Дефектность кластеризованной наноструктуры, фазовые переходы и магниторезистивные свойства нестехиометрических манганит-лантановых перовскитов La0.6Sr0.2Mn1.2-xAlxO3±δ
Исследованы структура, фазовые переходы и магниторезистивные свойства керамики La0.6Sr0.2Mn1.2–xAlxO3±δ (x = 0–0.1), спеченной при tsint = 1200, 1350 и 1430°C, рентгеноструктурным, микроскопическим, резистивным, магнитным и магниторезистивным (MR) методами. Досліджено структуру, фазові переходи і ма...
Saved in:
| Published in: | Физика и техника высоких давлений |
|---|---|
| Date: | 2009 |
| Main Authors: | , , , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2009
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69211 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Дефектность кластеризованной наноструктуры, фазовые переходы и магниторезистивные свойства нестехиометрических манганит-лантановых перовскитов La0.6Sr0.2Mn1.2-xAlxO3±δ / В.П. Пащенко, А.В. Пащенко, А.Г. Сильчева, В.К. Прокопенко, Ю.Ф. Ревенко, В.Я. Сычева, Н.Г. Кисель, В.В. Бурховецкий, В.П. Комаров // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 3. — С. 24-35. — Бібліогр.: 31 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860014760242708480 |
|---|---|
| author | Пащенко, В.П. Пащенко, А.В. Сильчева, А.Г. Прокопенко, В.К. Ревенко, Ю.Ф. Сычева, В.Я. Кисель, Н.Г. Бурховецкий, В.В. Комаров, В.П. |
| author_facet | Пащенко, В.П. Пащенко, А.В. Сильчева, А.Г. Прокопенко, В.К. Ревенко, Ю.Ф. Сычева, В.Я. Кисель, Н.Г. Бурховецкий, В.В. Комаров, В.П. |
| citation_txt | Дефектность кластеризованной наноструктуры, фазовые переходы и магниторезистивные свойства нестехиометрических манганит-лантановых перовскитов La0.6Sr0.2Mn1.2-xAlxO3±δ / В.П. Пащенко, А.В. Пащенко, А.Г. Сильчева, В.К. Прокопенко, Ю.Ф. Ревенко, В.Я. Сычева, Н.Г. Кисель, В.В. Бурховецкий, В.П. Комаров // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 3. — С. 24-35. — Бібліогр.: 31 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика и техника высоких давлений |
| description | Исследованы структура, фазовые переходы и магниторезистивные свойства керамики La0.6Sr0.2Mn1.2–xAlxO3±δ (x = 0–0.1), спеченной при tsint = 1200, 1350 и 1430°C, рентгеноструктурным, микроскопическим, резистивным, магнитным и магниторезистивным (MR) методами.
Досліджено структуру, фазові переходи і магніторезистивні властивості кераміки La0.6Sr0.2Mn1.2–xAlxO3±δ (x = 0–0.1), спеченої при tsint = 1200, 1350 і 1430°C, рентгеноструктурним, мікроскопічним, резистивним, магнітним та магніторезистивним (MR) методами.
Structure, phase transitions and magnetoresistive properties of the La0.6Sr0.2Mn1.2–xAlxO3±δ (x = 0–0.1) ceramics sintered at tsint = 1200, 1350 и 1430°С have been investigated by the X-ray diffraction, microscopic, resistive, magnetic and magnetoresistive (MR) methods.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:43:41Z |
| format | Article |
| fulltext |
Физика и техника высоких давлений 2009, том 19, № 3
© В.П. Пащенко, А.В. Пащенко, А.Г. Сильчева, В.К. Прокопенко, Ю.Ф. Ревенко, В.Я. Сычева,
Н.Г. Кисель, В.В. Бурховецкий, В.П. Комаров, 2009
PACS: 75.47.Gk, 75.47.Lx, 75.75.+а
В.П. Пащенко1,2, А.В. Пащенко1,4, А.Г. Сильчева3, В.К. Прокопенко1,
Ю.Ф. Ревенко1, В.Я. Сычева1, Н.Г. Кисель1,2, В.В. Бурховецкий1,
В.П. Комаров2
ДЕФЕКТНОСТЬ КЛАСТЕРИЗОВАННОЙ НАНОСТРУКТУРЫ,
ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ И МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЕ СВОЙСТВА
НЕСТЕХИОМЕТРИЧЕСКИХ МАНГАНИТ-ЛАНТАНОВЫХ
ПЕРОВСКИТОВ La0.6Sr0.2Mn1.2–xAlxO3±δ
1Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины
ул. Р. Люксембург, 72, г. Донецк, 83114, Украина
2Донецкий научно-технический центр «Реактивэлектрон» НАН Украины
ул. Бакинских комиссаров, 17а, г. Донецк, 83097, Украина
3Луганский национальный университет имени Тараса Шевченко
ул. Оборонная, 2, г. Луганск, 91011, Украина
4Донецкий национальный университет экономики и торговли им. М. Туган-Барановского
г. Донецк, Украина
E-mail: alpash@mail.ru
Статья поступила в редакцию 17 июля 2009 года
Исследованы структура, фазовые переходы и магниторезистивные свойства ке-
рамики La0.6Sr0.2Mn1.2–xAlxO3±δ (x = 0–0.1), спеченной при tsint = 1200, 1350 и
1430°C, рентгеноструктурным, микроскопическим, резистивным, магнитным и
магниторезистивным (MR) методами. Установлены закономерности влияния х и
tsint на параметр дефектной кластеризованной перовскитовой структуры, темпе-
ратуры магнитных Tс и резистивных Tms фазовых переходов и MR-эффекты вбли-
зи Tс, Tms и в низкотемпературной области туннельного типа на межкристал-
литных границах. Аномальный гистерезис объяснен однонаправленной обменной
анизотропией между магнитными моментами дефектной ферромагнитной (FM)
перовскитовой фазы и антиферромагнитного (AFM) кластера. Уменьшение Tс,
Tms и увеличение энергии активации объяснено нарушением ионами Al3+ высоко-
частотного обменного взаимодействия между Mn3+ и Mn4+.
