Гистерезис вольт-амперных характеристик в наноконтактах с манганитами
Приведены экспериментальные данные, доказывающие активационный характер гистерезиса вольт-амперных характеристик (ВАХ) в туннельных контактах с манганитами. Полученные результаты объясняются спецификой оксидных барьеров, образованных на поверхности манганитов. Наведено експериментальні дані, що дово...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика и техника высоких давлений |
|---|---|
| Дата: | 2009 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2009
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69241 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Гистерезис вольт-амперных характеристик в наноконтактах с манганитами / А.И. Дьяченко, Д.И. Бойченко, В.Ю. Таренков // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 4. — С. 36-43. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Приведены экспериментальные данные, доказывающие активационный характер гистерезиса вольт-амперных характеристик (ВАХ) в туннельных контактах с манганитами. Полученные результаты объясняются спецификой оксидных барьеров, образованных на поверхности манганитов.
Наведено експериментальні дані, що доводять активаційний характер гістерезису вольт-амперних характеристик (ВАХ) в тунельних контактах з манганітами. Отримані результати пояснюються за допомогою специфіки оксидних бар’єрів, які утворюються на поверхні манганітів.
Experimental evidence is given for the activation character of the current-voltage characteristics (CVC) hysteresis in tunnel junctions with manganites. The obtained results are explained by specific oxide barriers formed on the surface of manganites
|
|---|---|
| ISSN: | 0868-5924 |