМ) состоянием в области температур 150 K. Магнитная структура
образцов с х = 0.6–0.8 рассматривается авторами работы как сосуществова-
ние периодической антиферромагнитной и однородной ферромагнитной
(ФМ) компонент полного магнитного момента кристаллохимической ячей-
ки. Причем образцы с х = 0.6–0.7 при нагревании переходят в ПМ-фазу через
промежуточное АФ-состояние (группа (АФ + ФМ)1), в то время как образцы
с х = 0.7–0.8 – непосредственно в ПМ-состояние (группа (АФ + ФМ)2). И,
наконец, образцы с х > 0.8 упорядочены ферромагнитно и переходят в ПМ-
состояние при температурах ~ 160–260 K (группа ФМ). Учитывая это, в ра-
боте были использованы образцы, типичные для различных групп, в поли-
кристаллическом виде.
Результаты исследований
На рис. 1,а представлена ВАХ контакта Nb с образцом с х = 0.7 (группа
(АФ + ФМ)2), полученная при температуре T = 77 K. К основным особенно-
стям этой ВАХ можно отнести наличие полярного гистерезиса по напряже-
нию и возникновение необратимого в пределах одной полярности перехода
в высокоомное состояние. Действительно, согласно рис. 1 линейное нарас-
тание тока, соответствующее выполнению закона Ома (dV/dI = Rl ~ 66 Ω),
происходит до тех пор, пока напряжение не достигнет критического значе-
ния Vk1 ~ 0.7 V. Начиная с него, величина тока резко уменьшается, и при
Vk2 ~ 0.8 V величина dV/dI достигает нового стабильного значения Rh ~ 890 Ω,
которое сохраняется постоянным вплоть до V ~ –Vk2. При этом напряжении
происходит восстановление низкоомного состояния. Аналогичное явление
Физика и техника высоких давлений 2009, том 19, № 1
159
1.00.50–0.5
–15
–5
–10
5
I,
m
A
V, V
10
0
–1.0
–0.5 0.0 0.5 1.0
I,
m
A
V, V
4
3
2
1
0
–1
–2
–3
а б
Рис. 1. ВАХ контактов Nb–Mn1.3Fe0.7P0.5As0.5 (а) и Nb–Mn1.5Fe0.5P0.5As0.5 (б) при
T = 77 K
наблюдалось ранее в наноконтактах с манганитом La0.7Ca0.3MnO3 [2] и по-
лучило название токовой стимуляции фазового перехода в контактах. На
рис. 1,б приведена ВАХ контакта Nb с образцом с х = 0.5 (группа АФ), где
гистерезис не наблюдается.
Температурные зависимости начальной магнитной восприимчивости χ,
совмещенные с зависимостями сопротивления R(T) образцов системы
Mn2–хFeхP0.5As0.5, представлены на рис. 2. Из рисунка следует, что маг-
нитные фазовые переходы по темпе-
ратуре сопровождаются аномалиями
на кривых R(T), будь-то переходы
порядок–порядок (АФ + ФМ)1–АФ
(х = 0.6, 0.7) или переходы порядок–
беспорядок ФМ–ПМ (x = 0.9). По-
нижение величины намагниченности
насыщения низкотемпературной фа-
зы по мере уменьшения концентра-
ции железа приводит к сглаживанию
резистивных особенностей на зави-
симостях R(T), сопровождающих фа-
зовые переходы. Например, рези-
стивная аномалия в области перехо-
да в фазу сосуществования для об-
разца с х = 0.6 выполаживается, а
переход парамагнетизм–антиферро-
магнетизм для х = 0.5 сопровождает-
ся только аномалией магнитной вос-
приимчивости вблизи температуры
Нееля (рис. 2) без каких-либо замет-
ных резистивных особенностей. Из
100 150 200 250 300
110
120
200
300
400
500
3
T, K
R,
1
0–3
Ω
б
0
50
100
2
4 3
2
1
χ,
a
rb
. u
ni
ts
а
1
Рис. 2. Температурные зависимости
начальной магнитной восприимчиво-
сти (а) и сопротивления (б) некото-
рых массивных образцов системы
Mn2–xFexP0.5As0.5: 1 – 0.9, 2 – 0.7, 3 –
0.6, 4 – 0.5
Физика и техника высоких давлений 2009, том 19, № 1
160
сравнения рис. 1 и 2 становится очевидным, что качественное различие
ВАХ для образцов с х = 0.7 и х = 0.5 связано с различием их магнитного и
резистивного поведения. Токовая стимуляция перехода в низкоомное со-
стояние проявляется в образце, где магнитная восприимчивость высока, а
аномалия на зависимости R(T) ярко выражена и отсутствует в противном
случае.