Ключевые слова: манганит-лантановые перовскиты, дефектность структуры, фа-
зовые переходы, магниторезистивный эффект, аномальный гистерезис
1. Введение
Выяснению дискуссионной природы колоссального магниторезистивного
(CMR) эффекта [1–4], фазовых переходов ферромагнетик–парамагнетик Tс и
Физика и техника высоких давлений 2009, том 19, № 3
25
металл–полупроводник Тms способствуют исследования редкоземельных
манганитоперовскитов, допированных диа- и парамагнитными ионами. Среди
большинства исследований, выполненных при допировании А-подрешетки
двухвалентными ионами Ca2+, Sr2+, Pb2+, Ba2+ [5–7], особый интерес пред-
ставляют допированные Sr2+ с максимальными температурами фазовых пе-
реходов Tc и Tms. Вблизи этих температур при Tp ~ 365 K наблюдается пик
CMR-эффекта. Повышению последнего и стабилизации Тр способствует
сверхстехиометрический марганец, который, растворяясь в матричной перов-
скитовой структуре, образует наноструктурные кластеры [8,9]. Имеется не-
сколько работ, в которых марганец (но несверхстехиометрический) замещали
другими ионами в В-позициях [10–13]. Влияние замещения сверхстехиомет-
рического марганца парамагнитными ионами Fe3+ и Co3+ на фазовые перехо-
ды и MR-свойства было установлено авторами [14,15]. Менее исследовано
влияние замещений диамагнитными ионами, среди которых особый интерес
представляет Al3+, который содержится в алундовой подложке (Al2O3) и при
спекании может диффундировать в редкоземельные манганитоперовскиты.
В работе проведены исследования с целью установления закономерно-
стей влияния замещений сверхстехиометрического марганца ионами Al3+ на
структуру, фазовые переходы и свойства манганит-лантан-стронциевых пе-
ровскитов.
2. Объекты и методы исследований
Объектами исследований являлись керамические образцы, синтезирован-
ные из порошковой смеси La(OH)3, Mn3O4, SrCO3 и Al2O3 при 1000°C (20 h)
и спеченные в виде прессовок (Ø = 8 mm, h = 3 mm) при 1200°C (20 h),
1350°C (3.5 h) и 1430°C (3 h). Получены и изучены керамические образцы
La0.6Sr0.2Mn1.2–xAlxO3±δ с х = 0, 0.02, 0.05, 0.07, 0.10.
При исследованиях использовали методы:
– рентгеноструктурный в Cu-излучении на установке ДРОН-3;
– растровой электронной микроскопии с применением рентгеновского
микроанализа на японском микроскопе JSM-6490LV;
– магнитный – температурные зависимости магнитной восприимчивости
χас в слабом (H = 0.1 Oe) поле при f = 600 Hz с пересчетом на абсолютную
дифференциальную восприимчивость 4πNχac.
– четырехконтактный резистивный метод и магниторезистивный MR =
= ΔR/R0 = (R0 – RH)/R0 (R0 – сопротивление при H = 0 и RН – при Н = 5 kOe).
3. Результаты и их обсуждение
3.1. Структурные исследования
Согласно рентгеноструктурным данным керамические образцы были
близки к однофазным и содержали 97% ромбоэдрически ( 3R c ) искаженную
Физика и техника высоких давлений 2009, том 19, № 3
26
перовскитовую структуру и ~ 3%
Mn3O4. В таком случае основным
объектом наших исследований яв-
лялся La0.6Sr0.2Mn1.1–хAlхO3±δ. Сте-
пень искажения, характеризуемая
углом α, практически не изменя-
лась (α = 90.37–90.39°). На рис. 1
приведены концентрационные за-
висимости параметра перовскито-
вой структуры а и усредненного
ионного радиуса r [16], рассчи-
танного из молярных формул ре-
альной перовскитовой структуры.
С ростом х параметр а уменьшался
от 7.760 (х = 0) до 7.748 Å (х = 0.1).
Дефектность решетки определя-
ли, учитывая механизм дефектооб-
разования [8,17], заключающийся в
суперпозиции разновалентных ио-
нов марганца 3 3
0.5Mn Mn+ +→ +
4 2
0.25 0.25Mn Mn+ ++ + , циклических из-
менениях их валентностей и со-
держания кислорода. При повы-
шенных температурах вследствие
перехода 4 3
0.25 0.25Mn Mn+ +→ образу-
ются анионные вакансии V(а). Охлаждение сопровождается переходом
2 3
0.25 0.25Mn Mn+ +→ с образованием катионных вакансий V(с). В результате такого
цикла происходит накачка дефектов и реальная перовскитовая структура со-
держит анионные, катионные вакансии и наноструктурные кластеры, образо-
ванные Mn2+ в деформированных А-позициях и частью Mn4+ с их соотношением,
близким к Mn3O4 ( 3+ 2+ 4+ 2
1 1 1 4Mn Mn Mn O − ) или Mn2O3 ( 3+ 2+ 4+ 2
1 0.5 0.5 3Mn Mn Mn O )− .
Молярные формулы реальной кластеризованной перовскитовой структуры,
определенные с учетом такого механизма дефектообразования и выполне-
ния условия электронейтральности и кристаллохимических особенностей,
приведены в таблице для трех температур спекания 1200, 1350 и 1430°C.
Согласование не только характера концентрационных зависимостей a и
r (рис. 1,a), но и величин ∆a/a0 и ∆r/r0 (рис. 1,б) свидетельствует о достовер-
ности наших представлений о такой дефектности твердых растворов на осно-
ве перовскитовой структуры. Диамагнитные ионы Al3+ замещают Mn3+ в В-
позициях, уменьшая соотношение Mn3+/Mn4+. При этом должны изменяться
магнитные и транспортные свойства манганит-лантан-стронциевых перовскитов.
