Кинетические эффекты в ориентированных монокристаллах p-Cd₉₄.₇Mn₅.₅GeAs₂ при высоких давлениях

Исследованы монокристаллические образцы p-Cd₉₄.₇Mn₅.₅GeAs₂, ориентированные по двум кристаллографическим направлениям: [001] и [100]. Получены зависимости удельного электросопротивления ρ и коэффициента Холла RH от гидростатического давления P ≤ 7 GPa при комнатной температуре. Экспериментально уста...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физика и техника высоких давлений
Date:2009
Main Authors: Моллаев, А.Ю., Камилов, И.К., Арсланов, Р.К., Залибеков, У.З., Арсланов, Т.Р., Новоторцев, В.М., Маренкин, С.Ф.
Format: Article
Language:Russian
Published: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2009
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69220
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Кинетические эффекты в ориентированных монокристаллах p-Cd₉₄.₇Mn₅.₅GeAs₂ при высоких давлениях / А.Ю. Моллаев, И.К. Камилов, Р.К. Арсланов, У.З. Залибеков, Т.Р. Арсланов, В.М. Новоторцев, С.Ф. Маренкин // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 3. — С. 116-119. — Бібліогр.: 2 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1859748160180584448
author Моллаев, А.Ю.
Камилов, И.К.
Арсланов, Р.К.
Залибеков, У.З.
Арсланов, Т.Р.
Новоторцев, В.М.
Маренкин, С.Ф.
author_facet Моллаев, А.Ю.
Камилов, И.К.
Арсланов, Р.К.
Залибеков, У.З.
Арсланов, Т.Р.
Новоторцев, В.М.
Маренкин, С.Ф.
citation_txt Кинетические эффекты в ориентированных монокристаллах p-Cd₉₄.₇Mn₅.₅GeAs₂ при высоких давлениях / А.Ю. Моллаев, И.К. Камилов, Р.К. Арсланов, У.З. Залибеков, Т.Р. Арсланов, В.М. Новоторцев, С.Ф. Маренкин // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 3. — С. 116-119. — Бібліогр.: 2 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Физика и техника высоких давлений
description Исследованы монокристаллические образцы p-Cd₉₄.₇Mn₅.₅GeAs₂, ориентированные по двум кристаллографическим направлениям: [001] и [100]. Получены зависимости удельного электросопротивления ρ и коэффициента Холла RH от гидростатического давления P ≤ 7 GPa при комнатной температуре. Экспериментально установлено, что точка фазового превращения не зависит от кристаллографического направления монокристаллов. Досліджено монокристалічні зразки p-Cd₉₄.₇Mn₅.₅GeAs₂, орієнтовані по двох кристалографічних напрямах: [001] і [100]. Отримано залежності питомого електроопору ρ і коефіцієнта Холла RH від гідростатичного тиску P ≤ 7 GPa при кімнатній температурі. Експериментально встановлено, що точка фазового перетворення не залежить від кристалографічного напрямку монокристалів. Single-crystalline samples of p-Cd₉₄.₇Mn₅.₅GeAs₂ oriented in two crystallographic directions [001] and [100] have been investigated. Dependences of resistivity ρ and Hall coefficient RH on hydrostatic pressure P ≤ 7 GPa have been obtained at room temperature. It has been found experimentally that the point of phase transformation does not depend on crystallographic orientation of single crystals.
first_indexed 2025-12-01T22:44:45Z
format Article
fulltext Физика и техника высоких давлений 2009, том 19, № 3 © А.Ю. Моллаев, И.К. Камилов, Р.К. Арсланов, У.З. Залибеков, Т.Р. Арсланов, В.М. Новоторцев, С.Ф. Маренкин, 2009 PACS: 62.50.i–p, 72.20.–i А.Ю. Моллаев1, И.К. Камилов1, Р.К. Арсланов1, У.З. Залибеков1, Т.Р. Арсланов1, В.М. Новоторцев2, С.Ф. Маренкин2 КИНЕТИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В ОРИЕНТИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛАХ p-Cd94.7Mn5.3GeAs2 ПРИ ВЫСОКИХ ДАВЛЕНИЯХ 1Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН ул. М. Ярагского, 94, г. Махачкала, 367003, Россия E-mail: a.mollaev@mail.ru 2Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН Ленинский пр-т, 31, г. Москва, 119991, Россия Статья поступила в редакцию 16 сентября 2008 года Исследованы монокристаллические образцы p-Cd94.7Mn5.3GeAs2, ориентированные по двум кристаллографическим направлениям: [001] и [100]. Получены зависимо- сти удельного электросопротивления ρ и коэффициента Холла RH от гидроста- тического давления P ≤ 7 GPa при комнатной температуре. Экспериментально установлено, что точка фазового превращения не зависит от кристаллографиче- ского направления монокристаллов. Ключевые