Барические, температурные и магнитополевые зависимости кинетических коэффициентов в ферромагнитном полупроводнике Cd₀.₇Mn₀.₃GeAs₂

Исследованы барические зависимости удельного электросопротивления ρ, коэффициента Холла RH и поперечного магнитосопротивления Δρxx/ρ0 в магнитных полях H ≤ 5 kOe при подъеме и сбросе давления в области комнатных температур. Получены температурные зависимости ρ и RH при атмосферном давлении в диапазо...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика и техника высоких давлений
Datum:2009
Hauptverfasser: Моллаев, А.Ю., Камилов, И.К., Арсланов, Р.К., Залибеков, У.З., Арсланов, Т.Р., Новоторцев, В.М., Маренкин, С.Ф.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2009
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69219
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Барические, температурные и магнитополевые зависимости кинетических коэффициентов в ферромагнитном полупроводнике Cd₀.₇Mn₀.₃GeAs₂ / А.Ю. Моллаев, И.К. Камилов, Р.К. Арсланов, У.З. Залибеков, Т.Р. Арсланов, В.М. Новоторцев, С.Ф. Маренкин // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 3. — С. 111-115. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-69219
record_format dspace
spelling Моллаев, А.Ю.
Камилов, И.К.
Арсланов, Р.К.
Залибеков, У.З.
Арсланов, Т.Р.
Новоторцев, В.М.
Маренкин, С.Ф.
2014-10-07T20:19:29Z
2014-10-07T20:19:29Z
2009
Барические, температурные и магнитополевые зависимости кинетических коэффициентов в ферромагнитном полупроводнике Cd₀.₇Mn₀.₃GeAs₂ / А.Ю. Моллаев, И.К. Камилов, Р.К. Арсланов, У.З. Залибеков, Т.Р. Арсланов, В.М. Новоторцев, С.Ф. Маренкин // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 3. — С. 111-115. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.
0868-5924
PACS: 62.50.–p, 71.18.+y, 71.20.Nr, 72.80.Ey
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69219
Исследованы барические зависимости удельного электросопротивления ρ, коэффициента Холла RH и поперечного магнитосопротивления Δρxx/ρ0 в магнитных полях H ≤ 5 kOe при подъеме и сбросе давления в области комнатных температур. Получены температурные зависимости ρ и RH при атмосферном давлении в диапазоне температур 77–450 K в ферромагнитном (ФМ) полупроводнике Cd₀.₇Mn₀.₃GeAs₂.
Досліджено баричні залежності питомого електроопору ρ, коефіцієнта Холла RH і поперечного магнітоопору Δρxx/ρ0 в магнітних полях H ≤ 5 kOe при підйомі і скиданні тиску в області кімнатних температур. Отримано температурні залежності ρ і RH при атмосферному тиску в діапазоні температур 77–450 K у феромагнітному (ФМ) напівпровіднику Cd₀.₇Mn₀.₃GeAs₂.
The pressure dependences of resistivity ρ, Hall coefficient RH and transverse magnetoresistance Δρxx/ρ0 have been investigated for H ≤ 5 kOe at increasing and decreasing pressure at room temperature. In Cd₀.₇Mn₀.₃GeAs₂ the temperature dependences of ρ and RH have been defined in the temperature range 77–450 K at atmospheric pressure.
Работа выполнена при финансовой поддержке программы Президиума РАН «Теплофизика и механика экстремальных энергетических воздействий и физика сильно сжатого вещества», секция «Физика сильно сжатого вещества».
ru
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
Физика и техника высоких давлений
Барические, температурные и магнитополевые зависимости кинетических коэффициентов в ферромагнитном полупроводнике Cd₀.₇Mn₀.₃GeAs₂
Баричні, температурні і магнітопольові залежності кінетичних коефіцієнтів у феромагнітному напівпровіднику Cd₀.₇Mn₀.₃GeAs₂
Baric, temperature and magnetic-field dependences of kinetic coefficients in ferromagnetic semiconductor Cd₀.₇Mn₀.₃GeAs₂
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Барические, температурные и магнитополевые зависимости кинетических коэффициентов в ферромагнитном полупроводнике Cd₀.₇Mn₀.₃GeAs₂
spellingShingle Барические, температурные и магнитополевые зависимости кинетических коэффициентов в ферромагнитном полупроводнике Cd₀.₇Mn₀.₃GeAs₂
Моллаев, А.Ю.