7.748
7.752
7.756
7.760
1.182
1.183
1.184
0.00 0.05 0.10
0.0
0.1
0.2
0.0
0.1
0.2
a,
Å
a
r,
Å
Δ
r/
r 0, %
Δ
a/
a 0, %
x
б
Рис. 1. Концентрационные зависимости
параметра решетки a и усредненного
ионного радиуса r (а), а также относи-
тельные их изменения Δa/a0 и Δr/r0 (б)
керамики La0.6Sr0.2Mn1.2–xAlxO3±δ: –□–,
–■– – tsint = 1350°C; –○–, –●– – 1430°C
Физика и техника высоких давлений 2009, том 19, № 3
27
Таблица
Молярные формулы дефектной перовскитовой структуры и размытие
фазового перехода ферромагнетик–парамагнетик ΔТс
керамики La0.6Sr0.2Mn1.2–xAlxO3±δ при различных tsint
x tsint,
°C
Молярные формулы перовскитоподобных твердых растворов ΔTc, K
1200 ( ){ }( ) ( )3 2 2 3 4 2
0.60 0.20 0.09 0.71 0.29 2.840.11 0.16cl
La Sr Mn Mn Mn Oc a
BA
V V+ + + + + −⎡ ⎤
⎣ ⎦ 42
1350 ( ){ }( ) ( )3 2 2+ 3+ 4 2
0.59 0.19 0.08 0.73 0.27 2.790.14 0.21cl
La Sr Mn Mn Mn Oc a
BA
V V+ + + −⎡ ⎤
⎣ ⎦ 290
1430 ( ){ }( ) ( )3 2 2+ 3+ 4 2
0.59 0.19 0.07 0.74 0.26 2.770.15 0.23cl
La Sr Mn Mn Mn Oc a
BA
V V+ + + −⎡ ⎤
⎣ ⎦ 32
1200 ( ){ }( ) ( )3+ 2 2+ 3+ 4+ 3 2
0.60 0.20 0.10 0.65 0.30 0.05 2.850.10 0.15cl
La Sr Mn Mn Mn Al Oc a
BA
V V+ + −⎡ ⎤
⎣ ⎦ 52
1350 ( ){ }( ) ( )3+ 2 2+ 3+ 4+ 3 2
0.59 0.19 0.09 0.67 0.28 0.05 2.810.13 0.19cl
La Sr Mn Mn Mn Al Oc a
BA
V V+ + −⎡ ⎤
⎣ ⎦ 470.05
1430 ( ){ }( ) ( )3+ 2 2+ 3+ 4+ 3 2
0.59 0.19 0.08 0.68 0.27 0.05 2.790.14 0.21cl
La Sr Mn Mn Mn Al Oc a
BA
V V+ + −⎡ ⎤
⎣ ⎦ 52
1200 ( ){ }( ) ( )3+ 2 2+ 3+ 4+ 3 2
0.60 0.20 0.10 0.63 0.30 0.07 2.850.10 0.15cl
La Sr Mn Mn Mn Al Oc a
BA
V V+ + −⎡ ⎤
⎣ ⎦ 56
1350 ( ){ }( ) ( )3+ 2+ 2+ 3+ 4+ 3 2
0.59 0.19 0.09 0.65 0.28 0.07 2.810.13 0.19cl
La Sr Mn Mn Mn Al Oc a
BA
V V+ −⎡ ⎤
⎣ ⎦ 500.07
1430 ( ){ }( ) ( )3+ 2 2+ 3+ 4+ 3 2
0.59 0.19 0.08 0.66 0.27 0.07 2.790.14 0.21cl
La Sr Mn Mn Mn Al Oc a
BA
V V+ + −⎡ ⎤
⎣ ⎦ 52
1200 ( ){ }( ) ( )3+ 2 2+ 3+ 4+ 3 2
0.60 0.20 0.10 0.60 0.30 0.10 2.850.10 0.15cl
La Sr Mn Mn Mn Al Oc a
BA
V V+ + −⎡ ⎤
⎣ ⎦ 61
1350 ( ){ }( ) ( )3+ 2 2 3+ 4+ 3 2
0.59 0.19 0.09 0.62 0.28 0.10 2.810.13 0.19cl
La Sr Mn Mn Mn Al Oc a
BA
V V+ + + −⎡ ⎤
⎣ ⎦ 660.1
1430 ( ){ }( ) ( )3+ 2 2+ 3+ 4+ 3 2
0.59 0.19 0.08 0.63 0.27 0.10 2.790.14 0.21cl
La Sr Mn Mn Mn Al Oc a
BA
V V+ + −⎡ ⎤
⎣ ⎦ 61
3.2. Магнитные свойства
Температурную зависимость абсолютных значений дифференциальной
магнитной восприимчивости керамических образцов, спеченных при 1350 и
1430°C, иллюстрирует рис. 2. С повышением х уменьшаются температура Tc
и доля ферромагнитной фазы вследствие ослабления диамагнитными ионами
Al3+ высокочастотного электронно-дырочного обмена между Mn3+ ↔ Mn4+
и изменения их соотношения (таблица). Доля FM-составляющей, опреде-
ляемой по максимуму 4πNχac, для tsint = 1350°C уменьшается от 84 (при х = 0)
до 69% (х = 0.1). Температура Tc при этом понижается от 350–370 K (х = 0)
до 300–360 K (х = 0.1) с повышением размытия этого фазового перехода
Физика и техника высоких давлений 2009, том 19, № 3
28
100 200 300 400
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
4π
N
χ ac
T, K
100 200 300 400
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
4π
N
χ ac
T, K
а б
Рис. 2. Температурные зависимости абсолютной дифференциальной магнитной
восприимчивости керамики La0.6Sr0.2Mn1.2–xAlxO3±δ, спеченной при tsint = 1350°C
(а) и tsint = 1430°C (б): –△– – x = 0, –■– – 0.05, –◇– – 0.07, –●– – 0.1
ферромагнетик–парамагнетик, т.е. повышением магнитной неоднородности.
Аналогичный характер поведения 4πNχac наблюдается и для образцов, спе-
ченных при других температурах (1200 и 1430°C). Следует лишь отметить,
что с повышением tsint от 1200 до 1430°C уменьшается Tc и повышается доля
FM-фазы, особенно для tsint = 1430°C.
Ширина фазового перехода ферромагнетик–парамагнетик ΔTс, т.е. маг-
нитная неоднородность, с повышением х увеличивается (таблица).
На рис. 3 приведены фазовые диаграммы керамических образцов, спечен-
ных при 1200, 1350 и 1430°C, построенные на основе анализа температурной
зависимости абсолютной дифференциальной магнитной восприимчивости. Пе-
реход от FM-упорядочения (максимум на кривых χ(Т)) к парамагнитному (PM)
0.00 0.05 0.10
250
300
350
400
T,
K
x
FM
SRMO
PM
0.00 0.05 0.10
250
300
350
400
T,
K
x
FM
SRMO
PM
0.00 0.05 0.10
250
300
350
400
T,
K
x
FM
SRMO
PM
а б в
Рис. 3. Фазовые диаграммы La0.6Sr0.2Mn1.2–xAlxO3±δ (SRMO – область установле-
ния ближнего порядка) для различных температур спекания tsint, °C: а – 1200, б –
1350, в – 1430
Физика и техника высоких давлений 2009, том 19, № 3
29
0.8
0.9
0.75
0.80
0.85
0.7
0.8
а
б
4π
N
χ ac
H, kOe
в
–0.3 –0.2 –0.1 0 0.1 0.2 0.3
проходит через переходную область (SRMO, shot-range magnetic order), в ко-
торой происходит установление ближнего магнитного порядка. Максималь-
ную скорость упорядочения магнитного момента (штриховая линия на фазо-
вых диаграммах) характеризует точка перегиба внутри интервала ΔТс, кото-
рый соответствует магнитной неоднородности. Из фазовых диаграмм видно
уменьшение температур фазовых переходов Tc и Tms при замещении маг-
нитных ионов Mn3+ диамагнитными Al3+ и расширение температурного ин-
тервала перехода из FM- в PM-состояние, т.е. повышение магнитной неод-
нородности. Для более высокой температуры синтеза характерна более ши-
рокая переходная область, особенно при х = 0.1.
