Комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении

Комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении

На базовых образцах CdGeAs2, CdGeP2 и высокотемпературных ферромагнитных полупроводниках Cd1–хMnхGeAs2, Cd1–хCrхGeAs2 и Cd1–хMnхGeP2 в аппарате высокого давления типа «тороид» измерены барические (до 9 GPa) и температурные зависимости удельного электросопротивления ρ, коэффициента Холла RH при 77–40...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физика и техника высоких давлений
Дата:2009
Автор: Моллаев, А.Ю.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2009
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69158
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении / А.Ю. Моллаев // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 1. — С. 171-181. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-69158
record_format dspace
spelling Моллаев, А.Ю.
2014-10-06T18:47:28Z
2014-10-06T18:47:28Z
2009
Комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении / А.Ю. Моллаев // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 1. — С. 171-181. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
0868-5924
PACS: 62.50.+p, 72.20.–i
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69158
На базовых образцах CdGeAs2, CdGeP2 и высокотемпературных ферромагнитных полупроводниках Cd1–хMnхGeAs2, Cd1–хCrхGeAs2 и Cd1–хMnхGeP2 в аппарате высокого давления типа «тороид» измерены барические (до 9 GPa) и температурные зависимости удельного электросопротивления ρ, коэффициента Холла RH при 77–400 K.
На базових зразках CdGeAs2, CdGeP2 і високотемпературних феромагнітних напівпровідниках Cd1–хMnхGeAs2, Cd1–хCrхGeAs2 і Cd1–хMnхGeP2 в апараті високого тиску типу «тороїд» зміряно баричні (до 9 GPa) і температурні залежності питомого електроопору ρ, коефіцієнта Хола RH при 77–400 K.
Baric (up to 9 GPa) and temperature dependences of resistivity ρ, Hall coefficient RH in the 77–400 K temperature range have been measured on base samples CdGeAs2, CdGeP2 and high-temperature ferromagnetic semiconductors Cd1–xMnxGeAs2, Cd1–xCrxGeAs2 and Cd1–xMnxGeP2 in a high-pressure device of «thoroid» type.
Работа выполнена при финансовой поддержке подпрограммы № 3 «Физика и механика сильно сжатого вещества и проблемы внутреннего строения Земли и планет» Программы Президиума РАН П-09 «Исследование вещества в экстремальных условиях».
ru
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
Физика и техника высоких давлений
Комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении
Комплексне дослідження допійованих феромагнітних напівпровідників при високому тиску
Complex study of doped ferromagnetic semiconductors under high pressure
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении
spellingShingle Комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении
Моллаев, А.Ю.
title_short Комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении
title_full Комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении
title_fullStr Комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении
title_full_unstemmed Комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении
title_sort комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении
author Моллаев, А.Ю.
author_facet Моллаев, А.Ю.
publishDate 2009
language Russian
container_title Физика и техника высоких давлений
publisher Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
format Article
title_alt Комплексне дослідження допійованих феромагнітних напівпровідників при високому тиску
Complex study of doped ferromagnetic semiconductors under high pressure
description На базовых образцах CdGeAs2, CdGeP2 и высокотемпературных ферромагнитных полупроводниках Cd1–хMnхGeAs2, Cd1–хCrхGeAs2 и Cd1–хMnхGeP2 в аппарате высокого давления типа «тороид» измерены барические (до 9 GPa) и температурные зависимости удельного электросопротивления ρ, коэффициента Холла RH при 77–400 K. На базових зразках CdGeAs2, CdGeP2 і високотемпературних феромагнітних напівпровідниках Cd1–хMnхGeAs2, Cd1–хCrхGeAs2 і Cd1–хMnхGeP2 в апараті високого тиску типу «тороїд» зміряно баричні (до 9 GPa) і температурні залежності питомого електроопору ρ, коефіцієнта Хола RH при 77–400 K. Baric (up to 9 GPa) and temperature dependences of resistivity ρ, Hall coefficient RH in the 77–400 K temperature range have been measured on base samples CdGeAs2, CdGeP2 and high-temperature ferromagnetic semiconductors Cd1–xMnxGeAs2, Cd1–xCrxGeAs2 and Cd1–xMnxGeP2 in a high-pressure device of «thoroid» type.
issn 0868-5924
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69158
citation_txt Комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении / А.Ю. Моллаев // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 1. — С. 171-181. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT mollaevaû kompleksnoeissledovaniedopirovannyhferromagnitnyhpoluprovodnikovprivysokomdavlenii
AT mollaevaû kompleksnedoslídžennâdopíiovanihferomagnítnihnapívprovídnikívprivisokomutisku
AT mollaevaû complexstudyofdopedferromagneticsemiconductorsunderhighpressure
first_indexed 2025-12-07T21:19:08Z
last_indexed 2025-12-07T21:19:08Z
_version_ 1850885903083372544

Схожі ресурси