Использование всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках
Предлагается способ оценки корректности применения соотношений, полученных для энергетического спектра бездефектного кристалла, при анализе результатов эксперимента в легированных компенсированных кристаллах полупроводников, основанный на сравнении рассчитанных по данным об электронном транспорте пр...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика и техника высоких давлений |
|---|---|
| Datum: | 2009 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2009
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69157 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Использование всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках / М.И. Даунов, И.К. Камилов, С.Ф. Габибов // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 1. — С. 164-170. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862724444048326656 |
|---|---|
| author | Даунов, М.И. Камилов, И.К. Габибов, С.Ф. |
| author_facet | Даунов, М.И. Камилов, И.К. Габибов, С.Ф. |
| citation_txt | Использование всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках / М.И. Даунов, И.К. Камилов, С.Ф. Габибов // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 1. — С. 164-170. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика и техника высоких давлений |
| description | Предлагается способ оценки корректности применения соотношений, полученных для энергетического спектра бездефектного кристалла, при анализе результатов эксперимента в легированных компенсированных кристаллах полупроводников, основанный на сравнении рассчитанных по данным об электронном транспорте при всестороннем давлении производных энергетических зазоров от давления dεi/dP с известными величинами. Проанализированы экспериментальные данные и результаты количественного анализа в Ge<Au, Sb>, квазибесщелевом CdSnAs2<Cu> и бесщелевом p-HgTe полупроводниках. Выяснено, что величины dεi/dP энергетических зазоров, рассчитанные согласно известным законам дисперсии, с понижением температуры и увеличением давления аномально завышаются или занижаются ввиду усиливающегося влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда.
Пропонується спосіб оцінки коректності застосування співвідношень, отриманих для енергетичного спектру бездефектного кристала, при аналізі результатів експерименту в легованих компенсованих кристалах напівпровідників, заснований на порівнянні розрахованих по даним про електронний транспорт при всебічному тиску похідних енергетичних зазорів від тиску dεi/dP з відомими величинами. Проаналізовано експериментальні дані і результати кількісного аналізу в Ge<Au, Sb>, квазібезщілинному CdSnAs2<Cu> і безщілинному p-HgTe напівпровідниках. З'ясовано, що величини dεi/dP енергетичних зазорів, розраховані згідно з відомими законами дисперсії, з пониженням температури і збільшенням тиску аномально завищуються або занижуються внаслідок зростаючого впливу флуктуаційного потенціалу на енергетичний спектр носіїв заряду.
A method is proposed to estimate the correctness of application of relationships derived for the energy spectrum of defect-free crystal during the analysis of experimental results for doped compensated crystals of semiconductors. The method is based on comparison of derivatives of the energy gaps versus pressure dεi/dP calculated using data on electron transport under uniform pressure and the known values. Experimental data and results of quantitative analysis in Ge<Au, Sb>, quasi-gap free CdSnAs2<Cu> and gap-free p-HgTe semiconductors have been analysed. It has been determined that the dεi/dP values of en ergy gaps calculated by the known dispersion laws increase or decrease, with temperature decrease and pressure increase, because of growing influence of fluctuation potential on the energy spectrum of charge carries.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:46:36Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-69157 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0868-5924 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:46:36Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Даунов, М.И. Камилов, И.К. Габибов, С.Ф. 2014-10-06T18:45:36Z 2014-10-06T18:45:36Z 2009 Использование всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках / М.И. Даунов, И.К. Камилов, С.Ф. Габибов // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 1. — С. 164-170. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. 0868-5924 PACS: 72.80.Ey, 72.80.Cw, 71.23.