Камилов, И.К.
Арсланов, Р.К.
Залибеков, У.З.
Арсланов, Т.Р.
Новоторцев, В.М.
Маренкин, С.Ф.
title_short Барические, температурные и магнитополевые зависимости кинетических коэффициентов в ферромагнитном полупроводнике Cd₀.₇Mn₀.₃GeAs₂
title_full Барические, температурные и магнитополевые зависимости кинетических коэффициентов в ферромагнитном полупроводнике Cd₀.₇Mn₀.₃GeAs₂
title_fullStr Барические, температурные и магнитополевые зависимости кинетических коэффициентов в ферромагнитном полупроводнике Cd₀.₇Mn₀.₃GeAs₂
title_full_unstemmed Барические, температурные и магнитополевые зависимости кинетических коэффициентов в ферромагнитном полупроводнике Cd₀.₇Mn₀.₃GeAs₂
title_sort барические, температурные и магнитополевые зависимости кинетических коэффициентов в ферромагнитном полупроводнике cd₀.₇mn₀.₃geas₂
author Моллаев, А.Ю.
Камилов, И.К.
Арсланов, Р.К.
Залибеков, У.З.
Арсланов, Т.Р.
Новоторцев, В.М.
Маренкин, С.Ф.
author_facet Моллаев, А.Ю.
Камилов, И.К.
Арсланов, Р.К.
Залибеков, У.З.
Арсланов, Т.Р.
Новоторцев, В.М.
Маренкин, С.Ф.
publishDate 2009
language Russian
container_title Физика и техника высоких давлений
publisher Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
format Article
title_alt Баричні, температурні і магнітопольові залежності кінетичних коефіцієнтів у феромагнітному напівпровіднику Cd₀.₇Mn₀.₃GeAs₂
Baric, temperature and magnetic-field dependences of kinetic coefficients in ferromagnetic semiconductor Cd₀.₇Mn₀.₃GeAs₂
description Исследованы барические зависимости удельного электросопротивления ρ, коэффициента Холла RH и поперечного магнитосопротивления Δρxx/ρ0 в магнитных полях H ≤ 5 kOe при подъеме и сбросе давления в области комнатных температур. Получены температурные зависимости ρ и RH при атмосферном давлении в диапазоне температур 77–450 K в ферромагнитном (ФМ) полупроводнике Cd₀.₇Mn₀.₃GeAs₂. Досліджено баричні залежності питомого електроопору ρ, коефіцієнта Холла RH і поперечного магнітоопору Δρxx/ρ0 в магнітних полях H ≤ 5 kOe при підйомі і скиданні тиску в області кімнатних температур. Отримано температурні залежності ρ і RH при атмосферному тиску в діапазоні температур 77–450 K у феромагнітному (ФМ) напівпровіднику Cd₀.₇Mn₀.₃GeAs₂. The pressure dependences of resistivity ρ, Hall coefficient RH and transverse magnetoresistance Δρxx/ρ0 have been investigated for H ≤ 5 kOe at increasing and decreasing pressure at room temperature. In Cd₀.₇Mn₀.₃GeAs₂ the temperature dependences of ρ and RH have been defined in the temperature range 77–450 K at atmospheric pressure.
