Барические, температурные и магнитополевые зависимости кинетических коэффициентов в ферромагнитном полупроводнике Cd₀.₇Mn₀.₃GeAs₂
Исследованы барические зависимости удельного электросопротивления ρ, коэффициента Холла RH и поперечного магнитосопротивления Δρxx/ρ0 в магнитных полях H ≤ 5 kOe при подъеме и сбросе давления в области комнатных температур. Получены температурные зависимости ρ и RH при атмосферном давлении в диапазо...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика и техника высоких давлений |
|---|---|
| Дата: | 2009 |
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2009
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69219 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Барические, температурные и магнитополевые зависимости кинетических коэффициентов в ферромагнитном полупроводнике Cd₀.₇Mn₀.₃GeAs₂ / А.Ю. Моллаев, И.К. Камилов, Р.К. Арсланов, У.З. Залибеков, Т.Р. Арсланов, В.М. Новоторцев, С.Ф. Маренкин // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 3. — С. 111-115. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Исследованы барические зависимости удельного электросопротивления ρ, коэффициента Холла RH и поперечного магнитосопротивления Δρxx/ρ0 в магнитных полях H ≤ 5 kOe при подъеме и сбросе давления в области комнатных температур. Получены температурные зависимости ρ и RH при атмосферном давлении в диапазоне температур 77–450 K в ферромагнитном (ФМ) полупроводнике Cd₀.₇Mn₀.₃GeAs₂.
Досліджено баричні залежності питомого електроопору ρ, коефіцієнта Холла RH і поперечного магнітоопору Δρxx/ρ0 в магнітних полях H ≤ 5 kOe при підйомі і скиданні тиску в області кімнатних температур. Отримано температурні залежності ρ і RH при атмосферному тиску в діапазоні температур 77–450 K у феромагнітному (ФМ) напівпровіднику Cd₀.₇Mn₀.₃GeAs₂.
The pressure dependences of resistivity ρ, Hall coefficient RH and transverse magnetoresistance Δρxx/ρ0 have been investigated for H ≤ 5 kOe at increasing and decreasing pressure at room temperature. In Cd₀.₇Mn₀.₃GeAs₂ the temperature dependences of ρ and RH have been defined in the temperature range 77–450 K at atmospheric pressure.
|
|---|---|
| ISSN: | 0868-5924 |