Использование всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках
Предлагается способ оценки корректности применения соотношений, полученных для энергетического спектра бездефектного кристалла, при анализе результатов эксперимента в легированных компенсированных кристаллах полупроводников, основанный на сравнении рассчитанных по данным об электронном транспорте пр...
Saved in:
| Published in: | Физика и техника высоких давлений |
|---|---|
| Date: | 2009 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2009
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69157 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Использование всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках / М.И. Даунов, И.К. Камилов, С.Ф. Габибов // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 1. — С. 164-170. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860253766066896896 |
|---|---|
| author | Даунов, М.И. Камилов, И.К. Габибов, С.Ф. |
| author_facet | Даунов, М.И. Камилов, И.К. Габибов, С.Ф. |
| citation_txt | Использование всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках / М.И. Даунов, И.К. Камилов, С.Ф. Габибов // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 1. — С. 164-170. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика и техника высоких давлений |
| description | Предлагается способ оценки корректности применения соотношений, полученных для энергетического спектра бездефектного кристалла, при анализе результатов эксперимента в легированных компенсированных кристаллах полупроводников, основанный на сравнении рассчитанных по данным об электронном транспорте при всестороннем давлении производных энергетических зазоров от давления dεi/dP с известными величинами. Проанализированы экспериментальные данные и результаты количественного анализа в Ge<Au, Sb>, квазибесщелевом CdSnAs2<Cu> и бесщелевом p-HgTe полупроводниках. Выяснено, что величины dεi/dP энергетических зазоров, рассчитанные согласно известным законам дисперсии, с понижением температуры и увеличением давления аномально завышаются или занижаются ввиду усиливающегося влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда.
Пропонується спосіб оцінки коректності застосування співвідношень, отриманих для енергетичного спектру бездефектного кристала, при аналізі результатів експерименту в легованих компенсованих кристалах напівпровідників, заснований на порівнянні розрахованих по даним про електронний транспорт при всебічному тиску похідних енергетичних зазорів від тиску dεi/dP з відомими величинами. Проаналізовано експериментальні дані і результати кількісного аналізу в Ge<Au, Sb>, квазібезщілинному CdSnAs2<Cu> і безщілинному p-HgTe напівпровідниках. З'ясовано, що величини dεi/dP енергетичних зазорів, розраховані згідно з відомими законами дисперсії, з пониженням температури і збільшенням тиску аномально завищуються або занижуються внаслідок зростаючого впливу флуктуаційного потенціалу на енергетичний спектр носіїв заряду.
A method is proposed to estimate the correctness of application of relationships derived for the energy spectrum of defect-free crystal during the analysis of experimental results for doped compensated crystals of semiconductors. The method is based on comparison of derivatives of the energy gaps versus pressure dεi/dP calculated using data on electron transport under uniform pressure and the known values. Experimental data and results of quantitative analysis in Ge<Au, Sb>, quasi-gap free CdSnAs2<Cu> and gap-free p-HgTe semiconductors have been analysed. It has been determined that the dεi/dP values of en ergy gaps calculated by the known dispersion laws increase or decrease, with temperature decrease and pressure increase, because of growing influence of fluctuation potential on the energy spectrum of charge carries.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:46:36Z |
| format | Article |
| fulltext |
Физика и техника высоких давлений 2009, том 19, № 1
164
PACS: 72.80.Ey, 72.80.Cw, 71.23.–k
М.И. Даунов, И.К. Камилов, С.Ф. Габибов
ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ВСЕСТОРОННЕГО ДАВЛЕНИЯ ДЛЯ ОЦЕНКИ
СТЕПЕНИ ВЛИЯНИЯ ФЛУКТУАЦИОННОГО ПОТЕНЦИАЛА
НА ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА
В КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ
Институт физики Дагестанского научного центра РАН
ул. М. Ярагского, 94, г. Махачкала, 367003, Россия
E-mail: i.daunov@mail.ru
Предлагается способ оценки корректности применения соотношений, полученных для
энергетического спектра бездефектного кристалла, при анализе результатов экспе-
римента в легированных компенсированных кристаллах полупроводников, основанный
на сравнении рассчитанных по данным об электронном транспорте при всесторон-
нем давлении производных энергетических зазоров от давления dεi/dP с известными
величинами. Проанализированы экспериментальные данные и результаты количест-
венного анализа в Ge〈Au, Sb〉, квазибесщелевом CdSnAs2〈Cu〉 и бесщелевом p-HgTe по-
лупроводниках. Выяснено, что величины dεi /dP энергетических зазоров, рассчитанные
согласно известным законам дисперсии, с понижением температуры и увеличением
давления аномально завышаются или занижаются ввиду усиливающегося влияния
флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда.