Обсуждение результатов
Обнаруженные в данной работе резистивные аномалии в области темпера-
тур магнитных фазовых превращений в образцах системы Mn2–хFeхP0.5As0.5
могут быть обусловлены особенностями состояний d-электронов, которые
не только ответственны за магнетизм в этих соединениях, но и являются но-
сителями электрического тока в них. Такая точка зрения согласуется с ре-
зультатами ab initio расчетов электронной энергетической структуры, про-
веденных в работе [1]. Для примера на рис. 3 показаны парциальные и пол-
ная плотности электронных состояний в MnFeP0.5As0.5 для случая, когда
подзоны с различной ориентацией спинов заполнены симметрично, что со-
ответствует немагнитному (НМ) либо ФМ-состоянию образца (рис. 3,а), а
также для ФМ-состояния (рис. 3,б).
0.0 0.5 1.0 1.5
–40
0
40
E, Ry
d
–20
0
20
D
O
S,
st
at
es
/(c
el
l·R
y)
p
–10
0
10
s
–40
0
40
total EF
0.0 0.5 1.0 1.5
–40
0
40
E, Ry
d
–20
0
20
D
O
S,
st
at
es
/(c
el
l·R
y)
p
–10
0
10
s
–40
0
40
total EF
а б
Рис. 3. Типичные для системы Mn2–xFexP0.5As0.5 немагнитная (а) и спин-поляризо-
ванная ферромагнитная (б) плотности электронных состояний образца MnFeP0.5As0.5
при a = 6.1243 Å, c = 3.4765 Å. Стрелочки показывают направление спинов в соот-
ветствующих подзонах
Физика и техника высоких давлений 2009, том 19, № 1
161
Из сравнения рис. 3,а и б следует, что плотность электронов вблизи уров-
ня Ферми EF, которая определяет проводимость системы, в НМ-состоянии
существенно выше, чем в ФМ-состоянии. Поэтому следует ожидать, что при
переходе из ПМ- в ФМ-состояние сопротивление будет увеличиваться. От-
сутствие сильных резистивных аномалий при возникновении АФ-порядка
указывает на сохранение числа носителей тока в АФ- и ПМ-фазах. Это мо-
жет быть следствием того, что магнитоактивная d-зона заполнена более чем
наполовину.
Действительно, как показано в [1], возникновение АФ-состояния в кол-
лективизированной системе электронов сопровождается появлением щели
или провала на симметричной по спину плотности электронных состояний.
Положение провала по отношению к энергии Ферми определяется степенью
заполнения магнитоактивной зоны. В случае более чем половинного запол-
нения провал на плотности состояний в АФ-фазе находится ниже энергии
Ферми. Тогда возникновение АФ-фазы не приводит к существенному изме-
нению заселенности прифермиевских состояний по сравнению с ПМ-фазой.
Поэтому температурные резистивные изменения при переходе ПМ–АФ оп-
ределяются в основном рассеянием носителей тока на флуктуациях спино-
вой плотности и являются несущественными, что и наблюдается экспери-
ментально.
Если взаимосвязанные изменения различных свойств довольно часто
встречаются в сильно коррелированных системах и их конкретные механиз-
мы в различной степени ясны, то индуцированные током переходы в высо-
коомное состояние открыты недавно и причины их возникновения далеки от
понимания. Аналогичные явления переключения из низко- в высокоомное
состояние под действием тока, наблюдавшиеся в контактах с манганитами
[2], объяснялись моделью мартенсита – неравновесной метастабильной фа-
зой, возникающей в результате бездиффузионного смещения атомов кисло-
рода в октаэдрах MnO6 в приповерхностном слое образца при инжекции то-
ка большой плотности.
В исследованных пниктидах внутренний кислород отсутствует, и за токо-
стимулированный переход могут отвечать ионы As и P. Запирающий слой
также может образовываться благодаря кислороду, который провзаимодей-
ствовал с поверхностью образца. Но вполне возможно, что инжекция элек-
тронов не только приводит к образованию неравновесного состояния в при-
контактной области образца, но и с большой вероятностью изменяет число
электронов в магнитоактивной зоне поверхностных слоев. Это согласно аb
initio расчетам кардинальным образом изменяет стабильность магнитоупо-
рядоченных фаз и по своему эффекту равносильно изменению концентрации
железа в системе Mn2–хFeхP0.5As0.5 [1].