слова: ориентированные монокристаллы, удельное электросопротивле- ние, давление, фазовый переход 1. Введение В работе [1] были исследованы удельное электросопротивление ρ и ко- эффициент Холла RH на образцах n-CdAs2, ориентированных по кристалло- графическим направлениям [001] и [100]. Заметного влияния ориентации об- разцов на положение точки фазового перехода и характеристических точек, а также параметров фазового превращения обнаружено не было. В настоящей работе были одновременно измерены величины ρ и RH в монокристаллах магнитных полупроводников p-Cd94.7Mn5.3GeAs2, ориентированных по кри- сталлографическим направлениям [001] и [100], аналогично измерениям, вы- полненным в работе [1] для CdAs2. Цель работы – исследование зависимо- стей точки фазового превращения и характеристических точек, а также па- раметров фазового перехода от кристаллографической ориентации образцов. 2. Методика и техника эксперимента Измерения проводили в аппаратах высокого давления типа «тороид» при подъеме (до P ≤ 7 GPa) и сбросе давления в области комнатных температур. Физика и техника высоких давлений 2009, том 19, № 3 117 Для измерений коэффициента Холла аппарат помещали в соленоид напря- женностью магнитного поля H ≤ 5 kOe. Более подробно методика подготов- ки и измерения образцов изложена в работах [1,2]. Основные параметры ис- следованных образцов приведены в таблице. Таблица Основные параметры исследованных образцов p-Cd94.7Mn5.3GeAs2 Кристаллографическая ориентация ρ, Ω·cm RH, cm3/C [100] 1.68 142 [001] 1.1 174 3. Результаты и обсуждение Во всех исследованных образцах при подъеме и сбросе давления наблю- дались структурные фазовые превращения. На рис. 1,а представлены приве- денные к атмосферному давлению зависимости удельного электросопротив- ления ρ/ρ0 и коэффициента Холла RH /RH0 при подъеме и сбросе давления для образца № 1, вырезанного по кристаллографическому направлению [100]. Из рис. 1,а видно, что при подъеме давления удельное электросопротивление уменьшается, а затем резко падает больше чем на 2 порядка (ρ0/ρsat ≈ 550). При сбросе давления в области 3 < P < 7 GPa удельное электросопротивление выходит на насыщение (σ ≈ 230 Ω–1·cm–1). Поведение коэффициента Холла аналогично, его величина снижается больше чем на 3 порядка, а затем выхо- дит на насыщение, так как при Р = 5.5 GPa происходит структурный фазовый переход. В области насыщения концентрация носителей заряда ≈ 1.6·1020 cm–3, а б Рис. 1. Зависимости удельного электросопротивления ρ (–□–, –■–) и коэффициента Холла RH /RH0 (–○–, –●–) для образца Cd94.7Mn5.3GeAs2, вырезанного по кристалло- графическим направлениям [100] (а) и [001] (б). Темные символы – подъем давле- ния, светлые – сброс Физика и техника высоких давлений 2009, том 19, № 3 118 т.е. имеет место металлическая проводимость. Фазовый переход наблюдает- ся также и при сбросе давления. По значениям удельной электропроводно- сти и концентрации носителей можно сделать вывод, что в области насыще- ния имеет место металлическая проводимость. На рис. 1,б представлены зависимости удельного электросопротивления и коэффициента Холла для образца № 2 Cd94.7Mn5.3GeAs2, вырезанного по кри- сталлографическому направлению [001]. Из рисунка видно, что удельное электросопротивление при подъеме давления сначала уменьшается до P = = 5.5 GPa, а затем резко падает больше чем на 3 порядка (ρ0/ρsat ≈ 5500). При сбросе давления кривая выходит на насыщение при 2.3 < P < 7 GPa. При P = = 5.5 GPa происходит структурный обратимый фазовый переход. В области насыщения удельная электропроводность σ = 5000 Ω–1·cm–1. Поведение коэффициента Холла аналогично. При P = 5.5 GPa его значе- ние падает почти на 5 порядков, а затем выходит на насыщение. В области насыщения концентрация носителей ≈ 3.3·1021 cm–3, что позволяет сделать вывод о наличии металлической проводимости. Можно утверждать, что в образце Cd94.7Mn5.3GeAs2, вырезанном по направлению [001], имеет место структурный обратимый фазовый переход при P = 5.5 GPa. Этот переход наблюдается и при сбросе давления при P = 2.7 GPa. Сравнительный анализ для двух образцов, вырезанных по кристаллографическим направлениям [100] и [001], позволяет сделать вывод, что положение фазовых переходов при подъеме и сбросе давления в образцах Cd94.7Mn5.3GeAs2 не зависит от кри- сталлографической ориентации образцов. 