Известно [1,2], что в легированных компенсированных полупроводниках,
когда концентрация свободных носителей заряда мала по сравнению с кон-
центрацией ионизированных примесных центров, возникают плавные круп-
номасштабные флуктуации случайного потенциала с типичным значением
амплитуды γ. Влияние хаотического потенциала усиливается с понижением
температуры, а при фиксированной температуре под воздействием давления –
с уменьшением концентрации свободных носителей заряда [3]. Очевидно,
актуален поиск способа оценки степени влияния хаотического потенциала
на энергетический спектр носителей заряда и корректности применения со-
отношений, выведенных для бездефектного кристалла, с целью количест-
венного анализа результатов эксперимента в каждом конкретном случае.
В связи с обсуждаемой проблемой отметим следующее. В полупроводни-
ках при не очень высоких давлениях производные энергетических зазоров от
давления dεi/dP практически не зависят от давления. Смещения идентичных,
наиболее глубоких минимумов зоны проводимости εΓ, εL, εX в разных полу-
Физика и техника высоких давлений 2009, том 19, № 1
165
проводниках IV, II–VI, III–V, IV–VI и II–IV–V2 приблизительно одинаковы
[4–8]. В [5] определены dεi/dP экстремумов εΓ, εL, εX относительно абсолют-
ного вакуума с использованием концепции независимости энергии глубоких
сильно локализованных состояний от всестороннего давления в некоторых
полупроводниках.
В так называемых квазибесщелевых полупроводниках [6] вблизи края собст-
венной зоны расположена глубокая примесная зона, например в легированных
компенсированных p-CdSnAs2〈Cu〉 [7] (рис. 1) и p-InAs с концентрацией избы-
точных акцепторов Next < 1017 cm–3 [8]. Применение закона дисперсии для иде-
ального полупроводника к полупроводнику со случайным потенциалом кор-
ректно до тех пор, пока вычисленная по результатам комплексного исследования
электронного транспорта и соответствующих соотношений зависимость энерге-
тических зазоров от всестороннего давления Δε(P) близка к линейной. Возрас-
тающее с понижением температуры и уменьшением концентрации свободных
носителей заряда отклонение зависимости Δε(P) от линейности свидетельствует
о существенном влиянии случайного потенциала на закон дисперсии.
а
б
Рис. 1. Плотность состояний (схематически) сильнолегированного компенсированного
полупроводника с глубокой акцепторной зоной p-CdSnAs2〈Cu〉 с коэффициентом засе-
ленности акцепторной зоны KA ≈ 0 при атмосферном (а) и всестороннем (б) давлениях.
