Даунов, М., Камилов, И., & Габибов, С. (2009). Использование всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках. Физика и техника высоких давлений.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Даунов, М.И, И.К Камилов, та С.Ф Габибов. "Использование всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках." Физика и техника высоких давлений 2009.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Даунов, М.И, et al. "Использование всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках." Физика и техника высоких давлений, 2009.