Представляет интерес аномальный гистерезис χас, наблюдаемый в слабых
(H ~ 70 Ое) магнитных полях (рис. 4), который связан с однонаправленной
обменной анизотропией взаимодействия между магнитными моментами FM-
матрицы и AFM-кластера. Такая аномалия гистерезиса намагниченности ра-
нее наблюдалась на границе ферромагнитного Co и антиферромагнитного
СоО [18], затем – в ферритах [19], позже – нами в манганитах [20], причем
содержащих сверхстехиометрический марганец. Аномальный гистерезис в
нашем случае четко проявляется в образцах, спеченных при более высокой
(1430°C) температуре спекания, когда перовскитовая структура более дефект-
на и содержит повышенную концентрацию анионных вакансий (таблица).
Напрашивается вывод, что для проявления аномального гистерезиса необхо-
димы два условия: 1) сосуществование ферро- и антиферромагнитных фаз,
2) ослабленная дефектами магнитная подрешетка [21].
3.3. Резистивные свойства
Температурная зависимость удельного сопротивления ρ0 образцов
различных составов (рис. 5) свидетельствует о наличии фазового перехода
Рис. 4. Аномальный гис-
терезис магнитной вос-
приимчивости при 77 K в
слабых полях керамики
La0.6Sr0.2Mn1.2–xAlxO3±δ
(tsint = 1430°C): а – x = 0,
б – 0.05, в – 0.1
Физика и техника высоких давлений 2009, том 19, № 3
30
100 200 300 400
0
20
40
60
80
100
120
ρ 0
, m
Ω
⋅c
m
T, K
100 200 300 400
0
10
20
30
40
ρ 0
, m
Ω
⋅c
m
T, K
а б
Рис. 5. Температурная зависимость удельного сопротивления керамики
La0.6Sr0.2Mn1.2–xAlxO3±δ при tsint = 1350°C (а) и tsint = 1430°C (б): –△– – x = 0, –■– –
0.05, –◇– – 0.07, –●– – 0.1
металл–полупроводник при менее выраженной (по сравнению с Tc) тенден-
цией уменьшения Tms. Для х = 0 полупроводниковая область сглажена, и па-
дение ρ0 при росте температуры выше Tms практически отсутствует. Это,
возможно, связано с определенной концентрацией вакансий и соотношени-
ем Mn3+/Mn4+. Независимость ρ0 .от температуры в этом интервале обуслов-
лена, по-видимому, компенсирующим влиянием двух конкурирующих ме-
ханизмов электропроводности – металлического и полупроводникового, что
наблюдается при определенном соотношении Mn3+/Mn4+, т.е. при опреде-
ленном соотношении концентраций электронов и дырок, способных образо-
вывать при взаимодействии экситоны. При замещении ионами Al3+ и соот-
ветствующем понижении содержания Mn3+, т.е. повышении концентрации
Mn4+, это равновесие нарушается в пользу полупроводникового типа прово-
димости, что проявилось в более четком фазовом переходе металл–полупро-
водник, особенно для х = 0.07 и 0.10.
Повышение содержания Al3+, замещающего Mn3+ (таблица) приводит к
росту ρ0 при Тр в 5 раз вследствие как изменения соотношения Mn3+/Mn4+,
так и нарушения высокочастотного электронно-дырочного обмена между
этими ионами. Следует отметить, что понижение температуры спекания до
1200°C при х = 0 слабо влияет на величину ρ0 (~ 20 mΩ·cm) и заметно по-
вышает ее при х = 0.1 от 60 до 100 mΩ·cm. Таким образом, влияние темпера-
туры спекания на удельное сопротивление сильнее для допированных Al3+ об-
разцов.
Важной характеристикой является энергия активации, концентрационные
зависимости которой для трех температур спекания приведены на рис. 6.
Физика и техника высоких давлений 2009, том 19, № 3
31
Энергию активации рассчитыва-
ли из различных уравнений для
двух преобладающих механизмов
электропроводности [22,23]: обыч-
ного активационного процесса
0 exp( / )aE kTρ = ρ (где Еа – энер-
гия активации) и активационного
процесса диффузионного типа
2( ) / exp( / )akT ne D E kTρ = (где D =
= a2ν – коэффициент диффузии, е и
n – заряд и его концентрация соот-
ветственно).
Увеличение энергии активации
при повышении х (рис. 6) связано с
уменьшением соотношения ионов
Mn3+/Mn4+ и ослаблением обмен-
ного взаимодействия между ними.
Увеличение Еа при росте темпера-
туры спекания, особенно для образцов с повышенным содержанием Al3+ (х =
= 0.1), возможно, связано с изменением кристаллитно-пористой мезострук-
туры и дефектности кластеризованной перовскитовой наноструктуры.
3.4. Магниторезистивные свойства
Редкоземельные манганиты вызывают повышенный интерес в связи с CMR-
эффектом. На рис. 7 приведены температурные зависимости MR-эффекта для
100 200 300 400
0
3
6
9
12
M
R
, %
T, K
100 200 300 400
0
3
6
9
12
M
R
, %
T, K
а б
Рис. 7. Температурная зависимость магниторезистивного эффекта (Н = 5 kOе) ке-
рамики La0.6Sr0.2Mn1.2–xAlxO3±δ при tsint = 1350°C (а) и tsint = 1430°C (б): –△– – x = 0,
–■– – 0.05, –◇– – 0.07, –●– – 0.1
0.00 0.05 0.10
0
20
40
60
80
100
E a, m
eV
x
2
1
Рис. 6. Концентрационные зависимости
энергии активации (кривые 1) и актива-
ционного процесса диффузионного типа
(кривые 2) для различных температур
спекания, °C: –▲–, –△– – 1200; –■–, –□–
– 1350; –●–, –○– – 1430
Физика и техника высоких давлений 2009, том 19, № 3
32
керамических манганит-лантановых перовскитов с различной степенью заме-
щения ионами Al3+ сверхстехиометрического марганца La0.6Sr0.2Mn1.2–xAlxO3±δ.