На вставке – плотность состояний слаболегированного и умеренно компенсированного
бесщелевого полупроводника p-HgTe. εV, εC – невозмущенные энергии вершины ва-
лентной зоны и дна зоны проводимости; εA, εF – энергии глубокого акцепторного
уровня и уровня Ферми; p
Vε , p
Cε – энергии уровней протекания для дырок валентной
зоны и электронов зоны проводимости. Штрихпунктирная линия – ход плотности со-
стояний в идеальном кристалле. Заполненные состояния заштрихованы
Физика и техника высоких давлений 2009, том 19, № 1
166
В качестве примера рассмотрим ситуацию в кристаллах p-CdSnAs2〈Cu〉, в
которых был обнаружен глубокий акцепторный уровень (зона) собственного
дефекта вакансии кадмия, расположенный на хвосте зоны проводимости
(рис. 1) [3]. Здесь и далее характеристические параметры носителей заряда и
dεi/dP рассчитывали по данным комплексных исследований кинетических
коэффициентов, в частности по температурным, магнитополевым и бариче-
ским зависимостям коэффициента Холла и удельной электропроводности.
Из рис. 2 видно, что в образце № 10 p-CdSnAs2〈Cu〉 зависимость εA(P) при
P > 10 kbar существенно ослабляется, т.е. величина dεi/dP начинает зависеть
от давления и аномально занижается, что обусловлено влиянием хаотиче-
ского потенциала на энергетический спектр уже при Т = 295 K. В этом об-
разце коэффициент заселенности KA глубокой акцепторной зоны близок к
нулевой величине, что и объясняет столь сильное влияние хаотического по-
тенциала. В кристаллах p-CdSnAs2〈Cu〉 с KA > 0 влияние случайного потен-
циала выражено слабее и, по крайней мере, при T = 77.6 K вблизи атмосфер-
ного давления влиянием случайного потенциала на энергетический спектр
можно пренебречь [3,6].
Аналогичное аномальное убывание ∂⎜εA⎢/∂P с понижением температуры от
295 до 77.6 K, обусловленное усиливающимся влиянием хаотического потен-
циала на энергетический спектр носи-
телей заряда, наблюдается также в p-
InAs с Next < 1017 cm–3 [8].
Из данных [9] (таблица) для
Ge〈Au〉 и [10] для Ge〈Cu〉 следует,
что значения dεi/dP как будто убы-
вают по мере удаления уровня энер-
гии примесного центра от края ва-
лентной зоны. Отметим лишь крат-
ко, что имеются две причины, при-
водящие к занижению βCL = ∂(ECL –
– Ei)/∂P в области электронной про-
водимости и βV = ∂(Ei – EV)/∂P в об-
ласти дырочной проводимости. Это,
во-первых, необходимость приме-
нения статистики Гиббса, что не
было корректно учтено в [10]. В ра-
боте [9] было принято во внимание
это обстоятельство, и для получения
достоверных результатов в Ge〈Au〉
измерения зависимости удельного
сопротивления от давления прово-
дили при низких температурах. Од-
Рис. 2. Зависимости нормализованных к
атмосферному давлению концентраций
электронов от всестороннего давления об-
разца p-HgTe с NA – ND = 3.7⋅1018 cm–3 при
T = 82 K (кривая 1) и T = 297 K (кривые 2–
4). Точки – расчет по R(H, P). Сплошные
линии – теория для величин барического
коэффициента ∂εg/∂P, meV/GPa: 1 – 220,
2 – 85, 3 – 110, 4 – 80. Кривая 5 – зави-
симость энергии уровня глубокого ак-
цептора εA при 280 K от давления для
образца № 10 p-CdSnAs2〈Cu〉
Физика и техника высоких давлений 2009, том 19, № 1
167
нако в легированном и компенсированном германии такие слабораствори-
мые примеси, как Au, Hg и Cu, с высокой степенью вероятности создают
кластеры.
Таблица
Значения производных энергетических зазоров dεi /dP от давления
для четырех уровней золота в германии*
Уровень Тип εC – εi, eV ∂(εCL – εi)/∂P, meV/GPa T, K
ε4 0.043 21 45–49.3
ε3 0.19 29 (44**) 112–194
ε2
Акцептор
0.60 44 170–273
ε1 Донор 0.71 49 49.5
εV 0.75 50
*По зависимостям удельного сопротивления от давления до 0.7 GPa [9].