Совместное действие указанных механизмов может привести к переходу
приповерхностной области в новое магнитно-кристаллическое состояние с
плохой проводимостью, в котором в результате окисления поверхности об-
Физика и техника высоких давлений 2009, том 19, № 1
162
разуется дефицит ионов Fe или Mn. В таком случае прохождение тока через
контакт может сопровождаться диффузией анионов, накоплением запираю-
щего потенциала для носителей тока и приводить к переключению электро-
сопротивления контакта. К сожалению, устойчивость таких материалов к
коррозии практически не изучена. Тем более трудно сказать что-либо о по-
ведении тончайших поверхностных слоев, поскольку даже резистивные из-
мерения таких объектов проводились редко. А для скачкообразного гистере-
зиса ВАХ микроконтакта достаточно того, чтобы в высокоомное состояние
перешел слой толщиной в несколько десятков ангстрем. Образование такого
слоя вполне реально при ускоренной диффузии анионов.
Однако, несмотря на гипотетичность высказанных предположений о при-
чинах аномалии ВАХ контакта Nb–Mn1.3Fe0.7P0.5As0.5, предварительные ис-
следования ВАХ на контакте Nb–Mn1.5Fe0.5P0.5As0.5 уже позволяют высказать
некоторые необходимые условия возникновения токостимулированных пере-
ходов в пниктидах системы Mn2–хFeхP0.5As0.5. Действительно, отсутствие
скачкообразного гистерезиса ВАХ микроконтакта Nb–Mn1.5Fe0.5P0.5As0.5 кор-
релирует с отсутствием заметной резистивной аномалии в Mn1.5Fe0.5P0.5As0.5
при переходе ПМ–АФ. Это означает, что механизм возникновения токости-
мулированных переходов в пниктидах системы Mn2–хFeхP0.5As0.5 реализует-
ся только в том случае, если спонтанные магнитные фазовые переходы со-
провождаются значительной магниторезистивной аномалией.
Выводы
В контактах Nb с пниктидами системы Mn2–хFeхP0.5As0.5 обнаружен токо-
стимулированный фазовый переход из низко- в высокоомное состояние под
действием тока. Обнаружена также корреляция между изменением магнит-
ных и электрических свойств пниктидов при фазовых переходах и высказа-
но условие реализации токостимулированного изменения электросопротив-
ления, которое состоит в том, что токостимулированный переход в пникти-
дах происходит только в случаях, когда спонтанные магнитные переходы
сопровождаются значительной аномалией температурной зависимости элек-
тросопротивления. Предпринята попытка связать экспериментально обна-
руженные явления с результатами аb initio расчетов электронной энергети-
ческой структуры пниктидов в различных фазовых состояниях.
Работа выполнена в рамках конкурсного проекта ДФФД-БРФФД № 29.1/016.
1. В.И. Вальков, Д.В. Варюхин, А.В. Головчан, И.Ф. Грибанов, А.П. Сиваченко, В.И.
Каменев, Б.И. Тодрис, ФНТ 34, 927 (2008).
2. А.И. Дьяченко, Д.И. Бойченко, В.Ю. Таренков, ФТВД 18, № 1, 25 (2008).
Физика и техника высоких давлений 2009, том 19, № 1
163
Д.В. Варюхін, В.Ю. Таренков, О.І. Дьяченко, В.І. Вальков, О.В. Головчан,
О.В. Підлісний
РЕЗИСТИВНІ АНОМАЛІЇ І СТРУМОВА СТИМУЛЯЦІЯ ФАЗОВОГО
ПЕРЕХОДУ У КОНТАКТАХ Nb–Mn2–хFeхP0.5As0.5
Експериментально досліджено вольтамперні характеристики (ВАХ) сплаву
Mn1.3Fe0.7P0.5As0.5. Виявлено, що в цьому матеріалі, як і в манганітах, поряд з
магніторезистивними ефектами спостерігаються ефекти перемикання з низько- у
високоомний стан і зворотно під дією електричного струму. Ці ефекти спо-
стерігаються у наноконтакті Nb–Mn1.3Fe0.7P0.5As0.5 при температурі стабільності
низькоомної феромагнітної фази (T = 77 K), супроводжуються значним гістерези-
сом ВАХ і можуть кваліфікуватися як оборотні струмостимульовані переходи пер-
шого роду. Показано, що необхідною умовою струмостимульованого переходу з
гістерезисом ВАХ є присутність значної резистивної аномалії при спонтанних пе-
реходах у магнітовпорядковану фазу.
