Комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении

• Опубліковано в: Физика и техника высоких давлений
• Дата: 2009
• ISSN: 0868-5924
• Автор: Моллаев, А.Ю.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2009
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69158
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении / А.Ю. Моллаев // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 1. — С. 171-181. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

На базовых образцах CdGeAs2, CdGeP2 и высокотемпературных ферромагнитных полупроводниках Cd1–хMnхGeAs2, Cd1–хCrхGeAs2 и Cd1–хMnхGeP2 в аппарате высокого давления типа «тороид» измерены барические (до 9 GPa) и температурные зависимости удельного электросопротивления ρ, коэффициента Холла RH при 77–400 K. На базових зразках CdGeAs2, CdGeP2 і високотемпературних феромагнітних напівпровідниках Cd1–хMnхGeAs2, Cd1–хCrхGeAs2 і Cd1–хMnхGeP2 в апараті високого тиску типу «тороїд» зміряно баричні (до 9 GPa) і температурні залежності питомого електроопору ρ, коефіцієнта Хола RH при 77–400 K. Baric (up to 9 GPa) and temperature dependences of resistivity ρ, Hall coefficient RH in the 77–400 K temperature range have been measured on base samples CdGeAs2, CdGeP2 and high-temperature ferromagnetic semiconductors Cd1–xMnxGeAs2, Cd1–xCrxGeAs2 and Cd1–xMnxGeP2 in a high-pressure device of «thoroid» type.