**По зависимостям удельного сопротивления и коэффициента Холла от
давления до 7 GPa при 300 K [11].
При убывании температуры и увеличении давления концентрация сво-
бодных носителей заряда уменьшается, амплитуда случайного потенциала и
соответственно флуктуационное искривление зон возрастают. Это неизбеж-
но ведет к занижению dεi/dP, рассчитанных по барической зависимости
концентрации носителей заряда, что иллюстрируется данными, приведен-
ными в таблице. Очевидно также, что степень влияния хаотического потен-
циала тем сильнее, чем ближе к краю собственной зоны находится уровень
энергии глубокого примесного центра и чем ниже температура (таблица).
Согласно [5] значения dεi/dP между уровнями золота 2–4 и дном зоны про-
водимости βCL = 44 meV/GPa, а между уровнем золота 4 и потолком валент-
ной зоны βV = –6 meV/GPa. Барический коэффициент ширины запрещенной
зоны ∂εg/∂P = βCL – βV = 50 meV/GPa.
При определении значений dεi/dP необходим также детальный анализ
данных оптических и других свойств полупроводников. В [12,13] по данным
исследований оптических свойств в халькопиритных полупроводниках I–
III–VI2 и II–IV–V2 приводятся заниженные значения барического
коэффициента ширины запрещенной зоны.
В вышеперечисленных полупроводниках с увеличением всестороннего
давления энергетические зазоры возрастают, а усиливающееся влияние хао-
тического потенциала с понижением температуры и концентрации свобод-
ных носителей заряда приводит к аномальному занижению значений dεi/dP.
В отличие от обычных полупроводников в бесщелевых полупроводниках
с инверсной зонной структурой, например в p-HgTe (рис. 1), β = ∂⎜εg⎜/∂P < 0
(εg = εГ6 – εГ8) [14]. По экспериментальным данным о температурных, бари-
ческих и магнитополевых зависимостях коэффициента Холла R(T, H, P) и
Физика и техника высоких давлений 2009, том 19, № 1
168
удельной электропроводности σ(T, H, P) был рассчитан коэффициент β для
слаболегированного образца p-HgTe-2 [15] и сильнолегированного образца
p-HgTe (рис. 2) [16]. В слаболегированном образце p-HgTe-2 при темпе-
ратурах 295 и 77.6 K коэффициент β = –(121 ± 2) meV/GPa, при 4.2 K β =
= –220 meV/GPa; в сильнолегированном образце p-HgTe (рис. 2) при T = 295 K
β = –85 meV/GPa, при T = 77.6 K β = –210 meV/GPa. В образце p-HgTe с NA –
ND = 3.7⋅1018 cm–3 положение уровня Ферми задается статистикой дырок ва-
лентной зоны и практически не зависит от давления (p >> n). Оценки сдела-
ны с использованием известных сведений об энергетическом спектре носи-
телей заряда и о величинах зонных параметров, приведенных в [14].
Полученные значения коэффициента β для образца p-HgTe-2 при 77.6 и
295 K и для образца p-HgTe при 295 K согласуются с известными данными
[14,15]. Однако с понижением температуры рассчитанный коэффициент ⎢β⎥
аномально возрастает, причем в образце p-HgTe-2 с большей степенью бес-
порядка при более высоких температурах. Эта тенденция не зависит от того,
является ли образец сильно- или слаболегированным, и обусловлена суще-
ственным влиянием случайного потенциала на электронный спектр бесще-
левых полупроводников при низких температурах.