D.V. Varyukhin, V.Yu. Tarenkov, A.I. Dyachenko, V.I. Val′kov, A.V. Golovchan,
A.V. Podlesny
RESISTIVE ANOMALIES AND CURRENT STIMULATION PHASE
TRANSITION IN JUNCTIONS Nb–Mn1.3Fe0.7P0.5As0.5
The current-voltage characteristics (CVC) of the Mn1.3Fe0.7P0.5As0.5 alloy have been in-
vestigated. It has been determined that in this material, the same as in manganites, there
are, alongside with magnetoresistive effects, the effects of low – to high-ohmic state
switching and vice versa induced by current. The effects are observed at nanojunction
Nb–Mn1.3Fe0.7P0.5As0.5 in the temperature range of the low-ohmic ferromagnetic phase
stability (T = 77 K), they are accompanied by a sizable CVC hysteresis and may be clas-
sified as reversible current-stimulated first-order transitions. It is shown that the presence
of high resistive anomaly under spontaneous transitions to magnetically ordered phase is
a necessary condition for the current-stimulated transition with CVC hysteresis.
Fig. 1. CVC of Nb–Mn1.3Fe0.7P0.5As0.5 (а) and Nb–Mn1.5Fe0.5P0.5As0.5 (б) junctions for
T = 77 K
Fig. 2. Temperature dependences of initial magnetic susceptibility (a) and resistance (б)
of some bulk samples of the Mn2–xFexP0.5As0.5 system: 1 – 0.9, 2 – 0.7, 3 – 0.6, 4 – 0.5
Fig. 3. Nonmagnetic (а) and spin-polarization ferromagnetic (б) densities of MnFeP0.5As0.5
electronic states, typical of the Mn2–xFexP0.5As0.5 system, for a = 6.1243 Å, c = 3.4765 Å.
The arrows show directions of spins in corresponding subbands
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-69156 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0868-5924 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-30T15:53:41Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Варюхин, Д.В. Таренков, В.Ю. Дьяченко, А.И. Вальков, В.И. Головчан, А.В. Подлесный, А.В. 2014-10-06T18:43:11Z 2014-10-06T18:43:11Z 2009 Резистивные аномалии и токовая стимуляция фазового перехода в контактах Nb-Mn2-хFeхP0.5As0.5 / Д.В. Варюхин, В.Ю. Таренков, А.И. Дьяченко, В.И. Вальков, А.В. Головчан, А.В. Подлесный // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 1. — С. 157-163. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. 0868-5924 PACS: 73.63.Rt https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69156 Экспериментально исследованы вольтамперные характеристики (ВАХ) сплава Mn₁.₃Fe₀.₇P0.5As0.5. Обнаружено, что в этом материале, как и в манганитах, наряду с магниторезистивными эффектами наблюдаются эффекты переключения из низко- в высокоомное состояние и обратно под действием тока. Эти эффекты наблюдаются на наноконтакте Nb–Mn₁.₃Fe₀.₇P0.55As0.5 в температурной области стабильности низкоомной ферромагнитной фазы (T = 77 K), сопровождаются значительным гистерезисом ВАХ и могут квалифицироваться как обратимые токостимулированные переходы первого рода. Показано, что необходимым условием токостимулированного перехода с гистерезисом ВАХ является присутствие значительной резистивной аномалии при спонтанных переходах в магнитоупорядоченную фазу. Експериментально досліджено вольтамперні характеристики (ВАХ) сплаву Mn₁.₃Fe₀.₇P₀.₅As₀.₅. Виявлено, що в цьому матеріалі, як і в манганітах, поряд з магніторезистивними ефектами спостерігаються ефекти перемикання з низько- у високоомний стан і зворотно під дією електричного струму. Ці ефекти спостерігаються у наноконтакті Nb–Mn₁.₃Fe₀.₇P₀.₅As₀.₅ при температурі стабільності низькоомної феромагнітної фази (T = 77 K), супроводжуються значним гістерезисом ВАХ і можуть кваліфікуватися як оборотні струмостимульовані переходи першого роду. Показано, що необхідною умовою струмостимульованого переходу з гістерезисом ВАХ є присутність значної резистивної аномалії при спонтанних переходах у магнітовпорядковану фазу. The current-voltage characteristics (CVC) of the Mn₁.₃Fe₀.₇P₀.₅As₀.