–k https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69157 Предлагается способ оценки корректности применения соотношений, полученных для энергетического спектра бездефектного кристалла, при анализе результатов эксперимента в легированных компенсированных кристаллах полупроводников, основанный на сравнении рассчитанных по данным об электронном транспорте при всестороннем давлении производных энергетических зазоров от давления dεi/dP с известными величинами. Проанализированы экспериментальные данные и результаты количественного анализа в Ge<Au, Sb>, квазибесщелевом CdSnAs2<Cu> и бесщелевом p-HgTe полупроводниках. Выяснено, что величины dεi/dP энергетических зазоров, рассчитанные согласно известным законам дисперсии, с понижением температуры и увеличением давления аномально завышаются или занижаются ввиду усиливающегося влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда. Пропонується спосіб оцінки коректності застосування співвідношень, отриманих для енергетичного спектру бездефектного кристала, при аналізі результатів експерименту в легованих компенсованих кристалах напівпровідників, заснований на порівнянні розрахованих по даним про електронний транспорт при всебічному тиску похідних енергетичних зазорів від тиску dεi/dP з відомими величинами. Проаналізовано експериментальні дані і результати кількісного аналізу в Ge<Au, Sb>, квазібезщілинному CdSnAs2<Cu> і безщілинному p-HgTe напівпровідниках. З'ясовано, що величини dεi/dP енергетичних зазорів, розраховані згідно з відомими законами дисперсії, з пониженням температури і збільшенням тиску аномально завищуються або занижуються внаслідок зростаючого впливу флуктуаційного потенціалу на енергетичний спектр носіїв заряду. A method is proposed to estimate the correctness of application of relationships derived for the energy spectrum of defect-free crystal during the analysis of experimental results for doped compensated crystals of semiconductors. The method is based on comparison of derivatives of the energy gaps versus pressure dεi/dP calculated using data on electron transport under uniform pressure and the known values. Experimental data and results of quantitative analysis in Ge<Au, Sb>, quasi-gap free CdSnAs2<Cu> and gap-free p-HgTe semiconductors have been analysed. It has been determined that the dεi/dP values of en ergy gaps calculated by the known dispersion laws increase or decrease, with temperature decrease and pressure increase, because of growing influence of fluctuation potential on the energy spectrum of charge carries. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 07-02-00238). ru Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України Физика и техника высоких давлений Использование всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках Використання всебічного тиску для оцінки ступеня впливу флуктуаційного потенціалу на енергетичний спектр носіїв заряду в кристалічних напівпровідниках Використання всебічного тиску для оцінки ступеня впливу флуктуаційного потенціалу на енергетичний спектр носіїв заряду в кристалічних напівпровідниках Article published earlier |
| spellingShingle | Использование всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках Даунов, М.И. Камилов, И.К. Габибов, С.Ф. |
| title | Использование всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках |
| title_alt | Використання всебічного тиску для оцінки ступеня впливу флуктуаційного потенціалу на енергетичний спектр носіїв заряду в кристалічних напівпровідниках Використання всебічного тиску для оцінки ступеня впливу флуктуаційного потенціалу на енергетичний спектр носіїв заряду в кристалічних напівпровідниках |
| title_full | Использование всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках |
| title_fullStr | Использование всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках |
| title_full_unstemmed | Использование всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках |
| title_short | Использование всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках |
| title_sort | использование всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69157 |
| work_keys_str_mv | AT daunovmi ispolʹzovanievsestoronnegodavleniâdlâocenkistepenivliâniâfluktuacionnogopotencialanaénergetičeskiispektrnositeleizarâdavkristalličeskihpoluprovodnikah AT kamilovik ispolʹzovanievsestoronnegodavleniâdlâocenkistepenivliâniâfluktuacionnogopotencialanaénergetičeskiispektrnositeleizarâdavkristalličeskihpoluprovodnikah AT gabibovsf ispolʹzovanievsestoronnegodavleniâdlâocenkistepenivliâniâfluktuacionnogopotencialanaénergetičeskiispektrnositeleizarâdavkristalličeskihpoluprovodnikah AT daunovmi vikoristannâvsebíčnogotiskudlâocínkistupenâvplivufluktuacíinogopotencíalunaenergetičniispektrnosíívzarâduvkristalíčnihnapívprovídnikah AT kamilovik vikoristannâvsebíčnogotiskudlâocínkistupenâvplivufluktuacíinogopotencíalunaenergetičniispektrnosíívzarâduvkristalíčnihnapívprovídnikah AT gabibovsf vikoristannâvsebíčnogotiskudlâocínkistupenâvplivufluktuacíinogopotencíalunaenergetičniispektrnosíívzarâduvkristalíčnihnapívprovídnikah |