Комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении
На базовых образцах CdGeAs2, CdGeP2 и высокотемпературных ферромагнитных полупроводниках Cd1–хMnхGeAs2, Cd1–хCrхGeAs2 и Cd1–хMnхGeP2 в аппарате высокого давления типа «тороид» измерены барические (до 9 GPa) и температурные зависимости удельного электросопротивления ρ, коэффициента Холла RH при 77–40...
Saved in:
| Published in: | Физика и техника высоких давлений |
|---|---|
| Date: | 2009 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2009
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69158 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении / А.Ю. Моллаев // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 1. — С. 171-181. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862752894681350144 |
|---|---|
| author | Моллаев, А.Ю. |
| author_facet | Моллаев, А.Ю. |
| citation_txt | Комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении / А.Ю. Моллаев // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 1. — С. 171-181. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика и техника высоких давлений |
| description | На базовых образцах CdGeAs2, CdGeP2 и высокотемпературных ферромагнитных полупроводниках Cd1–хMnхGeAs2, Cd1–хCrхGeAs2 и Cd1–хMnхGeP2 в аппарате высокого давления типа «тороид» измерены барические (до 9 GPa) и температурные зависимости удельного электросопротивления ρ, коэффициента Холла RH при 77–400 K.
На базових зразках CdGeAs2, CdGeP2 і високотемпературних феромагнітних напівпровідниках Cd1–хMnхGeAs2, Cd1–хCrхGeAs2 і Cd1–хMnхGeP2 в апараті високого тиску типу «тороїд» зміряно баричні (до 9 GPa) і температурні залежності питомого електроопору ρ, коефіцієнта Хола RH при 77–400 K.
Baric (up to 9 GPa) and temperature dependences of resistivity ρ, Hall coefficient RH in the 77–400 K temperature range have been measured on base samples CdGeAs2, CdGeP2 and high-temperature ferromagnetic semiconductors Cd1–xMnxGeAs2, Cd1–xCrxGeAs2 and Cd1–xMnxGeP2 in a high-pressure device of «thoroid» type.
|
| first_indexed | 2025-12-07T21:19:08Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-69158 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0868-5924 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T21:19:08Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Моллаев, А.Ю. 2014-10-06T18:47:28Z 2014-10-06T18:47:28Z 2009 Комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении / А.Ю. Моллаев // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 1. — С. 171-181. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 0868-5924 PACS: 62.50.+p, 72.20.–i https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69158 На базовых образцах CdGeAs2, CdGeP2 и высокотемпературных ферромагнитных полупроводниках Cd1–хMnхGeAs2, Cd1–хCrхGeAs2 и Cd1–хMnхGeP2 в аппарате высокого давления типа «тороид» измерены барические (до 9 GPa) и температурные зависимости удельного электросопротивления ρ, коэффициента Холла RH при 77–400 K. На базових зразках CdGeAs2, CdGeP2 і високотемпературних феромагнітних напівпровідниках Cd1–хMnхGeAs2, Cd1–хCrхGeAs2 і Cd1–хMnхGeP2 в апараті високого тиску типу «тороїд» зміряно баричні (до 9 GPa) і температурні залежності питомого електроопору ρ, коефіцієнта Хола RH при 77–400 K. Baric (up to 9 GPa) and temperature dependences of resistivity ρ, Hall coefficient RH in the 77–400 K temperature range have been measured on base samples CdGeAs2, CdGeP2 and high-temperature ferromagnetic semiconductors Cd1–xMnxGeAs2, Cd1–xCrxGeAs2 and Cd1–xMnxGeP2 in a high-pressure device of «thoroid» type. Работа выполнена при финансовой поддержке подпрограммы № 3 «Физика и механика сильно сжатого вещества и проблемы внутреннего строения Земли и планет» Программы Президиума РАН П-09 «Исследование вещества в экстремальных условиях». ru Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України Физика и техника высоких давлений Комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении Комплексне дослідження допійованих феромагнітних напівпровідників при високому тиску Complex study of doped ferromagnetic semiconductors under high pressure Article published earlier |
| spellingShingle | Комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении Моллаев, А.Ю. |
| title | Комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении |
| title_alt | Комплексне дослідження допійованих феромагнітних напівпровідників при високому тиску Complex study of doped ferromagnetic semiconductors under high pressure |
| title_full | Комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении |
| title_fullStr | Комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении |
| title_full_unstemmed | Комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении |
| title_short | Комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении |
| title_sort | комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69158 |
| work_keys_str_mv | AT mollaevaû kompleksnoeissledovaniedopirovannyhferromagnitnyhpoluprovodnikovprivysokomdavlenii AT mollaevaû kompleksnedoslídžennâdopíiovanihferomagnítnihnapívprovídnikívprivisokomutisku AT mollaevaû complexstudyofdopedferromagneticsemiconductorsunderhighpressure |