Для образцов, спеченных при 1200, 1350 и 1430°C, вблизи температур фа-
зовых переходов Tc и Tms наблюдается четко выраженный пик MR-эффекта,
температура которого Тр понижается от 353 (х = 0) до 322 K (х = 0.1) для ке-
рамики, спеченной при 1350°C. Значения Тр близки к температуре точки пе-
региба на кривой χ(Т). Относительное концентрационное уменьшение тем-
пературы пика 231 0.1 3.1 10p pK T x= Δ Δ = = ⋅ . Этот коэффициент выше
22.4 10ms msK T x= Δ Δ = ⋅ и ниже 21.6 10c cK T x= Δ Δ = ⋅ (по температуре пе-
рехода в PM-состояние) и равен 23.1 10c cK T x= Δ Δ = ⋅ (по перегибу χ).
Величина MR-эффекта при Тр имеет тенденцию к повышению от 2 (х = 0)
до 5% (х = 0.05) для керамики, спеченной при 1200°C, и к снижению от 7 (х = 0)
до 5.6% (х = 0.05) и 4.8% (х = 0.1) для керамики, спеченной при 1350°C. От-
дельного внимания заслуживает низкотемпературный (при 77 K) MR-эффект,
обусловленный туннелированием на межкристаллитных границах керамиче-
ских образцов. Этот MR-эффект с повышением х уменьшается от 16.3 (х = 0) до
11% (х = 0.1) для образцов, спеченных при 1200°C, от 12.6 (х = 0) до 9.7% (х =
= 0.1) при температуре спекания tsint = 1350°C и остается практически неизмен-
ным (~ 10%) при tsint = 1430°C. Такой характер концентрационных зависимо-
стей MR-эффекта, по-видимому, обусловлен влиянием Al3+. С повышением со-
держания Al средний размер кристаллов увеличивается от 2 (при x = 0) до 8 μm
(x = 0.1), а ширина межкристаллитных зон и их протяженность уменьшаются.
Корреляцию между составом, температурой синтеза и спекания, разме-
ром кристаллитов, структурой, магнитными, резистивными свойствами и
MR-эффектом в керамических редкоземельных манганитоперовскитах на-
блюдали в [24,25].
Если MR-эффект при Тр (вблизи Tms и Tc) связан с рассеянием на нанострук-
турных неоднородностях внутрикристаллитной перовскитовой структуры, то в
низкотемпературной области он обусловлен туннелированием и рассеянием на
мезоструктурных неоднородностях межкристаллитных границ. Поэтому послед-
ний (низкотемпературный) MR-эффект, как правило, наблюдают в поликристал-
лических керамических образцах [26,27], и он отсутствует в монокристалличе-
ских объемных [28,29] и тонкопленочных образцах [30,31]. Изменение низко-
температурного MR-эффекта туннельного типа при изменении температуры
спекания обусловлено увеличением размера кристаллитов и их однородности.
Это подтвердила сканирующая электронная микроскопия, согласно которой по-
вышение температуры спекания приводит к увеличению размеров кристаллитов.
4. Заключение
Рентгеноструктурным, микроскопическим, резистивным и магнитным
методами исследованы нестехиометрические манганитоперовскиты
La0.6Sr0.2Mn1.2–xAlxO3±δ (х = 0–0.1), спеченные при 1200, 1350 и 1430°C.
Физика и техника высоких давлений 2009, том 19, № 3
33
Уменьшение параметра ромбоэдрически ( 3R c ) искаженной перовскито-
вой структуры связано с различием ионных радиусов Mn3+ (r = 0.785 Å) и
Al3+ (0.675 Å). Согласование относительных изменений ∆a/a0 и ∆r/r0 полу-
чено для дефектной перовскитовой структуры, содержащей анионные, кати-
онные вакансии и наноструктурные кластеры. Замещение ионами Al3+ при-
водит к понижению концентрации вакансий, а рост температуры спекания –
к повышению концентрации вакансий и снижению температур фазовых пе-
реходов.
Увеличение удельного сопротивления при росте х объяснено нарушени-
ем ионами Al3+ высокочастотного электронно-дырочного обмена между
Mn3+ ↔ Mn4+ в В-позициях и уменьшением количества проводящей FM-фазы.
Наблюдаемый аномальный гистерезис χ объяснен однонаправленной ани-
зотропией обменного взаимодействия между магнитными моментами ос-
лабленной дефектами FM-матрицы и AFM-кластера.
Изменения MR-эффекта вблизи фазовых переходов обусловлены рассея-
нием на внутрикристаллитных наноструктурных неоднородностях дефект-
ной перовскитовой структуры, а в низкотемпературной области туннельного
типа – рассеянием на мезоструктурных межкристаллитных границах.
1. E. Dagotto, J. Hotta, A. Moreo, Phys. Rep. 344, 1 (2001).
2. М.Ю. Каган, К.И. Кугель, УФН 171, 577 (2001).
3. E.L. Nagaev, Phys. Rep. 346, 387 (2001).
4. D.M. Edwards, Adv. Phys. 51, 1259 (2002).
5. J.C. Loudon, S. Cox, A.J. Willims, J.P. Attfield, P.B. Littlewood, P.A. Midgley,
N.D. Mathur, Phys. Rev. Lett. 94, 097202 (2005).
6. P. Mandal, B. Ghosh, Phys. Rev. B68, 014422 (2003).
7. L.K. Leung, A.H. Morrish, Phys. Rev. B15, 2485 (1977).
8. В.П. Пащенко, С.И. Харцев, О.П. Черенков, А.А. Шемяков, З.А. Самойленко,
А.Д. Лойко, В.И. Каменев, Неорган. материалы 35, 1509 (1999).
9. V. Dyakonov, I. Fita, E. Zubov, V. Pashchenko, V. Mikhaylov, V. Prokopenko,
M. Arciszewska, Yu. Bukhantsev, W. Dobrowolski, A. Nabialek, H. Szymczak,
J. Magn. Magn. Mater. 246, 40 (2002).
10. Zhongain Yang, Ling Ye, Xide Xie, Phys. Status Solidi B220, 885 (2000).
11. Z.H. Wang, J.W. Cai, B.G. Chen, W.S. Zhan, J. Phys.: Condens. Matter 12, 601 (2000).
12. G. De Marzi, Z.V. Popovic, A. Cantarero, Z. Dohcevic-Mitrovic, N. Paunovic, F. Sapina,
Phys. Rev. B68, 064302 (2003).