Выводы
По результатам количественного анализа данных об электронном транс-
порте при всестороннем давлении в легированных компенсированных
обычных, квазибесщелевых и бесщелевых полупроводниках выяснено: зна-
чения dεi/dP, рассчитанные согласно известным законам дисперсии, с пони-
жением температуры и увеличением давления аномально завышаются или
занижаются ввиду усиливающегося влияния флуктуационного потенциала
на энергетический спектр носителей заряда. Таким образом, всестороннее
давление является уникальным внешним воздействием, позволяющим опре-
делить степень влияния хаотического потенциала на энергетический спектр
носителей заряда и оценить адекватность интерпретации эксперименталь-
ных данных.
Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фунда-
ментальных исследований (грант № 07-02-00238).
1. Б.И. Шкловский, А.А. Эфрос, Электронные свойства легированных полупро-
водников, Наука, Москва (1979).
2. В.Л. Бонч-Бруевич, И.П. Звягин, А.Г. Кайпер, Р. Эндерлайн, Б. Эссер, Электрон-
ная теория неупорядоченных полупроводников, Наука, Москва (1981).
3. М.И. Даунов, А.Б. Магомедов, В.И. Данилов, ФТП 26, 467 (1991).
4. W. Paul, J. Appl. Phys. 32, 2082 (1961).
5. М.И. Даунов, И.К. Камилов, С.Ф. Габибов, ФТТ 46, 1766 (2004).
Физика и техника высоких давлений 2009, том 19, № 1
169
6. М.И. Даунов, И.К. Камилов, В.А. Елизаров, А.Б. Магомедов, В.И. Данилов, Докл.
РАН 357, 612 (1997).
7. М.И. Даунов, И.К. Камилов, А.Б. Магомедов, ЖЭТФ 111, 562 (1997).
8. М.И. Даунов, И.К. Камилов, А.Б. Магомедов, А.Ш. Киракосян, ФТП 33, 36 (1999).
9. M.G. Holland, W. Paul, Phys. Rev. 128, 43 (1962).
10. Е.Г. Пель, В.И. Фистуль, А. Ягшигельдыев, А.Г. Яковенко, ФТП 14, 1220 (1980).
11. М.И. Даунов, И.К. Камилов, С.Ф. Габибов, ФТП 35, 59 (2001).
12. In-Hwan Chor, P.Y. Yu, Phys. Status Solidi B211, 143 (1999).
13. In-Hwan Chor, P.Y. Yu, Phys. Status Solidi B235, 307 (2003).
14. I.M. Tsidilkovski, G.I. Harus, N.G. Shelushinina, Adv. Phys. 34, 43 (1985).
15. J. Stankiewicz, W. Giriat, Phys. Rev. B13, 665 (1976).
16. M.I. Daunov, E.L. Broyda, Phys. Status Solidi B55, K155 (1973).
М.І. Даунов, І.К. Камілов, С.Ф. Габібов
ВИКОРИСТАННЯ ВСЕБІЧНОГО ТИСКУ ДЛЯ ОЦІНКИ СТУПЕНЯ
ВПЛИВУ ФЛУКТУАЦІЙНОГО ПОТЕНЦІАЛУ НА ЕНЕРГЕТИЧНИЙ
СПЕКТР НОСІЇВ ЗАРЯДУ В КРИСТАЛІЧНИХ НАПІВПРОВІДНИКАХ
Пропонується спосіб оцінки коректності застосування співвідношень, отриманих
для енергетичного спектру бездефектного кристала, при аналізі результатів експе-
рименту в легованих компенсованих кристалах напівпровідників, заснований на
порівнянні розрахованих по даним про електронний транспорт при всебічному тис-
ку похідних енергетичних зазорів від тиску dεi/dP з відомими величинами. Про-
аналізовано експериментальні дані і результати кількісного аналізу в Ge〈Au, Sb〉,
квазібезщілинному CdSnAs2〈Cu〉 і безщілинному p-HgTe напівпровідниках. З'ясова-
но, що величини dεi/dP енергетичних зазорів, розраховані згідно з відомими зако-
нами дисперсії, з пониженням температури і збільшенням тиску аномально зави-
щуються або занижуються внаслідок зростаючого впливу флуктуаційного по-
тенціалу на енергетичний спектр носіїв заряду.