₅ alloy have been investigated. It has been determined that in this material, the same as in manganites, there are, alongside with magnetoresistive effects, the effects of low – to high-ohmic state switching and vice versa induced by current. The effects are observed at nanojunction Nb–Mn₁.₃Fe₀.₇P₀.₅As₀.₅ in the temperature range of the low-ohmic ferromagnetic phase stability (T = 77 K), they are accompanied by a sizable CVC hysteresis and may be classified as reversible current-stimulated first-order transitions. It is shown that the presence of high resistive anomaly under spontaneous transitions to magnetically ordered phase is a necessary condition for the current-stimulated transition with CVC hysteresis. Работа выполнена в рамках конкурсного проекта ДФФД-БРФФД № 29.1/016. ru Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України Физика и техника высоких давлений Резистивные аномалии и токовая стимуляция фазового перехода в контактах Nb-Mn2-хFeхP0.5As0.5 Резистивні аномалії і струмова стимуляція фазового переходу у контактах Nb–Mn2–хFeхP0.5As0.5 Resistive anomalies and current stimulation phase transition in junctions Nb–Mn1.3Fe0.7P0.5As0.5 Article published earlier |
| spellingShingle | Резистивные аномалии и токовая стимуляция фазового перехода в контактах Nb-Mn2-хFeхP0.5As0.5 Варюхин, Д.В. Таренков, В.Ю. Дьяченко, А.И. Вальков, В.И. Головчан, А.В. Подлесный, А.В. |
| title | Резистивные аномалии и токовая стимуляция фазового перехода в контактах Nb-Mn2-хFeхP0.5As0.5 |
| title_alt | Резистивні аномалії і струмова стимуляція фазового переходу у контактах Nb–Mn2–хFeхP0.5As0.5 Resistive anomalies and current stimulation phase transition in junctions Nb–Mn1.3Fe0.7P0.5As0.5 |
| title_full | Резистивные аномалии и токовая стимуляция фазового перехода в контактах Nb-Mn2-хFeхP0.5As0.5 |
| title_fullStr | Резистивные аномалии и токовая стимуляция фазового перехода в контактах Nb-Mn2-хFeхP0.5As0.5 |
| title_full_unstemmed | Резистивные аномалии и токовая стимуляция фазового перехода в контактах Nb-Mn2-хFeхP0.5As0.5 |
| title_short | Резистивные аномалии и токовая стимуляция фазового перехода в контактах Nb-Mn2-хFeхP0.5As0.5 |
| title_sort | резистивные аномалии и токовая стимуляция фазового перехода в контактах nb-mn2-хfeхp0.5as0.5 |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69156 |
| work_keys_str_mv | AT varûhindv rezistivnyeanomaliiitokovaâstimulâciâfazovogoperehodavkontaktahnbmn2hfehp05as05 AT tarenkovvû rezistivnyeanomaliiitokovaâstimulâciâfazovogoperehodavkontaktahnbmn2hfehp05as05 AT dʹâčenkoai rezistivnyeanomaliiitokovaâstimulâciâfazovogoperehodavkontaktahnbmn2hfehp05as05 AT valʹkovvi rezistivnyeanomaliiitokovaâstimulâciâfazovogoperehodavkontaktahnbmn2hfehp05as05 AT golovčanav rezistivnyeanomaliiitokovaâstimulâciâfazovogoperehodavkontaktahnbmn2hfehp05as05 AT podlesnyiav rezistivnyeanomaliiitokovaâstimulâciâfazovogoperehodavkontaktahnbmn2hfehp05as05 AT varûhindv rezistivníanomalííístrumovastimulâcíâfazovogoperehoduukontaktahnbmn2hfehp05as05 AT tarenkovvû rezistivníanomalííístrumovastimulâcíâfazovogoperehoduukontaktahnbmn2hfehp05as05 AT dʹâčenkoai rezistivníanomalííístrumovastimulâcíâfazovogoperehoduukontaktahnbmn2hfehp05as05 AT valʹkovvi rezistivníanomalííístrumovastimulâcíâfazovogoperehoduukontaktahnbmn2hfehp05as05 AT golovčanav rezistivníanomalííístrumovastimulâcíâfazovogoperehoduukontaktahnbmn2hfehp05as05 AT podlesnyiav rezistivníanomalííístrumovastimulâcíâfazovogoperehoduukontaktahnbmn2hfehp05as05 AT varûhindv resistiveanomaliesandcurrentstimulationphasetransitioninjunctionsnbmn13fe07p05as05 AT tarenkovvû resistiveanomaliesandcurrentstimulationphasetransitioninjunctionsnbmn13fe07p05as05 AT dʹâčenkoai resistiveanomaliesandcurrentstimulationphasetransitioninjunctionsnbmn13fe07p05as05 AT valʹkovvi resistiveanomaliesandcurrentstimulationphasetransitioninjunctionsnbmn13fe07p05as05 AT golovčanav resistiveanomaliesandcurrentstimulationphasetransitioninjunctionsnbmn13fe07p05as05 AT podlesnyiav resistiveanomaliesandcurrentstimulationphasetransitioninjunctionsnbmn13fe07p05as05 |