13. L. Morales, R. Allub, B. Alascio, A. Butera, A. Caneiro, Phys. Rev. B72, 132413 (2005).
14. А.В. Пащенко, В.П. Пащенко, А.А. Шемяков, Н.Г. Кисель, В.К. Прокопенко,
Ю.Ф. Ревенко, А.Г. Сильчева, В.П. Дьяконов, Г. Шимчак, ФТТ 50, 1257 (2008).
15. В.П. Пащенко, А.А. Шемяков, А.В. Пащенко, В.К. Прокопенко, Ю.Ф. Ревенко,
В.А. Турченко, В.Н. Варюхин, В.П. Дьяконов, Г. Шимчак, ФНТ 33, 870 (2007).
16. R.D. Shannon, Acta Cryst. A32, 751 (1976).
17. В.П. Дьяконов, В.П. Пащенко, Э.Е. Зубов, В.И. Михайлов, Ю. Буханцев, И.М. Фита,
В.А. Турченко, Н.А. Дорошенко, А. Шевчик, Р. Жуберек, Г. Шимчак, ФТТ 45, 870
(2003).
Физика и техника высоких давлений 2009, том 19, № 3
34
18. К.Б. Власов, А.И. Мицек, ФММ 14, 498 (1962).
19. К.П. Белов, УФН 169, 797 (1999).
20. V.T. Dovgiy, A.I. Linnik, V.P. Pashchenko, V.N. Derkachenko, V.K. Prokopenko, V.A. Tur-
chenko, N.V. Davydeiko, V.Ya. Sycheva, V.P. Dyakonov, A.V. Klimov, H. Szymczak,
Low Temp. Phys. 29, 285 (2003).
21. К.П. Белов, УФН 166, 669 (1996).
22. N.F. Mott, Adv. Phys. 50, 865 (2001).
23. M. Viret, L. Ranno, J.M.D. Coey, Phys. Rev. B55, 8067 (1997).
24. Anulekha Dutta, N. Gayathri, R. Ranganathan, Phys. Rev. B68, 054432 (2003).
25. P.K. Siwach, U.K. Goutom, P. Srivastava, H.K. Singh, R.S. Tiwari, O.N. Srivastava,
J. Phys. D: Appl. Phys. 39, 14 (2006).
26. V.D. Doroshev, V.A. Borodin, V.I. Kamenev, A.S. Mazur, T.N. Tarasenko, A.I.
Tovstolytkin, S.V. Trukhanov, J. Appl. Phys. 104, 93909 (2008).
27. А.В. Пащенко, А.А. Шемяков, В.П. Пащенко, В.А. Турченко, В.К. Прокопенко,
Ю.Ф. Ревенко, Ю.В. Медведев, Б.М. Эфрос, Г.Г. Левченко, ФТТ 51, 1127 (2009).
28. Manh-Huong Phan, Seong-Cho Yu, Nam Hwi Hur, J. Appl. Phys. 96, 1154 (2004).
29. В.А. Ацаркин, В.В. Демидов, А.М. Балбашов, Письма в ЖЭТФ 80, 693 (2004).
30. V.P. Pashchenko, S.S. Kucherenko, P.I. Polyakov, A.A. Shemyakov, V.P. Dyakonov,
Low Temp. Phys. 27, 1010 (2001).
31. V.P. Pashchenko, A.A. Shemyakov, A.V. Pashchenko, L.T. Symbal, G.K. Kakazei,
V.P. Dyakonov, H. Szymczak, J.A.M. Santos, J.B. Sousa, Low Temp. Phys. 30, 229 (2004).
В.П. Пащенко, О.В. Пащенко, Г.Г. Сільчева, В.К. Прокопенко, Ю.Ф. Ревенко,
В.Я. Сичева, Н.Г. Кисель, В.В. Бурховецький, В.П. Комаров
ДЕФЕКТНІСТЬ КЛАСТЕРІЗОВАНОЇ НАНОСТРУКТУРИ, ФАЗОВІ
ПЕРЕХОДИ ТА МАГНІТОРЕЗИСТИВНІ ВЛАСТИВОСТІ
НЕСТЕХІОМЕТРИЧНИХ МАНГАНІТ-ЛАНТАНОВИХ ПЕРОВСКIТІВ
La0.6Sr0.2Mn1.2–xAlxO3±δ
Досліджено структуру, фазові переходи і магніторезистивні властивості кераміки
La0.6Sr0.2Mn1.2–xAlxO3±δ (x = 0–0.1), спеченої при tsint = 1200, 1350 і 1430°C, рентге-
ноструктурним, мікроскопічним, резистивним, магнітним та магніторезистивним
(MR) методами. Встановлено закономірності впливу х та tsint на параметри дефект-
ної кластерізованої перовскітової структури, температури магнітних Тс і резистив-
них Tms фазових переходів та MR-ефекти поблизу Тс, Tms і в низькотемпературній
області тунельного типу на міжкристалітних границях. Аномальний гістерезис
розтлумачено однонаправленою обмінною анізотропією між магнітними момента-
ми дефектної феромагнітної (FM) перовскітової фази та антиферомагнітного (AFM)
кластера. Зменшення Тс, Tms і зростання енергії активації пов’язано з порушенням
іонами Al3+ високочастотноï обмінної взаємодії між Mn3+ і Mn4+.
Ключові слова: манганіт-лантанові перовскіти, дефектність структури, фазові пе-
реходи, магніторезистивний ефект, аномальний гістерезис
Физика и техника высоких давлений 2009, том 19, № 3
35
V.P. Pashchenko, А.V. Pashchenko, А.G. Silcheva, V.К. Prokopenko, Yu.F. Revenko,
V.Ya. Sichova, N.G. Kisel, V.V. Burkhovetsky, V.P. Komarov
DEFECTIVE CLUSTERIZED NANOSTRUCTURE, PHASE
TRANSITIONS AND MAGNETORESISTIVE PROPERTIES
OF NONSTOICHIOMETRIC MANGANITE-LANTHANUM PEROVSKITES
La0.6Sr0.2Mn1.2–xAlxO3±δ
Structure, phase transitions and magnetoresistive properties of the La0.6Sr0.2Mn1.2–xAlxO3±δ
(x = 0–0.1) ceramics sintered at tsint = 1200, 1350 и 1430°С have been investigated by the
X-ray diffraction, microscopic, resistive, magnetic and magnetoresistive (MR) methods.