M.I. Daunov, I.K. Kamilov, S.F. Gabibov
APPLICATION OF HYDROSTATIC PRESSURE FOR ESTIMATION
OF THE EXTENT OF FLUCTUATION POTENTIAL EFFECT
ON ENERGY SPECTRUM OF CHARGE CARRIERS IN CRYSTALLINE
SEMICONDUCTORS
A method is proposed to estimate the correctness of application of relationships derived
for the energy spectrum of defect-free crystal during the analysis of experimental results
for doped compensated crystals of semiconductors. The method is based on comparison
of derivatives of the energy gaps versus pressure dεi/dP calculated using data on electron
transport under uniform pressure and the known values. Experimental data and results of
quantitative analysis in Ge〈Au, Sb〉, quasi-gap free CdSnAs2〈Cu〉 and gap-free p-HgTe
semiconductors have been analysed. It has been determined that the dεi/dP values of en-
Физика и техника высоких давлений 2009, том 19, № 1
170
ergy gaps calculated by the known dispersion laws increase or decrease, with temperature
decrease and pressure increase, because of growing influence of fluctuation potential on
the energy spectrum of charge carries.
Fig. 1. Schematic diagram of the density of states (DOS) in heavily doped compensated
semiconductor (p-CdSnAs2〈Cu〉) with a deep acceptor band with nearly zero occupancy
KA ≈ 0 at atmospheric (a) and elevated hydrostatic (б) pressure (the inset shows the DOS
for the slightly doped, moderately compensated gapless semiconductor p-HgTe. εV, εC are
unperturbed energies of the valence-band top and conduction-band bottom, respectively;
εA, εF are the energies of a deep acceptor level and the Fermi level, respectively; p
Vε , p
Cε
are the energies of percolation levels for holes in the valence band and electrons in the
conduction band, respectively; the dash-dot curve indicates the DOS in the ideal crystal;
cross-hatched regions correspond to occupied states
Fig. 2. Plots of the electron concentration (normalized to that at atmospheric pressure)
versus hydrostatic pressure for p-HgTe with NA – ND = 3.7⋅1018 cm–3: as determined
from the pressure dependence of R(H, P) at T = 82 (curve 1) and 297 K (curves 1–4).
Solid lines – theory for ∂εg/∂P values, meV/GPa: 1 – 220, 2 – 85, 3 – 110, 4 – 80. Curve 5 –
pressure dependence of the deep acceptor level εA at 280 K for CdSnAs2〈Cu〉 (sample № 10)
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-69157 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0868-5924 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:46:36Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Даунов, М.И. Камилов, И.К. Габибов, С.Ф. 2014-10-06T18:45:36Z 2014-10-06T18:45:36Z 2009 Использование всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках / М.И. Даунов, И.К. Камилов, С.Ф. Габибов // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 1. — С. 164-170. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. 0868-5924 PACS: 72.80.Ey, 72.80.Cw, 71.23.–k https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69157 Предлагается способ оценки корректности применения соотношений, полученных для энергетического спектра бездефектного кристалла, при анализе результатов эксперимента в легированных компенсированных кристаллах полупроводников, основанный на сравнении рассчитанных по данным об электронном транспорте при всестороннем давлении производных энергетических зазоров от давления dεi/dP с известными величинами. Проанализированы экспериментальные данные и результаты количественного анализа в Ge<Au, Sb>, квазибесщелевом CdSnAs2<Cu> и бесщелевом p-HgTe полупроводниках. Выяснено, что величины dεi/dP энергетических зазоров, рассчитанные согласно известным законам дисперсии, с понижением температуры и увеличением давления аномально завышаются или занижаются ввиду усиливающегося влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда. Пропонується спосіб оцінки коректності застосування співвідношень, отриманих для енергетичного спектру бездефектного кристала, при аналізі результатів експерименту в легованих компенсованих