issn 0868-5924
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69219
citation_txt Барические, температурные и магнитополевые зависимости кинетических коэффициентов в ферромагнитном полупроводнике Cd₀.₇Mn₀.₃GeAs₂ / А.Ю. Моллаев, И.К. Камилов, Р.К. Арсланов, У.З. Залибеков, Т.Р. Арсланов, В.М. Новоторцев, С.Ф. Маренкин // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 3. — С. 111-115. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT mollaevaû baričeskietemperaturnyeimagnitopolevyezavisimostikinetičeskihkoéfficientovvferromagnitnompoluprovodnikecd07mn03geas2
AT kamilovik baričeskietemperaturnyeimagnitopolevyezavisimostikinetičeskihkoéfficientovvferromagnitnompoluprovodnikecd07mn03geas2
AT arslanovrk baričeskietemperaturnyeimagnitopolevyezavisimostikinetičeskihkoéfficientovvferromagnitnompoluprovodnikecd07mn03geas2
AT zalibekovuz baričeskietemperaturnyeimagnitopolevyezavisimostikinetičeskihkoéfficientovvferromagnitnompoluprovodnikecd07mn03geas2
AT arslanovtr baričeskietemperaturnyeimagnitopolevyezavisimostikinetičeskihkoéfficientovvferromagnitnompoluprovodnikecd07mn03geas2
AT novotorcevvm baričeskietemperaturnyeimagnitopolevyezavisimostikinetičeskihkoéfficientovvferromagnitnompoluprovodnikecd07mn03geas2
AT marenkinsf baričeskietemperaturnyeimagnitopolevyezavisimostikinetičeskihkoéfficientovvferromagnitnompoluprovodnikecd07mn03geas2
AT mollaevaû baričnítemperaturníímagnítopolʹovízaležnostíkínetičnihkoefícíêntívuferomagnítnomunapívprovídnikucd07mn03geas2
AT kamilovik baričnítemperaturníímagnítopolʹovízaležnostíkínetičnihkoefícíêntívuferomagnítnomunapívprovídnikucd07mn03geas2
AT arslanovrk baričnítemperaturníímagnítopolʹovízaležnostíkínetičnihkoefícíêntívuferomagnítnomunapívprovídnikucd07mn03geas2
AT zalibekovuz baričnítemperaturníímagnítopolʹovízaležnostíkínetičnihkoefícíêntívuferomagnítnomunapívprovídnikucd07mn03geas2
AT arslanovtr baričnítemperaturníímagnítopolʹovízaležnostíkínetičnihkoefícíêntívuferomagnítnomunapívprovídnikucd07mn03geas2
AT novotorcevvm baričnítemperaturníímagnítopolʹovízaležnostíkínetičnihkoefícíêntívuferomagnítnomunapívprovídnikucd07mn03geas2
AT marenkinsf baričnítemperaturníímagnítopolʹovízaležnostíkínetičnihkoefícíêntívuferomagnítnomunapívprovídnikucd07mn03geas2
AT mollaevaû barictemperatureandmagneticfielddependencesofkineticcoefficientsinferromagneticsemiconductorcd07mn03geas2
AT kamilovik barictemperatureandmagneticfielddependencesofkineticcoefficientsinferromagneticsemiconductorcd07mn03geas2
AT arslanovrk barictemperatureandmagneticfielddependencesofkineticcoefficientsinferromagneticsemiconductorcd07mn03geas2
AT zalibekovuz barictemperatureandmagneticfielddependencesofkineticcoefficientsinferromagneticsemiconductorcd07mn03geas2
AT arslanovtr barictemperatureandmagneticfielddependencesofkineticcoefficientsinferromagneticsemiconductorcd07mn03geas2
AT novotorcevvm barictemperatureandmagneticfielddependencesofkineticcoefficientsinferromagneticsemiconductorcd07mn03geas2
AT marenkinsf barictemperatureandmagneticfielddependencesofkineticcoefficientsinferromagneticsemiconductorcd07mn03geas2
first_indexed 2025-12-01T03:56:24Z
last_indexed 2025-12-01T03:56:24Z
_version_ 1850859158881959936