Regularities have been revealed for x and tsint effect on parameters of defective perovskite
structure, temperatures of magnetic Tc and resistive Tms phase transitions and MR-effects
near Tc, Tms in low-temperature tunnel-type region at intercrystallite boundaries. The
anomalous hysteresis is explained by unidirectional exchange anisotropy between mag-
netic moments of the defective ferromagnetic (FM) perovskite phase and antiferromag-
netic cluster. Tc and Tms decrease and activation energy increase are explained by the
disturbance of the high-frequency exchange interaction between Mn3+ and Mn4+ by Al3+
ions.
Keywords: manganite-lanthanum perovskites, defective structures, phase transitions,
magnetoresistance, anomalous hysteresis
Fig. 1. Concentration dependences of lattice parameter a and average ionic radius r (а), as
well as their relative change Δa/a0 and Δr/r0 (б) for ceramics La0.6Sr0.2Mn1.2–xAlxO3±δ:
–□–, –■– – tsint = 1350°C; –○–, –●– – 1430°C
Fig. 2. Temperature dependences of absolute differential magnetic susceptibility for ce-
ramics La0.6Sr0.2Mn1.2–xAlxO3±δ sintered at tsint = 1350°C (а) and tsint = 1430°C (б): –
△– – x = 0, –■– – 0.05, –◇– – 0.07, –●– – 0.1
Fig. 3. Phase diagrams of La0.6Sr0.2Mn1.2–xAlxO3±δ (SRMO – short-range magnetic or-
der) for various temperatures of sintering tsint, °C: а – 1200, б – 1350, в – 1430
Fig. 4. Anomalous hysteresis of magnetic susceptibility at 77 K in weak fields for ce-
ramics La0.6Sr0.2Mn1.2–xAlxO3±δ (tsint = 1430°C): а – x = 0, б – 0.05, в – 0.1
Fig. 5. Temperature dependence of resistivity for ceramics La0.6Sr0.2Mn1.2–xAlxO3±δ for
tsint = 1350°C (а) and tsint = 1430°C (б): –△– – x = 0, –■– – 0.05, –◇– – 0.07, –●– – 0.1
Fig. 6. Concentration dependences of activation energy (curves 1) and diffusion-type ac-
tivation process (curves 2) for various temperatures of sintering, °C: –▲–, –△– – 1200;
–■–, –□– – 1350; –●–, –○– – 1430
Fig. 7. Temperature dependence of magnetoresistance (Н = 5 kOе) for ceramics
La0.6Sr0.2Mn1.2–xAlxO3±δ, tsint = 1350°C (а) and tsint = 1430°C (б): –△– – x = 0, –■– –
0.05, –◇– – 0.07, –●– – 0.1
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-69211 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0868-5924 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:43:41Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Пащенко, В.П. Пащенко, А.В. Сильчева, А.Г. Прокопенко, В.К. Ревенко, Ю.Ф. Сычева, В.Я. Кисель, Н.Г. Бурховецкий, В.В. Комаров, В.П. 2014-10-07T19:55:02Z 2014-10-07T19:55:02Z 2009 Дефектность кластеризованной наноструктуры, фазовые переходы и магниторезистивные свойства нестехиометрических манганит-лантановых перовскитов La0.6Sr0.2Mn1.2-xAlxO3±δ / В.П. Пащенко, А.В. Пащенко, А.Г. Сильчева, В.К. Прокопенко, Ю.Ф. Ревенко, В.Я. Сычева, Н.Г. Кисель, В.В. Бурховецкий, В.П. Комаров // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 3. — С. 24-35. — Бібліогр.: 31 назв. — рос. 0868-5924 PACS: 75.47.Gk, 75.47.Lx, 75.75.+а https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69211 Исследованы структура, фазовые переходы и магниторезистивные свойства керамики La0.6Sr0.2Mn1.2–xAlxO3±δ (x = 0–0.1), спеченной при tsint = 1200, 1350 и 1430°C, рентгеноструктурным, микроскопическим, резистивным, магнитным и магниторезистивным (MR) методами. Досліджено структуру, фазові переходи і магніторезистивні властивості кераміки La0.6Sr0.2Mn1.2–xAlxO3±δ (x = 0–0.1), спеченої при tsint = 1200, 1350 і 1430°C, рентгеноструктурним, мікроскопічним, резистивним, магнітним та магніторезистивним (MR) методами. Structure, phase transitions and magnetoresistive properties of the La0.6Sr0.2Mn1.2–xAlxO3±δ (x = 0–0.1) ceramics sintered at tsint = 1200, 1350 и 1430°С have been investigated by the X-ray diffraction, microscopic, resistive, magnetic and magnetoresistive (MR) methods. ru Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України Физика и техника высоких давлений Дефектность кластеризованной наноструктуры, фазовые переходы и магниторезистивные свойства нестехиометрических манганит-лантановых перовскитов La0.6Sr0.2Mn1.2-xAlxO3±δ Дефектність кластерізованої наноструктури, фазові переходи та магніторезистивні властивості нестехіометричних манганіт-лантанових перовскiтів La0.6Sr0.2Mn1.2–xAlxO3±δ Defective clusterized nanostructure, phase transitions and magnetoresistive properties of nonstoichiometric manganite-lanthanum perovskites La0.6Sr0.2Mn1.2–xAlxO3±δ Article published earlier |
| spellingShingle | Дефектность кластеризованной наноструктуры, фазовые переходы и магниторезистивные свойства нестехиометрических манганит-лантановых перовскитов La0.6Sr0.2Mn1.2-xAlxO3±δ Пащенко, В.П. Пащенко, А.В. Сильчева, А.Г. Прокопенко, В.К. Ревенко, Ю.Ф. Сычева, В.Я. Кисель, Н.Г. Бурховецкий, В.В. Комаров, В.П. |
| title | Дефектность кластеризованной наноструктуры, фазовые переходы и магниторезистивные свойства нестехиометрических манганит-лантановых перовскитов La0.6Sr0.2Mn1.2-xAlxO3±δ |
| title_alt | Дефектність кластерізованої наноструктури, фазові переходи та магніторезистивні властивості нестехіометричних манганіт-лантанових перовскiтів La0.6Sr0.2Mn1.2–xAlxO3±δ Defective clusterized nanostructure, phase transitions and magnetoresistive properties of nonstoichiometric manganite-lanthanum perovskites La0.6Sr0.2Mn1.2–xAlxO3±δ |