кристалах напівпровідників, заснований на порівнянні розрахованих по даним про електронний транспорт при всебічному тиску похідних енергетичних зазорів від тиску dεi/dP з відомими величинами. Проаналізовано експериментальні дані і результати кількісного аналізу в Ge<Au, Sb>, квазібезщілинному CdSnAs2<Cu> і безщілинному p-HgTe напівпровідниках. З'ясовано, що величини dεi/dP енергетичних зазорів, розраховані згідно з відомими законами дисперсії, з пониженням температури і збільшенням тиску аномально завищуються або занижуються внаслідок зростаючого впливу флуктуаційного потенціалу на енергетичний спектр носіїв заряду. A method is proposed to estimate the correctness of application of relationships derived for the energy spectrum of defect-free crystal during the analysis of experimental results for doped compensated crystals of semiconductors. The method is based on comparison of derivatives of the energy gaps versus pressure dεi/dP calculated using data on electron transport under uniform pressure and the known values. Experimental data and results of quantitative analysis in Ge<Au, Sb>, quasi-gap free CdSnAs2<Cu> and gap-free p-HgTe semiconductors have been analysed. It has been determined that the dεi/dP values of en ergy gaps calculated by the known dispersion laws increase or decrease, with temperature decrease and pressure increase, because of growing influence of fluctuation potential on the energy spectrum of charge carries. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 07-02-00238). ru Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України Физика и техника высоких давлений Использование всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках Використання всебічного тиску для оцінки ступеня впливу флуктуаційного потенціалу на енергетичний спектр носіїв заряду в кристалічних напівпровідниках Використання всебічного тиску для оцінки ступеня впливу флуктуаційного потенціалу на енергетичний спектр носіїв заряду в кристалічних напівпровідниках Article published earlier |
| spellingShingle | Использование всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках Даунов, М.И. Камилов, И.К. Габибов, С.Ф. |
| title | Использование всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках |
| title_alt | Використання всебічного тиску для оцінки ступеня впливу флуктуаційного потенціалу на енергетичний спектр носіїв заряду в кристалічних напівпровідниках Використання всебічного тиску для оцінки ступеня впливу флуктуаційного потенціалу на енергетичний спектр носіїв заряду в кристалічних напівпровідниках |
| title_full | Использование всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках |
| title_fullStr | Использование всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках |
| title_full_unstemmed | Использование всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках |
| title_short | Использование всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках |
| title_sort | использование всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69157 |
| work_keys_str_mv | AT daunovmi ispolʹzovanievsestoronnegodavleniâdlâocenkistepenivliâniâfluktuacionnogopotencialanaénergetičeskiispektrnositeleizarâdavkristalličeskihpoluprovodnikah AT kamilovik ispolʹzovanievsestoronnegodavleniâdlâocenkistepenivliâniâfluktuacionnogopotencialanaénergetičeskiispektrnositeleizarâdavkristalličeskihpoluprovodnikah AT gabibovsf ispolʹzovanievsestoronnegodavleniâdlâocenkistepenivliâniâfluktuacionnogopotencialanaénergetičeskiispektrnositeleizarâdavkristalličeskihpoluprovodnikah AT daunovmi vikoristannâvsebíčnogotiskudlâocínkistupenâvplivufluktuacíinogopotencíalunaenergetičniispektrnosíívzarâduvkristalíčnihnapívprovídnikah AT kamilovik vikoristannâvsebíčnogotiskudlâocínkistupenâvplivufluktuacíinogopotencíalunaenergetičniispektrnosíívzarâduvkristalíčnihnapívprovídnikah AT gabibovsf vikoristannâvsebíčnogotiskudlâocínkistupenâvplivufluktuacíinogopotencíalunaenergetičniispektrnosíívzarâduvkristalíčnihnapívprovídnikah |