Использование всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках

• Veröffentlicht in: Физика и техника высоких давлений
• Datum: 2009
• Hauptverfasser: Даунов, М.И., Камилов, И.К., Габибов, С.Ф.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2009
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69157
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Использование всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках / М.И. Даунов, И.К. Камилов, С.Ф. Габибов // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 1. — С. 164-170. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.

Предлагается способ оценки корректности применения соотношений, полученных для энергетического спектра бездефектного кристалла, при анализе результатов эксперимента в легированных компенсированных кристаллах полупроводников, основанный на сравнении рассчитанных по данным об электронном транспорте пр...