| title_full | Дефектность кластеризованной наноструктуры, фазовые переходы и магниторезистивные свойства нестехиометрических манганит-лантановых перовскитов La0.6Sr0.2Mn1.2-xAlxO3±δ |
| title_fullStr | Дефектность кластеризованной наноструктуры, фазовые переходы и магниторезистивные свойства нестехиометрических манганит-лантановых перовскитов La0.6Sr0.2Mn1.2-xAlxO3±δ |
| title_full_unstemmed | Дефектность кластеризованной наноструктуры, фазовые переходы и магниторезистивные свойства нестехиометрических манганит-лантановых перовскитов La0.6Sr0.2Mn1.2-xAlxO3±δ |
| title_short | Дефектность кластеризованной наноструктуры, фазовые переходы и магниторезистивные свойства нестехиометрических манганит-лантановых перовскитов La0.6Sr0.2Mn1.2-xAlxO3±δ |
| title_sort | дефектность кластеризованной наноструктуры, фазовые переходы и магниторезистивные свойства нестехиометрических манганит-лантановых перовскитов la0.6sr0.2mn1.2-xalxo3±δ |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69211 |
| work_keys_str_mv | AT paŝenkovp defektnostʹklasterizovannoinanostrukturyfazovyeperehodyimagnitorezistivnyesvoistvanestehiometričeskihmanganitlantanovyhperovskitovla06sr02mn12xalxo3δ AT paŝenkoav defektnostʹklasterizovannoinanostrukturyfazovyeperehodyimagnitorezistivnyesvoistvanestehiometričeskihmanganitlantanovyhperovskitovla06sr02mn12xalxo3δ AT silʹčevaag defektnostʹklasterizovannoinanostrukturyfazovyeperehodyimagnitorezistivnyesvoistvanestehiometričeskihmanganitlantanovyhperovskitovla06sr02mn12xalxo3δ AT prokopenkovk defektnostʹklasterizovannoinanostrukturyfazovyeperehodyimagnitorezistivnyesvoistvanestehiometričeskihmanganitlantanovyhperovskitovla06sr02mn12xalxo3δ AT revenkoûf defektnostʹklasterizovannoinanostrukturyfazovyeperehodyimagnitorezistivnyesvoistvanestehiometričeskihmanganitlantanovyhperovskitovla06sr02mn12xalxo3δ AT syčevavâ defektnostʹklasterizovannoinanostrukturyfazovyeperehodyimagnitorezistivnyesvoistvanestehiometričeskihmanganitlantanovyhperovskitovla06sr02mn12xalxo3δ AT kiselʹng defektnostʹklasterizovannoinanostrukturyfazovyeperehodyimagnitorezistivnyesvoistvanestehiometričeskihmanganitlantanovyhperovskitovla06sr02mn12xalxo3δ AT burhoveckiivv defektnostʹklasterizovannoinanostrukturyfazovyeperehodyimagnitorezistivnyesvoistvanestehiometričeskihmanganitlantanovyhperovskitovla06sr02mn12xalxo3δ AT komarovvp defektnostʹklasterizovannoinanostrukturyfazovyeperehodyimagnitorezistivnyesvoistvanestehiometričeskihmanganitlantanovyhperovskitovla06sr02mn12xalxo3δ AT paŝenkovp defektnístʹklasterízovanoínanostrukturifazovíperehoditamagnítorezistivnívlastivostínestehíometričnihmanganítlantanovihperovskitívla06sr02mn12xalxo3δ AT paŝenkoav defektnístʹklasterízovanoínanostrukturifazovíperehoditamagnítorezistivnívlastivostínestehíometričnihmanganítlantanovihperovskitívla06sr02mn12xalxo3δ AT silʹčevaag defektnístʹklasterízovanoínanostrukturifazovíperehoditamagnítorezistivnívlastivostínestehíometričnihmanganítlantanovihperovskitívla06sr02mn12xalxo3δ AT prokopenkovk defektnístʹklasterízovanoínanostrukturifazovíperehoditamagnítorezistivnívlastivostínestehíometričnihmanganítlantanovihperovskitívla06sr02mn12xalxo3δ AT revenkoûf defektnístʹklasterízovanoínanostrukturifazovíperehoditamagnítorezistivnívlastivostínestehíometričnihmanganítlantanovihperovskitívla06sr02mn12xalxo3δ AT syčevavâ defektnístʹklasterízovanoínanostrukturifazovíperehoditamagnítorezistivnívlastivostínestehíometričnihmanganítlantanovihperovskitívla06sr02mn12xalxo3δ AT kiselʹng defektnístʹklasterízovanoínanostrukturifazovíperehoditamagnítorezistivnívlastivostínestehíometričnihmanganítlantanovihperovskitívla06sr02mn12xalxo3δ AT burhoveckiivv defektnístʹklasterízovanoínanostrukturifazovíperehoditamagnítorezistivnívlastivostínestehíometričnihmanganítlantanovihperovskitívla06sr02mn12xalxo3δ AT komarovvp defektnístʹklasterízovanoínanostrukturifazovíperehoditamagnítorezistivnívlastivostínestehíometričnihmanganítlantanovihperovskitívla06sr02mn12xalxo3δ AT paŝenkovp defectiveclusterizednanostructurephasetransitionsandmagnetoresistivepropertiesofnonstoichiometricmanganitelanthanumperovskitesla06sr02mn12xalxo3δ AT paŝenkoav defectiveclusterizednanostructurephasetransitionsandmagnetoresistivepropertiesofnonstoichiometricmanganitelanthanumperovskitesla06sr02mn12xalxo3δ AT silʹčevaag defectiveclusterizednanostructurephasetransitionsandmagnetoresistivepropertiesofnonstoichiometricmanganitelanthanumperovskitesla06sr02mn12xalxo3δ AT prokopenkovk defectiveclusterizednanostructurephasetransitionsandmagnetoresistivepropertiesofnonstoichiometricmanganitelanthanumperovskitesla06sr02mn12xalxo3δ AT revenkoûf defectiveclusterizednanostructurephasetransitionsandmagnetoresistivepropertiesofnonstoichiometricmanganitelanthanumperovskitesla06sr02mn12xalxo3δ AT syčevavâ defectiveclusterizednanostructurephasetransitionsandmagnetoresistivepropertiesofnonstoichiometricmanganitelanthanumperovskitesla06sr02mn12xalxo3δ AT kiselʹng defectiveclusterizednanostructurephasetransitionsandmagnetoresistivepropertiesofnonstoichiometricmanganitelanthanumperovskitesla06sr02mn12xalxo3δ AT burhoveckiivv defectiveclusterizednanostructurephasetransitionsandmagnetoresistivepropertiesofnonstoichiometricmanganitelanthanumperovskitesla06sr02mn12xalxo3δ AT komarovvp defectiveclusterizednanostructurephasetransitionsandmagnetoresistivepropertiesofnonstoichiometricmanganitelanthanumperovskitesla06sr02mn12xalxo3δ |