4. Заключение Полученные результаты показывают, что величины характеристических параметров и точки фазового перехода не зависят от ориентации образцов. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фунда- ментальных исследований (Проект №05-02-16608) и подпрограммы № 3 Программы Президиума РАН П-09 «Исследование вещества в экстремаль- ных условиях». 1. А.Ю. Моллаев, Р.К. Арсланов, Л.А. Сайпулаева, С.Ф. Габибов, С.Ф. Маренкин, ФТВД 11, № 4, 61 (2001). 2. L.G. Khvostantsev, V.A. Sidorov, Phys. Status Solidi A64, 379 (1981). Физика и техника высоких давлений 2009, том 19, № 3 119 А.Ю. Моллаєв, І.К. Камілов, Р.К. Арсланов, У.З. Залібєков, Т.Р. Арсланов, В.М. Новоторцев, С.Ф. Маренкін КІНЕТИЧНІ ЕФЕКТИ В ОРІЄНТОВАНИХ МОНОКРИСТАЛАХ p-Cd94.7Mn5.3GeAs2 ПРИ ВИСОКОМУ ТИСКУ Досліджено монокристалічні зразки p-Cd94.7Mn5.3GeAs2, орієнтовані по двох кристалографічних напрямах: [001] і [100]. Отримано залежності питомого електроопору ρ і коефіцієнта Холла RH від гідростатичного тиску P ≤ 7 GPa при кімнатній температурі. Експериментально встановлено, що точка фазового перетворення не залежить від кристалографічного напрямку монокристалів. Ключові слова: орієнтовані монокристали, тиск, питомий електроопір, фазовий перехід A.Yu. Mollaev, I.K. Kamilov, R.K. Arslanov, U.Z. Zalibekov, T.R. Arslanov, V.M. Novotorzev, S.F. Marenkin KINETIC EFFECTS IN ORIENTED p-Cd94.7Mn5.3GeAs2 SINGLE CRYSTALS AT HIGH PRESSURE Single-crystalline samples of p-Cd94.7Mn5.3GeAs2 oriented in two crystallographic directions [001] and [100] have been investigated. Dependences of resistivity ρ and Hall coefficient RH on hydrostatic pressure P ≤ 7 GPa have been obtained at room temperature. It has been found experimentally that the point of phase transformation does not depend on crystallographic orientation of single crystals. Keywords: oriented single crystals, resistivity, pressure, phase transition Fig. 1. Dependences of resistivity ρ (–□–, –■–) and Hall coefficient 0 / HH RR (–○–, –●–) for the sample Cd94.7Mn5.3GeAs2 cut out along crystallographic directions [100] (а) and [001] (б). Dark symbols – pressure rise, light – release
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-69220
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 0868-5924
language Russian
last_indexed 2025-12-01T22:44:45Z
publishDate 2009
publisher Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
record_format dspace
spelling Моллаев, А.Ю.
Камилов, И.К.
Арсланов, Р.К.
Залибеков, У.З.
Арсланов, Т.Р.
Новоторцев, В.М.
Маренкин, С.Ф.
2014-10-07T20:24:20Z
2014-10-07T20:24:20Z
2009
Кинетические эффекты в ориентированных монокристаллах p-Cd₉₄.₇Mn₅.₅GeAs₂ при высоких давлениях / А.Ю. Моллаев, И.К. Камилов, Р.К. Арсланов, У.З. Залибеков, Т.Р. Арсланов, В.М. Новоторцев, С.Ф. Маренкин // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 3. — С. 116-119. — Бібліогр.: 2 назв. — рос.
0868-5924
PACS: 62.50.i–p, 72.20.–i
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69220
Исследованы монокристаллические образцы p-Cd₉₄.₇Mn₅.₅GeAs₂, ориентированные по двум кристаллографическим направлениям: [001] и [100]. Получены зависимости удельного электросопротивления ρ и коэффициента Холла RH от гидростатического давления P ≤ 7 GPa при комнатной температуре. Экспериментально установлено, что точка фазового превращения не зависит от кристаллографического направления монокристаллов.
Досліджено монокристалічні зразки p-Cd₉₄.₇Mn₅.₅GeAs₂, орієнтовані по двох кристалографічних напрямах: [001] і [100]. Отримано залежності питомого електроопору ρ і коефіцієнта Холла RH від гідростатичного тиску P ≤ 7 GPa при кімнатній температурі. Експериментально встановлено, що точка фазового перетворення не залежить від кристалографічного напрямку монокристалів.
Single-crystalline samples of p-Cd₉₄.₇Mn₅.₅GeAs₂ oriented in two crystallographic directions [001] and [100] have been investigated. Dependences of resistivity ρ and Hall coefficient RH on hydrostatic pressure P ≤ 7 GPa have been obtained at room temperature. It has been found experimentally that the point of phase transformation does not depend on crystallographic orientation of single crystals.
Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (Проект №05-02-16608) и подпрограммы № 3 Программы Президиума РАН П-09 «Исследование вещества в экстремальных условиях».
ru
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
Физика и техника высоких давлений
Кинетические эффекты в ориентированных монокристаллах p-Cd₉₄.₇Mn₅.₅GeAs₂ при высоких давлениях
Кінетичні ефекти в орієнтованих монокристалах p-Cd₉₄.₇Mn₅.₅GeAs₂ при високому тиску
Kinetic effects in oriented p-Cd₉₄.₇Mn₅.₅GeAs₂ single crystals at high pressure
Article
published earlier
spellingShingle Кинетические эффекты в ориентированных монокристаллах p-Cd₉₄.₇Mn₅.₅GeAs₂ при высоких давлениях
Моллаев, А.Ю.
Камилов, И.К.
Арсланов, Р.К.
Залибеков, У.З.
Арсланов, Т.Р.
Новоторцев, В.М.
Маренкин, С.Ф.
title Кинетические эффекты в ориентированных монокристаллах p-Cd₉₄.₇Mn₅.₅GeAs₂ при высоких давлениях
title_alt Кінетичні ефекти в орієнтованих монокристалах p-Cd₉₄.₇Mn₅.₅GeAs₂ при високому тиску
Kinetic effects in oriented p-Cd₉₄.₇Mn₅.₅GeAs₂ single crystals at high pressure
title_full Кинетические эффекты в ориентированных монокристаллах p-Cd₉₄.₇Mn₅.₅GeAs₂ при высоких давлениях
title_fullStr Кинетические эффекты в ориентированных монокристаллах p-Cd₉₄.₇Mn₅.₅GeAs₂ при высоких давлениях
title_full_unstemmed Кинетические эффекты в ориентированных монокристаллах p-Cd₉₄.₇Mn₅.₅GeAs₂ при высоких давлениях
title_short Кинетические эффекты в ориентированных монокристаллах p-Cd₉₄.₇Mn₅.₅GeAs₂ при высоких давлениях
title_sort кинетические эффекты в ориентированных монокристаллах p-cd₉₄.₇mn₅.₅geas₂ при высоких давлениях
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69220
work_keys_str_mv AT mollaevaû kinetičeskieéffektyvorientirovannyhmonokristallahpcd947mn55geas2privysokihdavleniâh
AT kamilovik kinetičeskieéffektyvorientirovannyhmonokristallahpcd947mn55geas2privysokihdavleniâh
AT arslanovrk kinetičeskieéffektyvorientirovannyhmonokristallahpcd947mn55geas2privysokihdavleniâh
AT zalibekovuz kinetičeskieéffektyvorientirovannyhmonokristallahpcd947mn55geas2privysokihdavleniâh
AT arslanovtr kinetičeskieéffektyvorientirovannyhmonokristallahpcd947mn55geas2privysokihdavleniâh
AT novotorcevvm kinetičeskieéffektyvorientirovannyhmonokristallahpcd947mn55geas2privysokihdavleniâh
AT marenkinsf kinetičeskieéffektyvorientirovannyhmonokristallahpcd947mn55geas2privysokihdavleniâh
AT mollaevaû kínetičníefektivoríêntovanihmonokristalahpcd947mn55geas2privisokomutisku
AT kamilovik kínetičníefektivoríêntovanihmonokristalahpcd947mn55geas2privisokomutisku
AT arslanovrk kínetičníefektivoríêntovanihmonokristalahpcd947mn55geas2privisokomutisku
AT zalibekovuz kínetičníefektivoríêntovanihmonokristalahpcd947mn55geas2privisokomutisku
AT arslanovtr kínetičníefektivoríêntovanihmonokristalahpcd947mn55geas2privisokomutisku
AT novotorcevvm kínetičníefektivoríêntovanihmonokristalahpcd947mn55geas2privisokomutisku
AT marenkinsf kínetičníefektivoríêntovanihmonokristalahpcd947mn55geas2privisokomutisku
AT mollaevaû kineticeffectsinorientedpcd947mn55geas2singlecrystalsathighpressure
AT kamilovik kineticeffectsinorientedpcd947mn55geas2singlecrystalsathighpressure
AT arslanovrk kineticeffectsinorientedpcd947mn55geas2singlecrystalsathighpressure
AT zalibekovuz kineticeffectsinorientedpcd947mn55geas2singlecrystalsathighpressure
AT arslanovtr kineticeffectsinorientedpcd947mn55geas2singlecrystalsathighpressure
AT novotorcevvm kineticeffectsinorientedpcd947mn55geas2singlecrystalsathighpressure
AT marenkinsf kineticeffectsinorientedpcd947mn55geas2singlecrystalsathighpressure